Semiconductores (equipos de fabricación de obleas, chips de IA, DRAM y encapsulado avanzado): La Demanda de IA y Localización Impulsa a China a Cubrir las Brechas de la Cadena de Suministro de Semiconductores, con Capex Previsto de US$82bn para 2030

Visión general

Este informe es la cuarta entrega de la serie de Goldman Sachs sobre la autosuficiencia de China en semiconductores. Actualiza sistemáticamente el progreso de productos en toda la cadena de suministro, la oferta y demanda de nodos avanzados, el gasto de capital, las implicaciones para proveedores globales de equipos y las oportunidades de mercado para GPU y DRAM en China. La conclusión central es que la IA generativa, las compras localizadas y la estrategia de autosuficiencia impulsarán a China hacia nodos avanzados, memoria de alta gama y encapsulado avanzado, aunque la litografía, la inversión en I+D y la competitividad global siguen siendo brechas clave.

Perspectivas principales

El informe señala primero que la cadena de suministro de semiconductores de China está pasando de “ampliar las capacidades existentes” a “cubrir las brechas en productos de alta gama y categorías ausentes”. Las capacidades nacionales de equipos se han expandido desde el grabado y la deposición hacia modelos de alta gama como el grabado de alta relación de aspecto y la deposición de capa atómica, al tiempo que cubren más categorías, incluidas implantación iónica, inspección y metrología. EDA también se ha expandido desde el diseño analógico hacia el diseño digital, colocación y enrutamiento, verificación física y herramientas de memoria. En cuanto a las hojas de ruta de productos, la fabricación de obleas avanza hacia 7nm e inferiores, mientras que los chiplets y el encapsulado avanzado se utilizan para mejorar los rendimientos. Los objetivos de rendimiento computacional de chips de IA aumentan de 320 TFLOPS (FP16) en 2023 a 4 PFLOPS (FP8) en el cuarto trimestre de 2028. La memoria está migrando desde LPDDR4(X) en 2024 hacia LPDDR6, HBM3 y HBM3E en el cuarto trimestre de 2026. Las tres fuerzas que impulsan estas mejoras son la IA generativa, la estrategia de suministro “local para local” y la búsqueda continuada de autosuficiencia. El entrenamiento y la inferencia de IA requieren nodos avanzados, encapsulado avanzado y memoria de alta gama, y además conllevan una mayor intensidad de capital por chip. Como evidencia del lado de la demanda, se espera que el número de chips de IA conectados por Huawei Supernode aumente de 384 en 2025 a 1,024 a mediados de 2026, 8,192 en el cuarto trimestre de 2026 y 15,488 en el cuarto trimestre de 2027. Las empresas globales sin fábricas utilizan producción local para reducir el impacto de los tipos de cambio, las pandemias y la geopolítica. Al mismo tiempo, una mayor proporción de la capacidad global líder está siendo ocupada por productos de IA, creando oportunidades para que los proveedores chinos satisfagan la demanda de CI y memoria convencionales. China representa aproximadamente el 30% de la demanda global de semiconductores, mientras que las marcas nacionales de teléfonos inteligentes, PC, televisores y automóviles respaldan aún más la adopción de chips producidos localmente. El avance hacia la autosuficiencia difiere entre volumen de producción y valor. La tasa de autosuficiencia de producción de CI de China ha aumentado del 38% en enero de 2010 al 70% en junio de 2026, pero la brecha de oferta y demanda basada en valor sigue siendo significativa debido a capacidades insuficientes de litografía. Los líderes nacionales también siguen rezagados materialmente frente a los líderes globales en I+D y gasto de capital. Por tanto, el informe considera que seguirán siendo necesarios aumentos sostenidos de la inversión de capital para alcanzar a los líderes globales y expandirse aún más en mercados extranjeros. Para obleas de 7nm e inferiores, Goldman Sachs estima por separado los envíos de equipos, la penetración de nodos avanzados y el área de chip en ocho mercados finales. Espera que la demanda china crezca a una CAGR del 17% durante 2025—2035, alcanzando 619k wpm en 2035, y que la demanda de servidores