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2026-09-01 每日速读|河洛投研

摘要

当前市场由AI基础设施投资与宏观结构性转型双轮驱动。AI算力需求正从单一HBM向全栈内存架构、数据中心电力设备及高端PCB材料全面外溢,同时云端API变现加速验证了大模型商业化路径。宏观层面,美国经济未现广泛过热但局部产能受限,中国制造业PMI边际改善而地产政策转向现房销售重塑行业格局。人形机器人预测大幅上修,数字广告在AI赋能下量价齐升,但全球贸易摩擦与地缘合规成本正实质性压制出海企业利润率。

2026-09-0153 篇研报6 家机构
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AI内存架构演进与存储定价周期

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核心观点

Bernstein构建了从片上SRAM、HBM、系统DRAM、CXL到本地SSD的完整AI内存架构层级,指出Transformer推理的解码阶段因KV缓存随token和并发用户线性增长而受内存限制,RAG数据库和智能体工作流进一步放大了对大容量存储和系统DRAM的需求。

Goldman Sachs数据显示8月DRAM现货价格维持强势,DDR4环比上涨7%且较合约溢价43%,韩国7月DRAM出口同比暴增394%创2008年来新高;同时将SK Hynix 2027年HBM定价增长预测从50%大幅上调至100%,预计其2027年HBM营收达630亿美元。

新型内存技术面临不同商业化挑战:SanDisk和SK hynix主导的HBF需NAND性能大幅跃升,Samsung zHBM面临散热和良率质疑,NVIDIA NVHBM可能削弱内存供应商基底芯片差异化并将价值转向TSMC等代工厂,而PIM受制于生态系统迁移成本。

传统DRAM ASP涨幅正在放缓,Goldman Sachs预计3Q26E行业DRAM ASP环比增长约17%,但二阶变化约为负20个百分点;移动端受高库存影响3Q26定价增长预计放缓至8-13%。

当前市场环境

AI推理需求正从计算瓶颈向内存带宽和容量瓶颈转移,HBM供需极度紧张支撑远期定价,而传统DRAM虽现货偏紧但涨价动能已现放缓迹象。

未来市场变化

NVHBM架构普及重塑HBM供应链利润分配

长期

触发条件

  • NVIDIA在下一代加速器中全面采用自研基底芯片的NVHBM方案

传导路径

  • 内存控制器功能移至GPU基底芯片
  • 内存供应商丧失基底芯片差异化能力
  • 制造价值向TSMC等晶圆代工厂集中
  • HBM供应商利润率承压

验证指标

  • NVIDIA新架构产品发布规格确认
  • TSMC先进封装产能分配变化

失效条件

  • 内存供应商成功保留定制化基底芯片设计权
  • NVHBM方案因良率或成本问题被搁置

机构分歧

传统DRAM ASP涨势持续性

不同观点

  • Goldman Sachs认为现货溢价和服务器需求将支撑DRAM价格稳健上涨,且供应商优先配置产能给HBM/服务器DRAM将带来供给约束
  • TrendForce数据显示移动端高库存暂时削弱采购动能,3Q26移动DRAM定价增速将显著放缓至8-13%,4Q26进一步降至0-5%

机会与风险

HBM长期协议溢价投资

共识机会

SK Hynix 2027年HBM定价增长预测被大幅上调至100%,供需紧张叠加有利长协条款支持超预期收益。

潜在受益方

  • SK Hynix
  • HBM产业链设备商

风险

  • 传统DRAM产能过度向HBM倾斜导致整体供给失衡
  • AI资本开支不及预期

验证指标

  • SK Hynix季度HBM营收及ASP数据
  • 主要云厂商资本开支指引
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