반도체(웨이퍼 제조 장비, AI 칩, DRAM 및 첨단 패키징): AI 및 현지화 수요가 중국의 반도체 공급망 격차 해소를 견인하며, 설비투자는 2030년 US$82bn에 이를 전망

개요

이 보고서는 Goldman Sachs의 중국 반도체 자립화 시리즈 네 번째 보고서이다. 공급망 전반의 제품 진전, 첨단 노드 수급, 설비투자, 글로벌 장비 공급업체에 대한 시사점, 중국 GPU 및 DRAM 시장 기회를 체계적으로 업데이트한다. 핵심 결론은 생성형 AI, 현지 조달 및 자립화 전략이 중국을 첨단 노드, 고급 메모리 및 첨단 패키징으로 이끌 것이나, 리소그래피, R&D 투자 및 글로벌 경쟁력은 여전히 핵심 격차라는 것이다.

핵심 견해

보고서는 먼저 중국 반도체 공급망이 “기존 역량 확장”에서 “고급 제품 및 부족한 카테고리의 격차 해소”로 전환하고 있다고 지적한다. 국내 장비 역량은 식각과 증착에서 고종횡비 식각 및 원자층 증착 등 고급 모델로 확대되었으며, 이온 주입, 검사 및 계측을 포함한 더 많은 카테고리를 포괄하고 있다. EDA 역시 아날로그 설계에서 디지털 설계, 배치·배선, 물리 검증 및 메모리 도구로 확장되었다. 제품 로드맵 측면에서 웨이퍼 제조는 7nm 이하로 진전하고 있으며, 수율 개선을 위해 칩렛과 첨단 패키징이 활용되고 있다. AI 칩 연산 성능 목표는 2023년 320 TFLOPS (FP16)에서 2028년 4분기 4 PFLOPS (FP8)로 상승하고 있다. 메모리는 2024년 LPDDR4(X)에서 2026년 4분기 LPDDR6, HBM3 및 HBM3E로 전환되고 있다. 이러한 고도화를 견인하는 세 가지 요인은 생성형 AI, “현지 생산·현지 공급” 전략, 그리고 지속적인 자립화 추구이다. AI 학습과 추론에는 첨단 노드, 첨단 패키징 및 고급 메모리가 필요하며, 칩당 자본집약도도 더 높다. 수요 측 증거로 Huawei Supernode에 연결되는 AI 칩 수는 2025년 384개에서 2026년 중반 1,024개, 2026년 4분기 8,192개, 2027년 4분기 15,488개로 증가할 전망이다. 글로벌 팹리스 기업들은 환율, 팬데믹 및 지정학적 영향 완화를 위해 현지 생산을 활용하고 있다. 동시에 선도 글로벌 생산능력에서 AI 제품이 차지하는 비중이 확대되면서 중국 공급업체가 범용 IC 및 메모리 수요를 충족할 기회가 창출되고 있다. 중국은 글로벌 반도체 수요의 약 30%를 차지하며, 국내 스마트폰, PC, TV 및 자동차 브랜드도 현지 생산 칩 채택을 뒷받침한다. 자립화 진전은 생산량과 가치 기준에서 차이가 있다. 중국의 IC 생산 자급률은 2010년 1월 38%에서 2026년 6월 70%로 상승했지만, 리소그래피 역량 부족으로 가치 기준 수급 격차는 여전히 크다. 국내 선도업체들은 R&D와 설비투자에서도 글로벌 선도업체들에 비해 상당히 뒤처져 있다. 따라서 보고서는 글로벌 선도업체를 따라잡고 해외 시장으로 추가 확장하기 위해 지속적인 자본 투자 확대가 필요하다고 본다. 7nm 이하 웨이퍼에 대해 Goldman Sachs는 8개 최종 시장의 장비 출하량, 첨단 노드 침투율 및 다이 면적을 각각 추정한다. 중국 수요는 2025—2035년 17% CAGR로 성장해 2035년 619k wpm에 이를 것으로 보며, AI 서버 수요는 같은 기간 42% CAGR로 증가할 전망이다. 공급 전망은 생산능력 확장 계획과 수율 개선에 기반한다. 첨단 웨이퍼 공급은 46% CAGR로 증가해 2035년 410k wpm에 이를 것으로 예상된다. 핵심 가정은 SMIC가 2026—2031년 연간 30—50k wpm, 2032—2035년 연간 20k wpm을 추가하고, 수율이 2026년 23%에서 2030년 50%, 2035년 75%로 상승하는 것이다. 