de IA crezca a una CAGR del 42% en el mismo período. La previsión de oferta se basa en planes de expansión de capacidad y mejoras de rendimiento: se espera que la oferta de obleas avanzadas crezca a una CAGR del 46%, alcanzando 410k wpm en 2035. Los supuestos clave incluyen que SMIC añada 30—50k wpm anualmente durante 2026—2031 y 20k wpm anualmente durante 2032—2035, mientras que los rendimientos aumentan del 23% en 2026 al 50% en 2030 y al 75% en 2035. Bajo este escenario, la brecha nacional entre oferta y demanda se reducirá del 92% en 2025 al 34% en 2035, aunque para entonces todavía no se habrá alcanzado un equilibrio completo entre oferta y demanda. El gasto de capital respalda directamente la expansión de la oferta. Tras un crecimiento de dos dígitos en 2023—2024, el capex de semiconductores de China se mantuvo estable en 2025. El informe espera crecimiento interanual del 13%, 15%, 15%, 10% y 10% durante 2026—2030, alcanzando US$82bn en 2030. En comparación con sus previsiones anteriores de agosto de 2025, Goldman Sachs elevó sus estimaciones de capex para 2026—2030 en 15%, 32%, 51%, 64% y 79%, respectivamente. Se espera que las empresas de fundición y memoria aporten el 80%—85% del capex de semiconductores de China en los próximos años. Sobre una base equivalente a 8 pulgadas, se espera que la capacidad china de 8 y 12 pulgadas aumente de aproximadamente 6m wpm en 2025 a 14m wpm en 2030. La capacidad incremental provendrá principalmente de nodos avanzados y memoria de alta gama, que requieren equipos de fabricación más sofisticados con precios medios de venta más elevados. Se espera que el gasto WFE crezca un 13%, 20% y 15% en 2026—2028, respectivamente, y que los ingresos WFE de China aumenten un 20% hasta US$53bn en 2027. Se espera que China represente el 29%—31% del gasto global en WFE durante 2026—2028, frente al 22% en 2022. Se espera que los ingresos de los proveedores nacionales chinos de equipos aumenten de US$10.2bn en 2025 a US$13.5bn en 2026, US$17.8bn en 2027 y US$22.9bn en 2028, mientras que su participación en valor del mercado nacional aumenta del 26% en 2025 al 31%, 34% y 38% en 2026—2028. No obstante, los proveedores extranjeros seguirán siendo participantes clave debido a sus tecnologías líderes y propiedad intelectual. Por tanto, la expansión de capacidad beneficiará tanto a las cadenas de suministro de equipos nacionales como globales. Las implicaciones para los proveedores globales de equipos no son completamente uniformes. Se espera que los proveedores estadounidenses mantengan una participación fuerte pero gradualmente decreciente del mercado WFE de China, debido a controles incrementales a la exportación que comenzaron a afectar las ventas en la segunda mitad de 2025 y al mayor énfasis de los clientes chinos en equipos nacionales. Sin embargo, suponiendo un crecimiento continuado del capex de China, Goldman Sachs espera que los envíos a largo plazo a China permanezcan en el extremo alto del rango medio de 20% de ingresos indicado en las guías de las empresas. Goldman Sachs también espera que el WFE global crezca un 36% y 45% en 2026 y 2027, respectivamente. Las estructuras lógicas GAA, DRAM/NAND apiladas y el encapsulado avanzado deberían impulsar un crecimiento más rápido de los equipos de grabado y deposición. Dentro de su cobertura estadounidense, por tanto, prefiere relativamente a AMAT, LRCX y ONTO, todos con calificación de Compra. Las cuatro empresas japonesas de equipos front-end Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai y Ebara generaron ¥1.21tn de ingresos de China en FY2025, representando el 35% de sus ingresos SPE, frente a ¥1.44tn y 41% en FY2024. El informe atribuye la caída a compras anticipadas realizadas previamente ante posibles restricciones a la exportación y a una competencia más fuerte de equipos nacionales chinos. A medida que la inversión se desplaza hacia nodos avanzados y las fábricas requieren equipos extranjeros para asegurar los rendimientos, Goldman Sachs espera que los ingresos de China de las cuatro empresas crezcan durante FY2026—FY2028. Sin embargo, dado que las operaciones fuera de China crecerán más