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2026-09-03 每日速读|河洛投研

摘要

全球市场正围绕AI基础设施的深化与宏观经济分化展开博弈。AI算力需求从训练向推理转移,推动内存架构、定制ASIC及光互连供应链加速扩张,但日本半导体持仓拥挤度已触及极端水平。宏观层面,美联储前瞻指引的不确定性推升加息预期,而中国内需疲软促使政策转向现房销售与财政扩张;美国工业活动受AI投资支撑保持稳健,但关税引发的提前拉货埋下库存修正隐患。企业端,Meta诉讼和解或释放产品管线催化估值重估,数字广告基本面强劲但平台因资本开支承压跑输电商,Bitcoin则作为货币贬值对冲工具获得结构性资金流入。

2026-09-0363 篇研报9 家机构
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AI内存架构与新兴存储技术演进

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核心观点

Bernstein建立从片上SRAM到共享存储的架构层级框架,指出AI工作负载按计算、带宽、容量或延迟约束划分,推理预填充受计算限制,而解码因KV cache随token数量和并发用户数增长而受内存限制,扩大上下文窗口和RAG数据集将增加对DRAM、SSD、HDD及新型中间层级的需求。

Bernstein评估了多种新兴存储路径:SanDisk和SK hynix牵头的HBF旨在通过NAND补充HBM但跨越性能鸿沟困难;Samsung的zHBM面临散热和混合键合良率风险;NVIDIA的NVHBM可能重塑供应链价值分配,削弱传统存储器供应商在基底芯片上的议价能力;PIM具有理论效率优势但生态重构成本限制了短期渗透率。

Goldman Sachs追踪显示韩国8月存储芯片出口同比增长290%,其中DRAM出口增长412%创2008年以来最高增速,DDR4现货价较合约溢价43%,DDR5溢价16%,表明短期内存定价获坚实支撑。同时,Goldman Sachs对HBM看法更为积极,将SK Hynix 2027年HBM定价增速预测从50%上调至100%,意味着2027年HBM营业利润将达500亿美元。

Goldman Sachs指出TrendForce将3Q26 PC DRAM价格增长预测上调至环比+18–23%,服务器DRAM维持+13–18%,但受客户库存偏高影响,移动DRAM预计在3Q26仅环比增长8–13%并在4Q26进一步放缓,呈现明显的结构性分化。

Goldman Sachs通过HBM材料进口代理指标发现分化:与Samsung Electronics相关的塑料薄膜进口7月同比增长134%,而与SK Hynix相关的环氧树脂进口同比下降18%,解读为Samsung的HBM竞争力明显恢复。

当前市场环境

AI推理工作负载的KV cache增长已成为核心内存约束,推动行业从单一依赖HBM向多层级存储架构演进。当前DRAM和NAND市场呈现供需偏紧格局,韩国出口数据创历史纪录,现货溢价高企,但消费电子端需求疲软导致移动DRAM增速放缓。

未来市场变化

HBM与传统DRAM价格差持续扩大,HBF等中间层级技术逐步商业化落地

中长期

触发条件

  • AI大模型上下文窗口持续扩大
  • 并发推理请求量指数级增长
  • HBM产能扩张受限

传导路径

  • KV cache需求超过现有HBM容量上限
  • 推动NAND/HBF等低成本大容量方案进入内存层级
  • 改变存储器供应商的价值分配格局

验证指标

  • HBF产品送样及量产时间表公布
  • SK Hynix与Samsung HBM ASP差距变化
  • NVHBM基底芯片设计权转移进度

失效条件

  • AI模型压缩技术大幅降低内存需求
  • HBM产能过剩导致价格崩盘

机构分歧

Samsung在HBM市场的竞争力恢复程度

不同观点

  • Goldman Sachs基于材料进口数据认为Samsung的HBM竞争力正在明显恢复,缩小与SK Hynix的差距。
  • 市场共识仍认为SK Hynix在HBM领域占据绝对主导地位,Samsung的材料进口增加可能仅代表研发或小批量试产而非大规模份额反转。

机会与风险

AI专用内存及多层级存储架构

共识机会

推理解码阶段KV cache呈指数级增长,HBM供不应求且价格飙升,传统DRAM与HBM间存在巨大性能与成本断层,亟需新架构填补。

潜在受益方

  • SK Hynix
  • Samsung Electronics
  • SanDisk
  • NVIDIA

风险

  • zHBM散热与良率不达标
  • HBF跨层级性能鸿沟难以克服
  • NVHBM标准化削弱存储器厂商差异化

验证指标

  • HBM ASP持续超预期上涨
  • 新兴存储技术流片成功
  • CSP采购订单结构变化
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