이 시나리오에서 국내 수급 격차는 2025년 92%에서 2035년 34%로 축소되지만, 그때까지도 완전한 수급 균형에는 도달하지 못할 전망이다. 설비투자는 공급 확장을 직접 뒷받침한다. 2023—2024년 두 자릿수 성장 이후 중국의 반도체 설비투자는 2025년에 정체됐다. 보고서는 2026—2030년 전년 대비 성장률이 각각 13%, 15%, 15%, 10%, 10%를 기록하며 2030년 US$82bn에 이를 것으로 예상한다. Goldman Sachs는 이전 2025년 8월 전망 대비 2026—2030년 설비투자 추정치를 각각 15%, 32%, 51%, 64%, 79% 상향했다. 향후 수년간 파운드리와 메모리 기업이 중국 반도체 설비투자의 80%—85%를 기여할 전망이다. 8인치 환산 기준 중국의 8인치 및 12인치 생산능력은 2025년 약 6m wpm에서 2030년 14m wpm으로 증가할 전망이다. 증분 생산능력은 주로 첨단 노드와 고급 메모리에서 발생하며, 더 높은 평균판매가격의 정교한 제조 장비가 필요하다. WFE 지출은 2026—2028년 각각 13%, 20%, 15% 성장할 전망이며, 중국 WFE 매출은 2027년 20% 증가한 US$53bn에 이를 전망이다. 중국은 2022년 22%에서 상승해 2026—2028년 글로벌 WFE 지출의 29%—31%를 차지할 전망이다. 중국 국내 장비 공급업체 매출은 2025년 US$10.2bn에서 2026년 US$13.5bn, 2027년 US$17.8bn, 2028년 US$22.9bn으로 증가할 것으로 예상되며, 국내 시장 내 가치 기준 점유율은 2025년 26%에서 2026—2028년 31%, 34%, 38%로 상승한다. 그럼에도 선도 기술과 지식재산권으로 인해 해외 공급업체는 핵심 참여자로 남을 것이다. 이에 따라 생산능력 확장은 국내외 장비 공급망 모두에 혜택을 줄 전망이다. 글로벌 장비 공급업체에 대한 시사점은 완전히 동일하지 않다. 미국 공급업체는 2025년 하반기부터 판매에 영향을 미치기 시작한 추가 수출 통제와 중국 고객의 국내 장비 중시 확대로 중국 WFE 시장에서 강력하지만 점진적으로 하락하는 점유율을 유지할 전망이다. 그러나 중국 설비투자가 계속 성장한다는 가정하에 Goldman Sachs는 중국향 장기 출하가 회사 가이던스에서 제시된 매출 비중 20%대 중반의 상단을 유지할 것으로 본다. Goldman Sachs는 글로벌 WFE가 2026년과 2027년에 각각 36%, 45% 성장할 것으로도 예상한다. GAA 로직 구조, 적층 DRAM/NAND 및 첨단 패키징은 식각 및 증착 장비의 더 빠른 성장을 견인할 전망이다. 이에 따라 미국 커버리지 내에서 AMAT, LRCX, ONTO를 상대적으로 선호하며, 모두 매수 의견이다. 일본 전공정 장비 기업 Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai, Ebara 4곳은 FY2025 중국에서 ¥1.21tn의 매출을 기록했으며, 이는 SPE 매출의 35%로 FY2024의 ¥1.44tn 및 41%에서 하락했다. 보고서는 잠재적 수출 제한에 대비한 선구매와 중국 국내 장비와의 경쟁 심화를 하락 원인으로 제시한다. 투자가 첨단 노드로 이동하고 팹들이 수율 보장을 위해 해외 장비를 필요로 함에 따라 Goldman Sachs는 4개사 모두의 중국 매출이 FY2026—FY2028년 성장할 것으로 예상한다. 그러나 비중국 사업이 더 빠르게 성장하기 때문에 중국 매출 비중은 완만하게 하락할 것이다. 후공정 장비 기업 Disco, Advantest, Tokyo Seimitsu의 중국 매출은 장기적으로 꾸준히 증가해 왔다. 