rápido, la participación de los ingresos procedentes de China disminuirá moderadamente. Los ingresos de China para las empresas de equipos back-end Disco, Advantest y Tokyo Seimitsu han aumentado de manera sostenida a largo plazo. En ausencia de nuevos controles importantes a la exportación, el desarrollo del ecosistema de IA de China y la inversión en ensamblaje y pruebas continuarán respaldando la demanda. Entre las empresas europeas de equipos, Goldman Sachs mantiene calificaciones de Compra para ASML, ASMI y BESI. Se espera que China contribuya aproximadamente el 20% de los ingresos del grupo ASML en 2026, cerca del extremo superior de su rango histórico de 15%—20%. Las nuevas fábricas, la demanda de memoria y la expansión de capacidad EUV brindan apoyo. El precio objetivo a 12 meses es €2,200, basado en 32x P/E esperado para 2HCY27 más 1HCY28. ASMI se beneficia de la demanda de equipos de deposición de clientes chinos de lógica y fundición de nodos maduros. Los pedidos de China fueron sólidos en la primera mitad de 2026, y las ventas relacionadas pueden mejorar el margen bruto. Su precio objetivo es €955, basado en 20x EV/EBITDA esperado para 2HCY27 más 1HCY28. BESI se beneficia de la expansión de capacidad de encapsulado avanzado relacionada con CoWoS 2.5D, fotónica y productos enchufables, así como de una recuperación en módulos de teléfonos inteligentes de alta gama. Su precio objetivo es €325, basado en 29x EV/EBITDA esperado para el mismo período. El informe estima el mercado de chips de IA de China bajo escenarios alcista, base y bajista. Se espera que el TAM crezca a CAGRs de 142%, 69% y 6%, respectivamente, durante 2025—2030, alcanzando US$4,123bn, US$678bn y US$66bn en 2030. Los envíos correspondientes son 237m, 39m y 4m chips, mientras que la demanda de energía de TI es 196GW, 32GW y 3GW, respectivamente. Bajo el escenario base de chips de IA, se espera que el TAM de DRAM de China crezca a una CAGR del 50% durante 2026—2028 hasta US$257bn, mientras que HBM crece a una CAGR del 188% hasta US$32bn. Esto muestra que la IA no solo expande la demanda de chips de computación, sino que también incrementa significativamente la demanda de memoria de alto ancho de banda. Para CXMT, Goldman Sachs inicia cobertura con una calificación de Compra y un precio objetivo a 12 meses de Rmb129, equivalente a 24x P/E 2027E. El informe espera un crecimiento medio del EPS del 77% durante 2027—2028. Se espera que la capacidad de CXMT se más que duplique desde 2026, alcanzando 665k wpm para 2030. Se espera que su oferta de DRAM convencional alcance el 41% y 50% de la oferta de Samsung y SK Hynix, respectivamente, para 2028, frente al 28% y 35% en 2025, mientras cubre el 50% de la demanda de DRAM de China. El informe prevé que el EPS diluido de CXMT aumente de Rmb2.5 en 2026 a Rmb5.4 en 2027, Rmb7.1 en 2028 y Rmb11.1 en 2030, impulsado por el gasto en IA, la diversificación de suministro de clientes, la expansión de capacidad y las mejoras hacia HBM. Las oportunidades con clientes extranjeros se concentran principalmente en DRAM móvil y DRAM convencional para teléfonos inteligentes y PC. A medida que los fabricantes globales desplazan capacidad hacia HBM, los altos precios y la oferta limitada de DRAM convencional están comprimiendo los beneficios de los OEM y restringiendo la demanda final, lo que potencialmente podría llevar a algunos clientes estadounidenses a homologar productos de CXMT. Sin embargo, la tecnología de proceso de CXMT sigue varias generaciones por detrás de sus pares globales de memoria, y su tecnología HBM aún se encuentra en una etapa temprana de madurez. Goldman Sachs no espera que su HBM entre en clientes estadounidenses a corto o medio plazo. Los envíos a gran escala también dependerán de las políticas entre China y Estados Unidos relacionadas con semiconductores, GPU, equipos y EDA. La agresiva expansión de capacidad también se convertirá en una variable importante para los inversores que evalúen la oferta y demanda global de DRAM en 2028. No obstante, el escenario base de Goldman Sachs aún proyecta una oferta ajustada ese año, aunque menos ajustada que en 2027.

