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3Q26存储器价格展望大体符合高盛预期,PC DRAM更强而移动DRAM增速放缓

机构
Goldman Sachs
日期
20260901
作者
Giuni Lee, Taeyong Lee, Daiki Takayama
公司
代码
005930.KS, 005935.KS, 000660.KS
行业
韩国存储半导体(DRAM/NAND)
评级
看多/乐观信心强维持中期报告认为DRAM和NAND价格总体仍具支撑,并明确重申对三星电子和SK海力士的买入评级。
作者Giuni Lee, Taeyong Lee, Daiki Takayama
覆盖区域韩国、亚太
资产类别权益/股票
业务部门PC DRAM、服务器DRAM、移动DRAM、移动NAND、HBM
研究机构部门/子公司Goldman Sachs’ Global Investment Research division(部门/团队)、Goldman Sachs (Singapore) Pte.(子公司/法律实体)

AI 摘要卡

3Q26存储器价格展望大体符合高盛预期,PC DRAM更强而移动DRAM增速放缓

TrendForce上调3Q26 PC DRAM价格预测,并维持服务器和移动DRAM预测;高盛认为整体DRAM及NAND展望与其估算大体一致。尽管移动端受客户库存影响暂时减速,服务器DRAM与HBM优先获得产能配置仍有助于支撑定价。

三星电子普通股与优先股均为买入,12个月目标价分别为W490,000和W360,000;SK海力士为买入,12个月目标价为W3,500,000。
韩国半导体DRAMNANDHBM存储器价格客户库存三星电子SK海力士
  • TrendForce将3Q26 PC DRAM环比涨价预测由15%-20%上调至18%-23%,略高于高盛对三星电子和SK海力士平均涨幅17%的预测。
  • 服务器DRAM的3Q26价格预测维持环比上涨13%-18%,与高盛预测的18%大体一致。
  • 移动DRAM预计3Q26环比上涨8%-13%,低于高盛14%的预测,并可能在4Q26进一步放缓至0%-5%。
  • 3Q26 eMMC/UFS 256GB合约价格环比上涨约20%,与高盛对整体NAND上涨15%-20%的预测一致。
  • 高盛重申三星电子和SK海力士买入评级。

研报解读

概览

报告追踪2026年8月PC、服务器和移动DRAM及移动NAND价格,并将TrendForce预测与高盛对三星电子和SK海力士的平均售价估算进行比较。结论是3Q26 DRAM/NAND价格大体符合高盛预期,其中PC DRAM更强,移动DRAM因客户库存较高而短期减速,但服务器DRAM与HBM产能优先配置继续支撑中期定价。

