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CXMT Corporation (688825.SS): 글로벌 DRAM 슈퍼사이클과 국내 대체의 결합이 CXMT에 물량 및 가격 동반 성장 기회 제공

UBS는 CXMT에 대해 매수 의견으로 커버리지를 개시하며, 타이트한 공급, 생산능력 확장, 서버 메모리 및 HBM 램프업이 2026–2028년의 빠른 이익 성장을 견인할 것으로 예상한다.

기관UBS
날짜2026-08-07
기업CXMT Corporation
티커688825.SS
업종반도체 (DRAM)
투자의견매수

요약

UBS는 CXMT에 대해 매수 의견으로 커버리지를 개시하며, 타이트한 공급, 생산능력 확장, 서버 메모리 및 HBM 램프업이 2026–2028년의 빠른 이익 성장을 견인할 것으로 예상한다.

매수 의견과 12개월 목표주가 Rmb70.00으로 커버리지를 개시한다. 2026년 8월 6일 주가 Rmb51.96 기준 약 34.7%의 상승 여력을 의미한다.
커버리지 개시매수 의견DRAM 슈퍼사이클국내 대체AI 인프라HBM생산능력 확장
  • UBS는 글로벌 DRAM 공급이 적어도 2028년 2분기까지 수요에 미치지 못해 제품 가격과 마진을 뒷받침할 것으로 예상한다.
  • 회사의 연말 DRAM 생산능력은 2025년 월 240,000장 웨이퍼에서 2028년 월 466,000장 웨이퍼로 증가할 것으로 예상되며, 비트 출하량은 2025–2028년에 CAGR 40% 성장할 것으로 전망된다.
  • 데이터센터 매출은 2025–2028년에 CAGR 208%를 달성하고, 2028년 전체 매출의 54%까지 상승할 것으로 예상된다.
  • UBS는 EBIT 마진이 2026–2028년에 각각 75%, 85%, 85%에 도달하고, 같은 기간 이익 CAGR은 약 75%를 기록할 것으로 예상한다.
  • 2027년 P/BV 8.6배를 기준으로 목표주가는 Rmb70.00이며, 기준 주가 Rmb51.96 대비 약 34.7%의 상승 여력을 의미한다.

보고서 해설

개요

CXMT는 R&D, 설계 및 생산 역량을 갖춘 중국 최대이자 기술 선도 통합 DRAM 제조업체이다. UBS는 회사를 글로벌 메모리 슈퍼사이클과 중국 DRAM 현지화 추세의 핵심 수혜자로 판단한다. 타이트한 글로벌 공급에 따른 가격 상승, 국내 생산능력 확장, 서버 및 AI 인프라 메모리 수요 성장, HBM 제품 진전이 매출, 이익 및 시장점유율의 빠른 성장을 함께 견인할 것으로 예상된다.

핵심 견해

핵심 논리는 세 가지다. 첫째, AI 서버 수요, 서버당 메모리 용량 증가 및 생산능력 확장 제약으로 글로벌 DRAM 공급은 적어도 2028년 2분기까지 수요에 미치지 못할 것이다. 둘째, 회사는 허페이, 베이징, 상하이의 생산능력 구축 및 공정 업그레이드를 통해 출하량을 확대하고 있으며, 글로벌 비트 공급 점유율은 2025년 약 7%에서 2028년 약 10%로 상승할 것으로 예상된다. 셋째, 중국 클라우드 서비스 제공업체와 최종 고객은 국내 조달을 강화하고 있으며, HBM3/3E 양산 진전과 함께 서버 및 데이터센터 사업은 새로운 성장 핵심이 될 것이다. UBS는 회사 매출이 2025년 Rmb61.8bn에서 2028년 약 Rmb860bn으로 증가하고, EBIT 마진은 2026–2028년에 75%–85% 수준을 유지할 것으로 예상한다.

분석 프레임워크

보고서는 핵심 질문을 중심으로 구성되었으며, 글로벌 DRAM 수급 및 가격 전망, 웨이퍼 생산능력과 공정 전환, 비트 출하량, 제품 및 고객 믹스, 국내 대체 정책 및 산업 체인 조사를 결합해 이익 전망을 수립한다. P/BV와 ROE 매칭, 동종업체 비교 및 상승·하락 시나리오 분석을 통해 목표주가와 위험보상을 산정한다.