Marco de análisis

El informe actualiza primero el mapa de cobertura de productos y equipos para cada segmento de la industria de semiconductores de China, y luego explica los impulsores de la expansión de capacidad mediante la demanda de IA, las compras localizadas y la estrategia de autosuficiencia. Posteriormente estima la demanda según los envíos de mercados finales, la penetración de nodos avanzados y el área de chip, al tiempo que estima la oferta utilizando planes de capacidad y supuestos de aumento de rendimientos. Después aplica escenarios alcista, base y bajista para estimar las oportunidades de mercado de GPU y DRAM, los combina con previsiones ascendentes de ingresos de proveedores de equipos para analizar las implicaciones para la cadena de suministro global y, finalmente, deriva su calificación y precio objetivo para CXMT basándose en capacidad, mezcla de productos, previsiones de beneficios y múltiplos de valoración.

Notas metodológicas

• Marco de Análisis de Industria/SectorMarco de Oferta-Demanda

  Modelo de oferta y demanda para obleas de 7nm e inferiores

  Por el lado de la demanda, se estima la demanda de obleas utilizando los envíos de equipos, la penetración de nodos avanzados y el área de chip en ocho mercados finales. Por el lado de la oferta, la producción efectiva se estima según los planes de expansión de capacidad y el aumento de los rendimientos, lo que posteriormente se utiliza para calcular la trayectoria de reducción de la brecha entre oferta y demanda.

• (Metodología fuera de vocabulario)Otro

  Análisis de escenarios de TAM

  El informe establece escenarios alcista, base y bajista, utilizando distintas trayectorias de crecimiento de chips de IA para derivar el tamaño de mercado, los envíos de chips y la demanda de energía de TI en 2030, y luego utiliza el escenario base para estimar adicionalmente la demanda de DRAM y HBM.

• Método de ValoraciónValoración PE/PEG

  Valoración por P/E futuro

  El precio objetivo de Rmb129 de CXMT equivale a 24x P/E 2027E; el precio objetivo de ASML se basa en 32x P/E esperado para 2HCY27 más 1HCY28.

• Método de ValoraciónValoración EV/EBITDA

  Valoración por múltiplo de valor empresarial

  Los precios objetivo de ASMI y BESI utilizan 20x y 29x EV/EBITDA esperado para 2HCY27 más 1HCY28, respectivamente, valorando el valor empresarial en relación con la capacidad de beneficios operativos.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• CXMT (688825.SS)

  Una empresa china líder de DRAM y la compañía central cubierta recientemente en el informe, que se beneficia de la demanda de IA, la diversificación de suministro de clientes, la expansión de capacidad y las mejoras hacia HBM.

  Fortalezas

  Se espera que la capacidad alcance 665k wpm en 2030; en 2028, se espera que cubra el 50% de la demanda de DRAM de China, mientras que la oferta de DRAM convencional alcance el 41% y 50% de la oferta de Samsung y SK Hynix, respectivamente.

  Debilidades

  Su tecnología de proceso está varias generaciones por detrás de sus pares globales de memoria, y HBM sigue en una etapa temprana de madurez tecnológica.

  Comparación

  Se espera que la oferta de DRAM convencional en relación con Samsung y SK Hynix aumente del 28% y 35% en 2025 al 41% y 50% en 2028.

  Riesgos

  Las restricciones comerciales y tecnológicas entre China y Estados Unidos podrían afectar los envíos extranjeros a gran escala, mientras que la agresiva expansión de capacidad también podría alterar la oferta y demanda global de DRAM en 2028.

• Proveedores nacionales chinos de WFE (conjunto)

  Beneficiarios de la expansión de fábricas chinas, las compras localizadas y la extensión de categorías de equipos hacia grabado, deposición, implantación iónica, inspección y metrología de alta gama.

  Fortalezas

  Se espera que su participación en valor del mercado WFE nacional aumente del 26% en 2025 al 38% en 2028, mientras que los ingresos aumentan de US$10.2bn a US$22.9bn.

  Debilidades

  Siguen rezagados frente a los líderes globales de equipos en tecnologías avanzadas y propiedad intelectual.

