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Resumen diario

2026-09-03 Lectura rápida diaria | Heluo Investment Research

Resumen

Los mercados globales están librando una batalla en torno a la profundización de la infraestructura de IA y la divergencia macroeconómica. La demanda de capacidad de cómputo de IA se está desplazando del entrenamiento a la inferencia, lo que impulsa la expansión acelerada de las cadenas de suministro de arquitecturas de memoria, ASIC personalizados e interconexiones ópticas, pero el hacinamiento de las posiciones en semiconductores japoneses ya ha alcanzado niveles extremos. A nivel macro, la incertidumbre sobre la orientación prospectiva de la Reserva Federal eleva las expectativas de subidas de tipos, mientras que la debilidad de la demanda interna en China impulsa un giro político hacia la venta de viviendas terminadas y la expansión fiscal; la actividad industrial estadounidense se mantiene sólida respaldada por la inversión en IA, pero los adelantos de compras provocados por los aranceles siembran riesgos latentes de corrección de inventarios. En el ámbito corporativo, el acuerdo judicial de Meta podría liberar catalizadores en su cartera de productos para una revaloración de su valoración; los fundamentos de la publicidad digital son sólidos, pero las plataformas cotizan por debajo del comercio electrónico debido a la presión de los gastos de capital, mientras que Bitcoin recibe flujos de fondos estructurales como herramienta de cobertura contra la depreciación monetaria.

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Evolución de las arquitecturas de memoria para IA y las tecnologías de almacenamiento emergentes

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Ideas clave

Bernstein establece un marco jerárquico de arquitectura desde la SRAM en chip hasta el almacenamiento compartido, señalando que las cargas de trabajo de IA se dividen según restricciones de cómputo, ancho de banda, capacidad o latencia; el prellenado de inferencia está limitado por el cómputo, mientras que la decodificación está limitada por la memoria debido a que la caché KV crece con el número de tokens y usuarios concurrentes, y la ampliación de las ventanas de contexto y los conjuntos de datos RAG aumentará la demanda de DRAM, SSD, HDD y nuevos niveles intermedios.

Bernstein evaluó varias rutas de almacenamiento emergentes: el HBF liderado por SanDisk y SK hynix busca complementar el HBM mediante NAND, pero superar la brecha de rendimiento es difícil; el zHBM de Samsung enfrenta riesgos de disipación térmica y de rendimiento en la unión híbrida; el NVHBM de NVIDIA podría remodelar la distribución de valor en la cadena de suministro, debilitando el poder de negociación de los proveedores de memoria tradicionales en los chips base; el PIM tiene ventajas teóricas de eficiencia, pero los costos de reestructuración del ecosistema limitan su penetración a corto plazo.

El seguimiento de Goldman Sachs muestra que las exportaciones surcoreanas de chips de memoria en 8 crecieron un 290% interanual, de las cuales las exportaciones de DRAM aumentaron un 412%, la mayor tasa de crecimiento desde 2008; el precio spot de DDR4 cotiza con una prima del 43% sobre el contrato y el DDR5 con una prima del 16%, lo que indica que la fijación de precios de la memoria a corto plazo cuenta con un respaldo sólido. Al mismo tiempo, Goldman Sachs tiene una visión más positiva sobre el HBM, elevando su previsión de crecimiento de precios de HBM de SK Hynix para 2027 del 50% al 100%, lo que implica que el beneficio operativo de HBM en 2027 alcanzará los 500 millones de dólares.

Goldman Sachs señala que TrendForce elevó su previsión de crecimiento de precios de DRAM para PC del Q26 de 3 a +18–23% intertrimestral, y que el DRAM para servidores se mantiene en +13–18%, pero que, afectado por los altos inventarios de los clientes, se espera que el DRAM móvil crezca solo un 8–13% intertrimestral en el Q26 de 3 y se desacelere aún más en el Q26 de 4, mostrando una clara divergencia estructural.