核心观点

整体判断方面,TrendForce上调3Q26 PC DRAM价格预期,同时维持服务器和移动DRAM预测。高盛认为自身对DRAM和NAND的估算与TrendForce大体一致,并重申对三星电子和SK海力士的买入评级。报告的核心逻辑是:移动端采购动能虽因客户库存偏高而暂时走弱,但供应商继续将产能优先分配给服务器DRAM和HBM,限制了其他存储产品的供给,因此整体定价仍受到支撑。 PC DRAM是本次更新中相对更强的环节。2026年8月DDR4 8GB和DDR5 8GB模块价格均环比上涨2%,分别由$139和$130升至$142和$133;DDR5相对DDR4仍折价6%,与7月相同。基于这一走势,TrendForce将3Q26 PC DRAM价格环比涨幅预测由15%-20%上调至18%-23%。该区间略高于高盛对三星电子和SK海力士3Q26平均PC DRAM价格环比上涨17%的预测。 服务器DRAM走势总体符合高盛判断。8月DDR4 64GB模块价格维持在$1,295,DDR5 64GB模块价格环比上涨1%至$1,500,使DDR5相对DDR4的溢价由7月的15%扩大至16%。TrendForce继续预计3Q26服务器DRAM价格环比上涨13%-18%,与高盛对三星电子和SK海力士平均服务器DRAM价格上涨18%的预测基本一致。 移动DRAM则呈现涨价延续但增速明显放缓的特征。TrendForce预计3Q26移动DRAM价格环比上涨8%-13%,低于高盛对三星电子和SK海力士平均涨幅14%的预测,也显著低于2Q26的70%-83%。减速原因是客户库存较高,导致采购动能暂时转弱。TrendForce进一步预计4Q26涨幅将降至0%-5%,但认为2027年仍可维持稳健定价,因为供应商预计继续优先配置服务器DRAM和HBM产能。 NAND方面,3Q26 eMMC/UFS 256GB合约价格环比上涨约20%,与高盛对整体NAND价格上涨15%-20%的预测一致。现货与合约价差也显示部分产品定价较强:DDR5 16Gb现货价较最新合约价溢价16%,DDR4 8Gb现货价较最新合约价溢价43%。这些数据与报告关于3Q26存储器平均售价整体大体符合预期的判断相互印证。 估值与评级方面,高盛维持三星电子普通股和优先股买入评级。普通股12个月目标价为W490,000,采用2026-2027E EV/EBITDA分部估值;优先股12个月目标价为W360,000,依据27%的优先股相对普通股目标折价,该折价取两因子模型折价与过去1个月平均折价的均值。SK海力士12个月目标价为W3,500,000,采用2026E和2027E平均市盈率估值,并应用9.0倍目标市盈率。 报告列出的主要下行因素包括存储器供需大幅恶化。三星电子还面临智能手机利润率急剧收缩及移动OLED市场份额流失风险;SK海力士还面临技术迁移延迟、智能手机或PC或服务器需求走弱、三星HBM业务进展削弱其HBM收入和利润,以及人工智能相关资本开支下降压低整体HBM需求的风险。

分析框架

报告先观察8月不同DRAM模块的月度合约价格以及DDR5相对DDR4的溢价或折价,再引用TrendForce对3Q26和4Q26的价格预测,与高盛对三星电子和SK海力士平均售价的预测逐项比较。随后,报告以客户库存、采购动能及供应商向服务器DRAM和HBM配置产能解释各产品价格路径,最后用分部估值和市盈率估值连接到覆盖公司的目标价与评级。

方法论与常识提炼

  • (词表外方法)

    月度存储器价格追踪与外部预测对标

    报告跟踪PC、服务器和移动存储器的月度合约价、现货相对合约价以及DDR5相对DDR4的价差,并把TrendForce预测与高盛估算对照,以判断价格变化是否偏离预期。