주요 신규 수출 통제가 없다면 중국 AI 생태계 발전과 조립·테스트 투자가 계속 수요를 뒷받침할 것이다. 유럽 장비 기업 중 Goldman Sachs는 ASML, ASMI, BESI에 대한 매수 의견을 유지한다. 중국은 2026년 ASML 그룹 매출의 약 20%를 기여할 것으로 예상되며, 이는 과거 15%—20% 범위의 상단에 가깝다. 신규 팹, 메모리 수요 및 EUV 생산능력 확장이 지지 요인이다. 12개월 목표주가는 2HCY27 및 1HCY28의 예상 P/E 32x를 기준으로 한 €2,200이다. ASMI는 중국 성숙 노드 로직 및 파운드리 고객의 증착 장비 수요 혜택을 받는다. 2026년 상반기 중국 주문은 강했으며, 관련 매출은 매출총이익률을 개선할 수 있다. 목표주가는 2HCY27 및 1HCY28의 예상 EV/EBITDA 20x를 기준으로 한 €955이다. BESI는 2.5D CoWoS, 포토닉스 및 플러거블 제품 관련 첨단 패키징 생산능력 확장과 고급 스마트폰 모듈 회복의 수혜를 받는다. 목표주가는 동일 기간 예상 EV/EBITDA 29x를 기준으로 한 €325이다. 보고서는 강세, 기본 및 약세 시나리오에서 중국의 AI 칩 시장을 추정한다. TAM은 2025—2030년 각각 142%, 69%, 6%의 CAGR로 성장해 2030년 US$4,123bn, US$678bn, US$66bn에 이를 전망이다. 이에 상응하는 출하량은 237m, 39m, 4m 칩이며, IT 전력 수요는 각각 196GW, 32GW, 3GW이다. 기본 AI 칩 시나리오에서 중국의 DRAM TAM은 2026—2028년 50% CAGR로 성장해 US$257bn에 이르고, HBM은 188% CAGR로 US$32bn에 이를 전망이다. 이는 AI가 연산 칩 수요를 확대할 뿐 아니라 고대역폭 메모리 수요도 크게 증가시킴을 보여준다. CXMT에 대해 Goldman Sachs는 매수 의견과 12개월 목표주가 Rmb129로 커버리지를 개시하며, 이는 2027E P/E 24x에 해당한다. 보고서는 2027—2028년 평균 EPS 성장률을 77%로 예상한다. CXMT의 생산능력은 2026년부터 두 배 이상 증가해 2030년 665k wpm에 이를 것으로 예상된다. 범용 DRAM 공급은 2028년까지 각각 Samsung 및 SK Hynix 공급의 41%, 50%에 도달해 2025년 28%, 35%에서 상승하고, 중국 DRAM 수요의 50%를 충족할 전망이다. 보고서는 AI 지출, 고객 공급망 다변화, 생산능력 확장 및 HBM으로의 업그레이드에 힘입어 CXMT의 희석 EPS가 2026년 Rmb2.5에서 2027년 Rmb5.4, 2028년 Rmb7.1, 2030년 Rmb11.1로 상승할 것으로 전망한다. 해외 고객 기회는 주로 스마트폰용 모바일 DRAM 및 스마트폰·PC용 범용 DRAM에 집중되어 있다. 글로벌 제조업체들이 생산능력을 HBM으로 전환함에 따라 범용 DRAM의 높은 가격과 제한된 공급은 OEM 이익을 압박하고 최종 수요를 억제하고 있으며, 일부 미국 고객이 CXMT 제품을 인증하도록 유도할 가능성이 있다. 그러나 CXMT의 공정 기술은 글로벌 메모리 경쟁사보다 여러 세대 뒤처져 있으며 HBM 기술도 아직 초기 성숙 단계에 있다. Goldman Sachs는 단기에서 중기적으로 CXMT의 HBM이 미국 고객사에 진입할 것으로 보지 않는다. 대규모 출하는 반도체, GPU, 장비 및 EDA 관련 미중 정책에도 좌우될 것이다. 공격적인 생산능력 확장은 2028년 글로벌 DRAM 수급을 평가하는 투자자에게도 중요한 변수가 될 것이다. 그럼에도 Goldman Sachs의 기본 시나리오는 2027년보다 완화되지만 2028년에도 공급이 타이트할 것으로 예상한다.