Goldman Sachs descubrió divergencias a través de indicadores indirectos de importación de materiales para HBM: las importaciones de películas plásticas relacionadas con Samsung Electronics crecieron un 134% interanual en 7, mientras que las importaciones de resina epoxi relacionadas con SK Hynix cayeron un 18% interanual, lo que se interpreta como una clara recuperación de la competitividad de Samsung en HBM.

Entorno actual del mercado

El crecimiento de la caché KV en las cargas de trabajo de inferencia de IA se ha convertido en la restricción central de memoria, impulsando a la industria a evolucionar desde una dependencia exclusiva del HBM hacia arquitecturas de almacenamiento multinivel. Los mercados actuales de DRAM y NAND presentan un equilibrio de oferta y demanda ajustado, con datos de exportación surcoreanos en récords históricos y primas spot elevadas, pero la débil demanda en electrónica de consumo provoca una desaceleración en el crecimiento del DRAM móvil.

Cambios futuros del mercado

La diferencia de precios entre el HBM y el DRAM tradicional continúa ampliándose, y tecnologías de niveles intermedios como el HBF se comercializan gradualmente

Medio y largo plazo

Condiciones desencadenantes

  • Expansión continua de las ventanas de contexto de los grandes modelos de IA
  • Crecimiento exponencial del volumen de solicitudes de inferencia concurrentes
  • Expansión limitada de la capacidad de producción de HBM

Canales de transmisión

  • La demanda de caché KV supera el límite de capacidad actual del HBM
  • Impulsa la entrada de soluciones de bajo costo y alta capacidad como NAND/HBF en la jerarquía de memoria
  • Cambia el panorama de distribución de valor entre los proveedores de memoria

Indicadores a seguir

  • Anuncio de muestras de productos HBF y cronogramas de producción en masa
  • Cambios en la brecha de ASP de HBM entre SK Hynix y Samsung
  • Progreso en la transferencia de derechos de diseño de chips base de NVHBM

Condiciones de invalidación

  • Las tecnologías de compresión de modelos de IA reducen drásticamente la demanda de memoria
  • El exceso de capacidad de HBM provoca un colapso de precios

Desacuerdos institucionales

Grado de recuperación de la competitividad de Samsung en el mercado de HBM

Distintas perspectivas

  • Goldman Sachs, basándose en datos de importación de materiales, considera que la competitividad de Samsung en HBM se está recuperando claramente, reduciendo la brecha con SK Hynix.
  • El consenso del mercado aún considera que SK Hynix ocupa una posición absolutamente dominante en el campo del HBM, y que el aumento de las importaciones de materiales de Samsung podría representar únicamente I+D o producción piloto de pequeños volúmenes, en lugar de una inversión masiva de cuotas de mercado.

Oportunidades y riesgos

Memoria especializada para IA y arquitecturas de almacenamiento multinivel

Oportunidad de consenso

En la fase de decodificación de la inferencia, la caché KV crece exponencialmente, el HBM presenta una demanda superior a la oferta y precios disparados, y existe una enorme brecha de rendimiento y costo entre el DRAM tradicional y el HBM, lo que requiere urgentemente nuevas arquitecturas para llenarla.

Posibles beneficiarios

  • SK Hynix
  • Samsung Electronics
  • SanDisk
  • NVIDIA

Riesgos

  • La disipación térmica y el rendimiento del zHBM no cumplen los estándares
  • La brecha de rendimiento entre niveles del HBF es difícil de superar
  • La estandarización del NVHBM debilita la diferenciación de los fabricantes de memoria

Indicadores a seguir

  • El ASP del HBM sigue subiendo por encima de las expectativas
  • Éxito en la fabricación inicial (tape-out) de tecnologías de almacenamiento emergentes
  • Cambios en la estructura de los pedidos de compra de los CSP
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Este contenido está elaborado a partir de opiniones de informes de investigación institucionales, es solo para fines de referencia investigativa y no constituye asesoramiento de inversión.

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