  • 行业/产业分析框架供需框架

    库存、采购需求与供应商产能配置分析

    报告用客户库存偏高解释移动DRAM采购暂时走弱,同时用供应商优先配置服务器DRAM和HBM产能解释其他存储产品供给受限及定价获得支撑。

  • 估值方法SOTP 分部估值

    2026-2027E EV/EBITDA分部估值

    高盛以未来分部EV/EBITDA估值确定三星电子普通股W490,000的12个月目标价,并在此基础上应用27%的优先股折价得到W360,000的优先股目标价。

  • 估值方法PE/PEG 估值

    2026E/2027E平均市盈率估值

    高盛对SK海力士采用2026E和2027E平均盈利,并应用9.0倍目标市盈率,得到W3,500,000的12个月目标价。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • Samsung Electronics(005930.KS)
    报告明确覆盖并重申买入;其存储业务与DRAM/NAND价格及服务器DRAM、HBM产能配置相关。
    优势
    3Q26 PC、服务器DRAM及NAND定价总体获得支撑,普通股12个月目标价为W490,000。
    劣势
    移动DRAM采购短期受到客户库存偏高影响。
    对比
    高盛主要以三星电子与SK海力士的平均DRAM价格预测对比TrendForce,未给出两家公司之间的ASP差异。
    风险
    存储器供需大幅恶化、智能手机利润率急剧收缩及移动OLED市场份额流失。
  • Samsung Electronics (Pref)(005935.KS)
    报告维持买入,估值与三星电子普通股目标价及优先股折价相联系。
    优势
    12个月目标价为W360,000,并采用27%的目标优先股折价。
    劣势
    其基本面风险与三星电子业务表现相连。
    对比
    目标折价由两因子模型测算折价与过去1个月平均优先股折价取均值得出。
    风险
    存储器供需恶化、智能手机利润率收缩及移动OLED份额流失。
  • SK Hynix Inc.(000660.KS)
    报告明确覆盖并重申买入;其业绩与传统存储价格、HBM需求及技术迁移进度相关。
    优势
    服务器DRAM与HBM获得优先产能配置,报告给出的12个月目标价为W3,500,000。
    劣势
    对智能手机、PC、服务器及人工智能相关HBM需求变化较为敏感。
    对比
    高盛采用9.0倍2026E/2027E平均市盈率确定目标价;ASP预测主要按三星电子与SK海力士平均口径呈现。
    风险
    存储器供需恶化、技术迁移延迟、终端需求走弱、三星HBM业务进展以及人工智能资本开支下降。

关键数据

  • 3Q26 PC DRAM价格预测+18%-23% qoqTrendForce由此前的+15%-20%上调;略高于高盛对三星电子和SK海力士平均涨幅+17%的预测。
  • 8月DDR4 8GB PC模块价格$142由$139环比上涨2%。
  • 8月DDR5 8GB PC模块价格$133由$130环比上涨2%;相对DDR4折价6%,与7月相同。
  • 3Q26服务器DRAM价格预测+13%-18% qoqTrendForce维持预测;高盛对三星电子和SK海力士平均涨幅的预测为+18%。
  • 8月DDR4 64GB服务器模块价格$1,295环比持平。
  • 8月DDR5 64GB服务器模块价格$1,500环比上涨1%;相对DDR4溢价16%,7月为15%。
  • 3Q26移动DRAM价格预测+8%-13% qoq低于2Q26的+70%-83%,也略低于高盛预测的+14%。
  • 4Q26移动DRAM价格预测+0%-5% qoqTrendForce预计涨幅进一步放缓。
  • 3Q26 eMMC/UFS 256GB合约价格约+20% qoq与高盛对整体NAND价格+15%-20%的预测一致。
  • DDR5 16Gb现货相对合约价溢价16%相对于最新合约价格。
  • DDR4 8Gb现货相对合约价溢价43%相对于最新合约价格。
  • 三星电子普通股与优先股目标价W490,000 / W360,000均为12个月目标价;优先股目标价采用27%的相对普通股折价。
  • SK海力士目标价W3,500,00012个月目标价,基于2026E/2027E平均盈利和9.0倍目标市盈率。

影响与含义

报告认为,3Q26存储器价格总体仍沿着高盛预期运行,PC DRAM表现略强,移动DRAM则受库存影响进入涨幅放缓阶段。供应商将产能优先投向服务器DRAM和HBM,有助于维持其他产品的供给纪律和2027年定价,因此高盛继续维持对三星电子和SK海力士的正面评级。

风险

  • 存储器供需出现重大恶化,可能同时影响三星电子和SK海力士。
  • 三星电子面临智能手机利润率急剧收缩的风险。
  • 三星电子面临移动OLED市场份额流失的风险。
  • SK海力士面临技术迁移延迟以及智能手机、PC或服务器需求走弱的风险。
  • 三星HBM业务取得积极进展,可能影响SK海力士的HBM收入和利润。
  • 人工智能相关资本开支下降可能压低整体HBM需求,并影响SK海力士的HBM收入和利润。

后续跟踪

  • 关注3Q26 PC、服务器和移动DRAM及NAND实际价格能否达到报告列示的预测区间。
  • 关注移动DRAM客户库存和采购动能是否改善。
  • 关注4Q26移动DRAM价格涨幅是否如TrendForce预计放缓至0%-5%。
  • 关注供应商是否继续优先向服务器DRAM和HBM配置产能,以及这一安排对2027年定价的支撑。
  • 关注人工智能相关资本开支、HBM需求、三星HBM业务进展及SK海力士技术迁移进度。
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