방법론 메모

  • 산업 분석수급 사이클 분석

    수요 성장, 생산능력 제약 및 가격 변화를 통해 DRAM 사이클의 지속 기간을 평가한다.

    UBS는 AI 서버 수요, 메모리 탑재량 증가, 팹 공간, 장비 납품 주기 및 설치 역량을 결합해 글로벌 DRAM 공급이 적어도 2028년 2분기까지 수요에 미치지 못할 것으로 판단한다.

  • 기업 예측상향식 이익 전망

    생산능력, 가동률, 공정 기술, 수율, 비트 출하량 및 평균판매가격으로부터 매출과 이익을 도출한다.

    보고서는 각 웨이퍼 팹의 램프업 일정, 공정 업그레이드 및 수율 손실을 바탕으로 유효 출하량을 전망한 뒤, DRAM 가격, 제품 믹스 및 영업 레버리지를 결합해 매출, 매출총이익률 및 EBIT 마진을 계산한다.

  • 밸류에이션 분석P/BV-ROE 상대 밸류에이션

    지속 가능한 ROE와 자기자본비용을 바탕으로 합리적인 P/BV를 산정하고 동종업체와 비교한다.

    목표주가는 2027년 P/BV 8.6배를 적용하며, 이는 2028–2030년 평균 ROE 약 37%와 자기자본비용 8.5%에 상응한다. 이 배수는 주요 국내 웨이퍼 파운드리 동종업체의 2027년 평균 P/BV 6.1배 대비 약 40% 프리미엄을 의미한다.

  • 리스크 분석시나리오 분석

    산업 성장률, DRAM ASP, 매출총이익률, R&D 비용 비율 및 밸류에이션 배수를 변경해 상승 및 하락 가능성을 평가한다.

    보고서는 Rmb166.10, Rmb70.00 및 Rmb4.00의 상승, 기준 및 하락 시나리오를 제시하며, 현 주가의 상승 대 하락 위험보상 비율을 약 2.4 대 1로 추정한다.

자산 매핑 및 비교

투자 논리에서 명시된 자산으로의 구조화 매핑(강점, 약점, 비교 대상, 위험).

  • CXMT (688825.SS)
    보고서는 이 종목을 직접 다루며, 이 종목은 글로벌 DRAM 업사이클과 중국 메모리 국내 대체의 핵심 수혜자이기도 하다.
    강점
    중국 최대이자 기술 선도 통합 DRAM 제조업체로서 R&D, 설계 및 제조 역량을 보유하고 있다. 공격적인 확장 계획과 확대되는 국내 고객 기반을 갖추고 있으며, 이미 HBM3/3E 양산을 진전시켰다.
    약점
    공정 노드는 글로벌 상위 3대 DRAM 공급업체보다 뒤처져 있으며 EUV 노광 장비를 확보할 수 없어 첨단 공정 전환, 수율 개선 및 장비 유지보수가 더 어렵다.
    비교
    회사는 2027년 P/BV 약 6.4배, ROE 약 83%에 거래될 것으로 예상된다. A주 웨이퍼 파운드리 동종업체의 평균 P/BV는 약 6배이나 ROE는 약 4%이며, 중국 메모리 관련 기업의 수익성도 상당히 낮다.
    위험
    예상보다 낮은 DRAM 가격, 기대에 미치지 못하는 생산능력 확장 또는 수율 램프업, 강화된 수출 통제, HBM 기술 및 고객 검증 지연, AI 자본지출 둔화.