분석 프레임워크

보고서는 먼저 중국 반도체 산업 각 부문의 제품 및 장비 커버리지 지도를 업데이트한 뒤 AI 수요, 현지 조달 및 자립화 전략을 통한 생산능력 확장 동인을 설명한다. 이후 최종 시장 출하량, 첨단 노드 침투율 및 다이 면적에 기초해 수요를 추정하고, 생산능력 계획과 수율 램프업 가정을 사용해 공급을 추정한다. 이어 강세, 기본 및 약세 시나리오를 적용해 GPU 및 DRAM 시장 기회를 추정하고, 이를 상향식 장비 공급업체 매출 전망과 결합해 글로벌 공급망에 대한 시사점을 분석하며, 마지막으로 생산능력, 제품 믹스, 이익 전망 및 밸류에이션 배수에 기초해 CXMT의 투자 의견과 목표주가를 산출한다.

방법론 메모

• 산업/섹터 분석 프레임워크수급 프레임워크

  7nm 이하 웨이퍼 수급 모델

  수요 측에서는 8개 최종 시장의 장비 출하량, 첨단 노드 침투율 및 다이 면적을 사용해 웨이퍼 수요를 추정한다. 공급 측에서는 생산능력 확장 계획과 수율 램프업에 기초해 유효 생산량을 추정하고, 이를 통해 수급 격차 축소 경로를 계산한다.

• (어휘집 외 방법론)기타

  TAM 시나리오 분석

  보고서는 서로 다른 AI 칩 성장 경로를 사용한 강세, 기본 및 약세 시나리오를 설정하여 2030년 시장 규모, 칩 출하량 및 IT 전력 수요를 산출하고, 기본 시나리오를 사용해 DRAM 및 HBM 수요를 추가 추정한다.

• 밸류에이션 방법PE/PEG 밸류에이션

  선행 P/E 밸류에이션

  CXMT의 Rmb129 목표주가는 2027E P/E 24x에 해당하며, ASML의 목표주가는 2HCY27 및 1HCY28의 예상 P/E 32x에 기반한다.

• 밸류에이션 방법EV/EBITDA 밸류에이션

  기업가치 배수 밸류에이션

  ASMI와 BESI의 목표주가는 각각 2HCY27 및 1HCY28의 예상 EV/EBITDA 20x와 29x를 사용하며, 영업이익 창출력 대비 기업가치를 평가한다.

자산 매핑 및 비교

투자 논리에서 명시된 자산으로의 구조화 매핑(강점, 약점, 비교 대상, 위험).

• CXMT (688825.SS)

  중국의 선도 DRAM 기업이자 보고서에서 새롭게 커버리지를 개시한 핵심 기업으로, AI 수요, 고객 공급망 다변화, 생산능력 확장 및 HBM 업그레이드의 수혜를 받는다.

  강점

  생산능력은 2030년 665k wpm에 이를 전망이며, 2028년 중국 DRAM 수요의 50%를 충족하고 범용 DRAM 공급은 각각 Samsung 및 SK Hynix 공급의 41%, 50%에 이를 것으로 예상된다.

  약점

  공정 기술은 글로벌 메모리 경쟁사보다 여러 세대 뒤처져 있고, HBM은 기술 성숙 초기 단계에 있다.

  비교

  Samsung 및 SK Hynix 대비 범용 DRAM 공급은 2025년 각각 28%, 35%에서 2028년 41%, 50%로 상승할 전망이다.

  위험

  미중 무역 및 기술 제한은 대규모 해외 출하에 영향을 줄 수 있으며, 공격적인 생산능력 확장은 2028년 글로벌 DRAM 수급도 변화시킬 수 있다.

• 중국 국내 WFE 공급업체(전체)

  중국 팹 확장, 현지 조달 및 장비 카테고리의 고급 식각, 증착, 이온 주입, 검사 및 계측으로의 확장 수혜자.

