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2026-09-03 Leitura Rápida Diária | Hilo Research

Resumo

Os mercados globais estão travando um jogo em torno do aprofundamento da infraestrutura de IA e da divergência macroeconômica. A demanda por capacidade computacional de IA está migrando do treinamento para a inferência, impulsionando a expansão acelerada das cadeias de suprimentos de arquitetura de memória, ASICs personalizados e interconexões ópticas, mas o nível de concentração de posições em semicondutores japoneses já atingiu extremos. No âmbito macro, a incerteza nas orientações prospectivas do Federal Reserve elevou as expectativas de alta de juros, enquanto a fraqueza da demanda interna na China levou a política a se voltar para a venda de imóveis prontos e a expansão fiscal; a atividade industrial dos EUA mantém-se sólida, sustentada pelos investimentos em IA, mas a antecipação de compras provocada pelas tarifas cria riscos ocultos de correção de estoques. No lado corporativo, o acordo judicial da Meta pode liberar catalisadores no pipeline de produtos e reavaliar o valuation; os fundamentos da publicidade digital são fortes, mas as plataformas têm desempenho inferior ao do e-commerce devido à pressão dos gastos de capital, enquanto o Bitcoin recebe fluxos estruturais de capital como instrumento de proteção contra a desvalorização monetária.

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Evolução da arquitetura de memória para IA e das tecnologias emergentes de armazenamento

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Pontos principais

A Bernstein estabeleceu um framework hierárquico de arquitetura que vai da SRAM on-chip ao armazenamento compartilhado, apontando que as cargas de trabalho de IA são divididas por restrições de computação, largura de banda, capacidade ou latência: o pré-preenchimento de inferência é limitado pela computação, enquanto a decodificação é limitada pela memória devido ao crescimento do cache KV com o número de tokens e usuários simultâneos; a ampliação das janelas de contexto e dos conjuntos de dados RAG aumentará a demanda por DRAM, SSD, HDD e novas camadas intermediárias.

A Bernstein avaliou diversas rotas emergentes de armazenamento: o HBF, liderado por SanDisk e SK hynix, visa complementar o HBM com NAND, mas superar o abismo de desempenho é difícil; o zHBM da Samsung enfrenta riscos de dissipação térmica e rendimento de hybrid bonding; o NVHBM da NVIDIA pode remodelar a distribuição de valor na cadeia de suprimentos, enfraquecendo o poder de barganha dos fornecedores tradicionais de memória nos chips base; o PIM possui vantagens teóricas de eficiência, mas os custos de reestruturação do ecossistema limitam sua penetração no curto prazo.

O acompanhamento do Goldman Sachs mostra que as exportações sul-coreanas de chips de memória em 8 cresceram 290% em base anual, com as exportações de DRAM subindo 412%, o maior ritmo desde 2008; o preço spot de DDR4 apresenta prêmio de 43% sobre o contrato e o DDR5 tem prêmio de 16%, indicando forte suporte para a precificação de memória no curto prazo. Ao mesmo tempo, o Goldman Sachs adota uma visão mais positiva sobre o HBM, elevando a previsão de crescimento de preços de HBM da SK Hynix em 2027 de 50% para 100%, o que implica que o lucro operacional de HBM em 2027 atingirá 500 bilhões de dólares.

O Goldman Sachs destaca que a TrendForce elevou a previsão de crescimento de preços de DRAM para PC no T26 de 3 para +18–23% em base sequencial, mantendo o DRAM para servidores em +13–18%; porém, afetado pelos estoques elevados dos clientes, o DRAM móvel deve crescer apenas 8–13% em base sequencial no T26 de 3 e desacelerar ainda mais no T26 de 4, apresentando uma clara diferenciação estrutural.

O Goldman Sachs identificou divergências por meio de indicadores indiretos de importação de materiais para HBM: as importações de filmes plásticos relacionadas à Samsung Electronics cresceram 134% em base anual em 7, enquanto as importações de resina epóxi relacionadas à SK Hynix caíram 18% em base anual, interpretadas como uma recuperação evidente da competitividade da Samsung em HBM.

Ambiente atual do mercado

O crescimento do cache KV nas cargas de trabalho de inferência de IA tornou-se a principal restrição de memória, impulsionando a transição do setor de uma dependência exclusiva do HBM para arquiteturas de armazenamento multicamadas. Atualmente, os mercados de DRAM e NAND apresentam oferta e demanda apertadas, com dados de exportação da Coreia do Sul em recordes históricos e prêmios spot elevados, mas a fraqueza da demanda no segmento de eletrônicos de consumo desacelera o crescimento do DRAM móvel.

Mudanças futuras do mercado

A diferença de preços entre HBM e DRAM tradicional continua a se ampliar, e tecnologias de camadas intermediárias como o HBF estão gradualmente alcançando a comercialização.

Médio e longo prazo

Condições de ativação

  • Expansão contínua das janelas de contexto dos grandes modelos de IA
  • Crescimento exponencial do volume de solicitações simultâneas de inferência
  • Capacidade de expansão da produção de HBM restrita

Canais de transmissão

  • Demanda por cache KV supera o limite atual de capacidade do HBM
  • Impulso para que soluções de baixo custo e alta capacidade, como NAND/HBF, entrem na hierarquia de memória
  • Alteração do padrão de distribuição de valor entre os fornecedores de memória

Indicadores a acompanhar

  • Divulgação do cronograma de envio de amostras e produção em massa de produtos HBF
  • Variação da diferença de ASP de HBM entre SK Hynix e Samsung
  • Progresso na transferência dos direitos de design do chip base do NVHBM

Condições de invalidação

  • Tecnologias de compressão de modelos de IA reduzem drasticamente a necessidade de memória
  • Excesso de capacidade de HBM leva a um colapso de preços

Divergências institucionais

Grau de recuperação da competitividade da Samsung no mercado de HBM

Diferentes perspectivas

  • Com base em dados de importação de materiais, o Goldman Sachs considera que a competitividade da Samsung em HBM está se recuperando de forma evidente, reduzindo a distância em relação à SK Hynix.
  • O consenso de mercado ainda acredita que a SK Hynix detém domínio absoluto no campo de HBM, e o aumento das importações de materiais pela Samsung pode representar apenas P&D ou produção experimental em pequena escala, e não uma reversão de participação em larga escala.

Oportunidades e riscos

Memória dedicada à IA e arquitetura de armazenamento multicamadas

Oportunidade de consenso

Na fase de decodificação da inferência, o cache KV cresce exponencialmente, o HBM apresenta escassez de oferta e disparada de preços, e existe um enorme abismo de desempenho e custo entre o DRAM tradicional e o HBM, exigindo urgentemente novas arquiteturas para preenchê-lo.

Possíveis beneficiários

  • SK Hynix
  • Samsung Electronics
  • SanDisk
  • NVIDIA

Riscos

  • Dissipação térmica e rendimento do zHBM não atendem aos padrões
  • Abismo de desempenho entre camadas do HBF difícil de superar
  • Padronização do NVHBM enfraquece a diferenciação dos fabricantes de memória

Indicadores a acompanhar

  • ASP de HBM continua subindo acima das expectativas
  • Sucesso no tape-out de tecnologias emergentes de armazenamento
  • Mudança na estrutura dos pedidos de compra dos CSPs
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Este conteúdo foi compilado com base nas visões de relatórios de pesquisa de instituições, servindo apenas como referência para estudos e não constituindo recomendação de investimento.

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