핵심 데이터

  • 투자의견 및 목표주가매수; Rmb70.00기준 주가 Rmb51.96 대비 약 34.7%의 상승 여력.
  • 매출 전망2025년 Rmb61.8bn에서 2028년 약 Rmb860bn으로2025–2028년 약 141%의 CAGR에 해당하며, DRAM 가격 정상화로 2029년부터 감소할 것으로 예상된다.
  • 이익 전망2026–2028년 Rmb140bn, Rmb333bn 및 Rmb428bnWind 컨센서스 예상치보다 평균 약 19% 높으며, 2026–2028년 약 75%의 CAGR에 해당한다.
  • EBIT 마진2026–2028년 75%, 85% 및 85%주로 DRAM 가격 상승, 서버 제품 비중 확대 및 영업 레버리지 개선에 기인하며, 2029–2030년에는 74%와 68%로 하락할 것으로 예상된다.
  • 연말 DRAM 생산능력2025년 월 240,000장 웨이퍼에서 2028년 월 466,000장 웨이퍼로설계 생산능력은 2026–2028년에 각각 월 52,000장, 90,000장 및 85,000장 웨이퍼 증가할 것으로 예상된다.
  • DRAM 비트 출하량2025–2028년 CAGR 40%2028년 글로벌 산업 비트 공급의 약 10%를 차지할 것으로 예상되며, 2025년 약 7%에서 상승한 수치다.
  • 데이터센터 사업2025–2028년 매출 CAGR 208%2028년 전체 매출의 54%를 기여할 것으로 예상되며, 2025년 대비 28%p 상승한 수준이다.
  • 중국 서버 및 HBM 시장점유율2028년 약 20%2025년 약 12%에서 약 7%p 상승.
  • HBM 출하 비중2028년 2%, 2030년 7%회사는 HBM3/3E 양산을 추진 중이나, 기술, 수율 및 고객 검증 진전은 여전히 핵심 변수다.
  • 밸류에이션 기준2027년 P/BV 8.6배2028–2030년 평균 ROE 약 37%와 자기자본비용 8.5%를 기반으로 한다.

영향과 시사점

글로벌 DRAM 부족과 국내 대체가 예상대로 진행된다면, CXMT는 가격, 물량 및 제품 믹스의 세 가지 개선 효과를 누리며 A주에서 희소한 순수 고수익성 메모리 투자처가 될 수 있다. 서버 메모리 및 HBM 사업 확장은 AI 인프라 투자에 대한 회사의 민감도도 높일 것이다. 다만 높은 마진은 순환적 가격과 생산능력 실행에 크게 의존하며, 2029년 이후 공급 추격과 가격 정상화는 매출과 마진 하락으로 이어질 수 있다.

위험

  • DRAM은 명확한 경기순환 산업이다. 글로벌 공급이 예상보다 빠르게 회복되면 가격이 더 일찍 정점을 찍고 매출과 마진에 압력을 가할 수 있다.
  • EUV 노광 및 핵심 반도체 장비에 대한 미국의 수출 제한은 첨단 공정 전환을 저해하고 멀티 패터닝, 수율 및 장비 유지보수의 난도를 높일 수 있다.
  • 신규 웨이퍼 팹, 장비 설치, 엔지니어 충원 및 생산능력 램프업이 기대에 미치지 못해 출하량이 전망을 하회할 수 있다.
  • HBM3/3E 양산, 수율 개선 및 서버 고객 인증에는 실행 리스크가 있으며, 제품 믹스 고도화가 지연될 수 있다.
  • 높은 메모리 가격은 고객의 구매 여력을 약화시킬 수 있다. 하이퍼스케일 클라우드 서비스 제공업체가 자금조달 또는 영업현금흐름 압박에 직면할 경우 AI 및 서버 자본지출을 축소할 수 있다.
  • 고객 집중도 상승 또는 장기 조달 계약 이행이 기대에 미치지 못하면 데이터센터 사업 성장에 영향을 미칠 수 있다.
  • 보고서의 75%–85% EBIT 마진 전망은 과거 산업 수준보다 현저히 높으며 가격, 제품 믹스 및 영업 레버리지 가정에 비교적 민감하다.
  • 2029년 이후 DRAM 가격 정상화와 산업 공급 추격은 회사의 매출과 마진을 순환적 고점에서 하락시킬 수 있다.

주시할 점

  • 글로벌 DRAM 수급 격차와 부족 현상이 2028년 2분기까지 지속될 수 있는지 여부.
  • DDR 및 HBM 계약 가격, 장기 계약 커버리지 및 고객 조달 물량 변화.
  • 허페이, 베이징 및 상하이 웨이퍼 팹의 건설, 장비 반입, 생산 개시 및 수율 램프업 진척.
  • G4/G5 공정 전환, 웨이퍼당 비트 생산량 및 수출 통제가 생산 효율성에 미치는 영향.
  • HBM3/3E 양산, 국내 AI 가속기와의 적응 및 주요 클라우드 서비스 제공업체의 인증 진척.
  • ByteDance, Tencent 및 Alibaba 등 데이터센터 고객의 주문과 장기 조달 계약 이행.
  • 데이터센터 매출 비중이 2028년 54%까지 상승할 수 있는지, 중국 서버 및 HBM 시장점유율이 약 20%에 도달할 수 있는지 여부.
  • 2029년 이후 DRAM 가격 정상화 정도와 회사의 하방 국면 마진 방어 능력.

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