  강점

  국내 WFE 시장의 가치 기준 점유율은 2025년 26%에서 2028년 38%로 상승하고, 매출은 US$10.2bn에서 US$22.9bn으로 증가할 전망이다.

  약점

  첨단 기술과 지식재산권에서 글로벌 장비 선도업체에 계속 뒤처져 있다.

  비교

  국내 점유율은 상승하고 있으나 글로벌 장비 기업은 중국 시장의 핵심 공급업체로 남는다.

• AMAT, LRCX, ONTO

  글로벌 WFE 성장과 식각, 증착 및 첨단 패키징 수요의 수혜를 받는 Goldman Sachs의 미국 장비 커버리지 내 상대적 선호 매수 종목.

  강점

  글로벌 WFE는 2026년과 2027년에 각각 36%, 45% 성장할 전망이며, GAA, 적층 메모리 및 첨단 패키징이 관련 장비 수요를 뒷받침한다.

  약점

  중국 시장 점유율은 장기적으로 강세를 유지하겠지만 점진적으로 하락할 전망이다.

  비교

  Goldman Sachs는 커버리지 내 다른 미국 장비 종목 대비 이 세 기업을 명시적으로 선호한다고 밝혔다.

  위험

  추가 미국 수출 통제와 중국 고객의 국내 장비 구매 증가는 중국 시장 점유율을 낮출 수 있다.

• 일본 전공정 및 후공정 장비 기업

  중국은 Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai, Ebara, Disco, Advantest 및 Tokyo Seimitsu의 중요한 수요 시장으로 남는다.

  강점

  첨단 노드의 수율 요건은 고급 해외 장비 주문을 뒷받침하며, 후공정 장비도 중국 AI 생태계와 조립·테스트 투자의 수혜를 받는다.

  약점

  4개 전공정 기업의 중국 매출은 FY2025 ¥1.21tn으로 하락했으며, SPE 매출의 35%로 FY2024의 ¥1.44tn 및 41%에서 낮아졌다.

  비교

  절대 중국 매출은 FY2026—FY2028년에 증가할 전망이나, 비중국 매출이 더 빠르게 성장하면서 총매출에서 차지하는 비중은 완만하게 하락할 것이다.

  위험

  향후 주요 수출 통제는 중국의 장비 수요에 영향을 줄 수 있다.

• ASML (ASML.AS)

  중국 신규 팹 건설과 국내 리소그래피 수요의 수혜를 받으며, 매수 의견이 유지된다.

  강점

  중국은 2026년 그룹 매출의 약 20%를 기여할 것으로 예상되며, EUV 생산능력 및 장비 성능 개선이 장기 성장을 뒷받침한다.

  약점

  중국 고객은 최근 수년간 인도된 리소그래피 생산능력을 아직 소화해야 한다.

  비교

  중국은 2026년 매출의 약 20%를 차지할 전망으로, 과거 15%—20% 범위의 상단이다.

  위험

  EUV 지연, 설비투자 사이클 변동 및 불리한 시장 점유율 변화.

• ASMI (ASMI.AS)

  중국 성숙 노드 로직 및 파운드리 고객의 증착 장비 수요 수혜를 받으며, 매수 의견이 유지된다.

  강점

  2026년 상반기 중국 주문은 강했으며 중국 매출은 매출총이익률 개선에 기여한다.

  약점

  2027년 수요 가시성은 여전히 고객 행동과 규제 환경에 달려 있다.

  위험

  반도체 사이클 악화, 예상보다 강한 경쟁 및 높은 고객 집중도.

• BESI (BESI.AS)

  2.5D CoWoS, 포토닉스 및 플러거블 제품이 주도하는 첨단 패키징 생산능력 확장의 수혜를 받으며, 매수 의견이 유지된다.

  강점

  고급 스마트폰 모듈 회복과 산업 및 자동차 수요 회복의 초기 신호도 이를 뒷받침한다.

  약점

  범용 패키징 사업은 여전히 산업, 자동차 및 최종 시장 수요 회복에 의존한다.

  위험

  고객 지출의 경기순환성, 하이브리드 본딩 채택 지연 및 경쟁 심화.