  Comparación

  La participación nacional está aumentando, pero las empresas globales de equipos siguen siendo proveedores clave para el mercado chino.

• AMAT, LRCX, ONTO

  Nombres relativamente preferidos por Goldman Sachs con calificación de Compra dentro de su cobertura estadounidense de equipos, que se benefician del crecimiento global de WFE y de la demanda de grabado, deposición y encapsulado avanzado.

  Fortalezas

  Se espera que el WFE global crezca un 36% y 45% en 2026 y 2027, mientras que GAA, memoria apilada y encapsulado avanzado respaldan la demanda de equipos relevantes.

  Debilidades

  Se espera que sus participaciones del mercado chino se mantengan fuertes a largo plazo, pero disminuyan gradualmente.

  Comparación

  En relación con otros nombres estadounidenses de equipos bajo cobertura, Goldman Sachs declara explícitamente una preferencia por estas tres empresas.

  Riesgos

  Los controles incrementales estadounidenses a la exportación y el aumento de compras de equipos nacionales por clientes chinos podrían reducir sus participaciones del mercado chino.

• Empresas japonesas de equipos front-end y back-end

  China sigue siendo un importante mercado de demanda para Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai, Ebara, Disco, Advantest y Tokyo Seimitsu.

  Fortalezas

  Los requisitos de rendimiento de los nodos avanzados respaldan pedidos de equipos extranjeros de alta gama, mientras que los equipos back-end también se benefician del ecosistema de IA de China y de la inversión en ensamblaje y pruebas.

  Debilidades

  Los ingresos de China de las cuatro empresas front-end cayeron a ¥1.21tn en FY2025, equivalente al 35% de los ingresos SPE, desde ¥1.44tn y 41% en FY2024.

  Comparación

  Se espera que los ingresos absolutos de China crezcan durante FY2026—FY2028, pero su participación de los ingresos totales disminuirá moderadamente a medida que los ingresos fuera de China crezcan más rápido.

  Riesgos

  Futuros controles importantes a la exportación podrían afectar la demanda de equipos de China.

• ASML (ASML.AS)

  Se beneficia de la construcción de nuevas fábricas chinas y de la demanda nacional de litografía; mantiene calificación de Compra.

  Fortalezas

  Se espera que China contribuya aproximadamente el 20% de los ingresos del grupo en 2026, mientras que la capacidad EUV y las mejoras de rendimiento de los equipos respaldan el crecimiento a largo plazo.

  Debilidades

  Los clientes chinos todavía necesitan absorber la capacidad de litografía entregada en los últimos años.

  Comparación

  Se espera que China represente aproximadamente el 20% de los ingresos en 2026, en el extremo superior de su rango histórico de 15%—20%.

  Riesgos

  Retrasos de EUV, fluctuaciones en el ciclo de capex y cambios adversos en la cuota de mercado.

• ASMI (ASMI.AS)

  Se beneficia de la demanda de equipos de deposición de clientes chinos de lógica y fundición de nodos maduros; mantiene calificación de Compra.

  Fortalezas

  Los pedidos de China fueron sólidos en la primera mitad de 2026, y las ventas en China son favorables para el margen bruto.

  Debilidades

  La visibilidad de la demanda para 2027 aún depende del comportamiento de los clientes y del entorno regulatorio.

  Riesgos

  Un deterioro del ciclo de semiconductores, competencia más fuerte de lo esperado y alta concentración de clientes.

• BESI (BESI.AS)

  Se beneficia de la expansión de capacidad de encapsulado avanzado impulsada por CoWoS 2.5D, fotónica y productos enchufables; mantiene calificación de Compra.

  Fortalezas

  También cuenta con el respaldo de una recuperación de los módulos de teléfonos inteligentes de alta gama y señales tempranas de recuperación en la demanda industrial y automotriz.

  Debilidades

  Su negocio de encapsulado convencional aún depende de una recuperación de la demanda industrial, automotriz y de mercados finales.

  Riesgos

  Ciclicidad del gasto de clientes, adopción retrasada de bonding híbrido e intensificación de la competencia.