핵심 데이터

• 중국 IC 생산 자급률70%2026년 6월; 2010년 1월에는 38%였으나, 가치 기준 격차는 여전히 크다.
• 중국 반도체 설비투자US$82bn2030E; 2026—2030E 전년 대비 성장률은 각각 13%, 15%, 15%, 10%, 10%로 예상된다.
• 설비투자 전망 상향15%/32%/51%/64%/79%2025년 8월 전망 대비이며, 순서대로 2026—2030E에 해당한다.
• 중국의 8인치 및 12인치 생산능력6m wpm에서 14m wpm으로 상승2025년에서 2030E까지, 주로 첨단 노드 및 고급 메모리 생산능력 확장에 의해 견인된다.
• 7nm 이하 웨이퍼 수요619k wpm2035E; 2025—2035E 17% CAGR.
• 7nm 이하 웨이퍼 공급410k wpm2035E; 2025—2035E 46% CAGR.
• 첨단 노드 수급 격차34%2035E, 2025년 92%에서 크게 축소.
• 중국 WFE 시장US$53bn2027E, 전년 대비 20% 증가; 2026—2028E 글로벌 WFE 지출의 29%—31%를 차지할 전망.
• 중국 국내 WFE 공급업체 점유율26%에서 38%로 상승가치 기준, 2025년에서 2028E까지.
• 2030년 중국 AI 칩 TAMUS$4,123bn/US$678bn/US$66bn각각 강세, 기본 및 약세 시나리오에 해당.
• 2030년 중국 AI 칩 출하량237m/39m/4m각각 강세, 기본 및 약세 시나리오에 해당; IT 전력 수요는 각각 196GW, 32GW, 3GW.
• 중국 DRAM 및 HBM TAMUS$257bn/US$32bn2028E; 2026—2028E DRAM 및 HBM CAGR은 각각 50%, 188%.
• CXMT 생산능력665k wpm2030E, 2026E 수준의 두 배 이상.
• CXMT 희석 EPSRmb2.5/Rmb5.4/Rmb7.1각각 2026E, 2027E, 2028E에 해당.
• CXMT 목표주가 및 밸류에이션Rmb129; 24x 2027E P/E12개월 목표주가, 매수 의견으로 커버리지 개시.

영향과 시사점

보고서는 중국 반도체 설비투자의 초점이 성숙 노드 확장에서 첨단 노드, 메모리 및 첨단 패키징으로 이동하고 있다고 본다. 국내 장비 공급업체는 카테고리 확장과 현지 조달을 통해 점유율을 확보하는 반면, 해외 장비 공급업체는 고급 기술을 통해 시장 성장에 계속 참여할 수 있다. AI 수요는 GPU, DRAM 및 HBM 시장을 동시에 확대하고 CXMT의 생산능력 확장과 제품 업그레이드를 지원한다. 그러나 리소그래피, R&D 투자, 수율 및 무역 제한이 자립화 격차 축소 속도를 결정할 것이다.

위험

• GPU, 반도체 장비, EDA 소프트웨어 및 메모리에 대한 새로운 미중 수입·수출 제한은 CXMT와 글로벌 장비 공급업체의 판매에 영향을 줄 수 있다.
• CXMT의 공정 기술은 글로벌 경쟁사보다 여러 세대 뒤처져 있고 HBM 기술의 성숙도도 상대적으로 낮아, 단기에서 중기적으로 미국 HBM 고객사 진입 능력을 제한한다.
• CXMT의 공격적인 생산능력 확장은 2028년 글로벌 DRAM 수급 균형을 바꿀 수 있다.
• ASML은 EUV 지연, 설비투자 사이클 변동 및 불리한 시장 점유율 변화 위험에 직면한다.
• ASMI는 반도체 사이클 악화, 예상보다 강한 경쟁 및 높은 고객 집중도 위험에 직면한다.
• BESI는 고객 지출의 경기순환성, 하이브리드 본딩 채택 지연 및 경쟁 심화 위험에 직면한다.

주시할 점

• 반도체, 메모리, 장비 및 EDA에 대한 추가 제한이 부과될지를 평가하기 위해 향후 미중 정치 정상회담 및 기타 무역 논의를 모니터링할 것.