Datos clave

• Tasa de autosuficiencia de la producción de CI de China70%Junio de 2026; 38% en enero de 2010, aunque la brecha basada en valor sigue siendo significativa.
• Capex de semiconductores de ChinaUS$82bn2030E; se espera que el crecimiento interanual durante 2026—2030E sea de 13%, 15%, 15%, 10% y 10%.
• Mejoras de previsión de capex15%/32%/51%/64%/79%En relación con las previsiones de agosto de 2025, correspondiente secuencialmente a 2026—2030E.
• Capacidad china de 8 y 12 pulgadas6m wpm aumentando a 14m wpmDe 2025 a 2030E, impulsada principalmente por la expansión de capacidad en nodos avanzados y memoria de alta gama.
• Demanda de obleas de 7nm e inferiores619k wpm2035E; CAGR del 17% durante 2025—2035E.
• Oferta de obleas de 7nm e inferiores410k wpm2035E; CAGR del 46% durante 2025—2035E.
• Brecha de oferta y demanda de nodos avanzados34%2035E, reduciéndose significativamente desde el 92% en 2025.
• Mercado WFE de ChinaUS$53bn2027E, un aumento interanual del 20%; se espera que represente el 29%—31% del gasto global en WFE durante 2026—2028E.
• Participación de proveedores nacionales chinos de WFE26% aumentando a 38%Por valor, de 2025 a 2028E.
• TAM de chips de IA de China en 2030US$4,123bn/US$678bn/US$66bnCorresponde a los escenarios alcista, base y bajista, respectivamente.
• Envíos de chips de IA de China en 2030237m/39m/4mCorresponde a los escenarios alcista, base y bajista, respectivamente; la demanda de energía de TI es 196GW, 32GW y 3GW, respectivamente.
• TAM de DRAM y HBM de ChinaUS$257bn/US$32bn2028E; las CAGRs de DRAM y HBM durante 2026—2028E son 50% y 188%, respectivamente.
• Capacidad de CXMT665k wpm2030E, más del doble del nivel de 2026E.
• EPS diluido de CXMTRmb2.5/Rmb5.4/Rmb7.1Corresponde a 2026E, 2027E y 2028E, respectivamente.
• Precio objetivo y valoración de CXMTRmb129; 24x 2027E P/EPrecio objetivo a 12 meses, iniciado con una calificación de Compra.

Impacto e implicaciones

El informe considera que el foco del capex de semiconductores de China está pasando de la expansión de nodos maduros hacia nodos avanzados, memoria y encapsulado avanzado. Los proveedores nacionales de equipos ganarán participación mediante la expansión de categorías y las compras localizadas, mientras que los proveedores extranjeros de equipos pueden seguir participando en el crecimiento del mercado a través de tecnologías de alta gama. La demanda de IA expande simultáneamente los mercados de GPU, DRAM y HBM y respalda la expansión de capacidad y las mejoras de productos de CXMT. Sin embargo, la litografía, la inversión en I+D, los rendimientos y las restricciones comerciales determinarán la rapidez con que puede reducirse la brecha de autosuficiencia.

Riesgos

• Nuevas restricciones de importación y exportación entre China y Estados Unidos sobre GPU, equipos de semiconductores, software EDA y memoria podrían afectar las ventas de CXMT y proveedores globales de equipos.
• La tecnología de proceso de CXMT sigue varias generaciones por detrás de sus pares globales, y su tecnología HBM tiene una madurez relativamente baja, lo que limita su capacidad para entrar en clientes estadounidenses de HBM a corto y medio plazo.
• La agresiva expansión de capacidad de CXMT podría alterar el equilibrio global entre oferta y demanda de DRAM en 2028.
• ASML enfrenta riesgos por retrasos de EUV, fluctuaciones en el ciclo de capex y cambios adversos en la cuota de mercado.
• ASMI enfrenta riesgos por deterioro del ciclo de semiconductores, competencia más fuerte de lo esperado y alta concentración de clientes.
• BESI enfrenta riesgos por ciclicidad del gasto de clientes, adopción retrasada de bonding híbrido e intensificación de la competencia.

Aspectos que vigilar

• Monitorear la próxima cumbre política entre China y Estados Unidos y otras discusiones comerciales para evaluar si se impondrán restricciones incrementales sobre semiconductores, memoria, equipos y EDA.