Semiconductores: La IA, la autosuficiencia y las cadenas de suministro localizadas impulsan conjuntamente la expansión de capacidad y las mejoras tecnológicas de los semiconductores en China

Visión general

Este es el cuarto informe de la serie “China Semis CHIPS” de Goldman Sachs. Su enfoque central es el progreso de la cadena de suministro de semiconductores de China hacia la autosuficiencia en equipos, nodos de proceso avanzados, chips de IA, empaquetado avanzado y memoria, así como el impacto de la expansión continua de capacidad sobre proveedores chinos y extranjeros. El informe considera que las brechas de la cadena de suministro se están reduciendo y que la IA generativa y la localización de las cadenas de suministro de clientes respaldarán el gasto de capital a largo plazo, al tiempo que señala que la litografía, la inversión en I+D, los controles de exportación y los rendimientos de productos avanzados siguen siendo las principales limitaciones.

Perspectivas principales

El informe revisa primero el progreso de la cadena de suministro de semiconductores de China durante los últimos tres años. La oferta de equipos se ha expandido desde el grabado y la deposición hacia modelos de alta gama, como el grabado de alta relación de aspecto y la deposición de capa atómica, añadiendo gradualmente categorías como implantación iónica, inspección y metrología. La fabricación de obleas avanza hacia 7nm e inferiores, mientras que los chiplets y el empaquetado avanzado se utilizan para mejorar los rendimientos de producción. La capacidad de cómputo prevista de los chips de IA evoluciona de 320 TFLOPS (FP16) en 2023 a 4 PFLOPS (FP8) para el cuarto trimestre de 2028, mientras que los SuperPods mejoran la potencia de cómputo a nivel de sistema al incrementar la escala de interconexiones entre chips. Los productos de memoria se están actualizando de LPDDR4(X) en 2024 a LPDDR6, HBM3 y HBM3E para el cuarto trimestre de 2026, mientras que EDA se expande desde el diseño analógico hacia el place-and-route digital, la verificación física y EDA para memoria. Tres fuerzas impulsan esta mejora: la IA generativa, la estrategia de cadena de suministro de “lo local sirve a lo local” y el compromiso continuo de la industria con elevar la autosuficiencia. La IA generativa requiere nodos de proceso, empaquetado y memoria de alta gama más avanzados, elevando la intensidad de capital por CI. Las compañías fabless globales incrementan la producción local para reducir la exposición a movimientos cambiarios, pandemias y riesgos geopolíticos. La capacidad avanzada de los principales proveedores internacionales también está siendo absorbida por la demanda de IA, lo que crea oportunidades de sustitución para proveedores chinos en CI convencionales y memoria. China representa aproximadamente el 30% de la demanda mundial de semiconductores, y las grandes marcas nacionales de teléfonos inteligentes, PC, televisores y automóviles respaldan adicionalmente la adopción de componentes producidos localmente. Persisten brechas estructurales significativas en la autosuficiencia de la industria. La tasa de autosuficiencia de producción de CI de China aumentó del 38% en enero de 2010 al 70% en junio de 2026, pero la brecha de oferta-demanda basada en valor sigue siendo grande debido a las insuficientes capacidades de litografía. Aunque las principales empresas nacionales incrementan rápidamente la I+D y el gasto de capital, la brecha frente a los líderes globales continúa siendo amplia. Por ello, el informe considera que todavía se necesita considerablemente más capital para alcanzar a los líderes globales y lograr operaciones globales. El gasto de capital es el segundo gran tema del informe. Tras registrar un crecimiento de dos dígitos consecutivo en 2023—2024, el gasto de capital chino en semiconductores se mantuvo estable en 2025. Goldman Sachs espera que el crecimiento interanual se recupere a 13%/15%/15%/10%/10% en 2026—2030, alcanzando US$82bn en 2030. Frente al pronóstico anterior de agosto de 2025, las estimaciones de gasto de capital para 2026—2030 se elevaron en 15%/32%/51%/64%/79%, respectivamente. Se espera que las fundiciones y los fabricantes de memoria aporten 80%—85% del gasto de capital de China durante los próximos años. Los gráficos del informe indican que se añadirán 6m wpm de capacidad equivalente de 8 pulgadas y 12 pulgadas en 2025—2030, aumentando de 7m wpm a 14m wpm. Según las estimaciones del texto principal para líneas de producción de 8 y 12 pulgadas, la capacidad es aproximadamente 6m wpm en 2025 y alcanza 14m wpm en 2030, lo que corresponde a aproximadamente 7m wpm de capacidad nueva. Los equipos requeridos para nodos de proceso avanzados y memoria de alta gama son tecnológicamente más complejos y tienen precios medios de venta más altos, lo que implica que el crecimiento de la capacidad generará un mayor gasto de capital. El gasto en equipos de fabricación de obleas también se acelerará. El informe espera que el gasto WFE de China crezca 13%/20%/15% interanual en 2026—2028, con ingresos WFE aumentando 20% a US$53bn en 2027. Se espera que la participación de China en el gasto global de WFE alcance 29%—31% en 2026—2028, por encima del 22% de 2022. Se espera que los ingresos generados por compañías chinas de equipos en el mercado doméstico de WFE aumenten de US$10.2bn en 2025 a US$13.5bn, US$17.8bn y US$22.9bn en 2026—2028. Se proyecta que la participación basada en valor de los equipos domésticos aumente del 26% en 2025 a 31%/34%/38% en 2026—2028. La localización beneficia a los proveedores chinos de equipos, pero los proveedores globales siguen siendo participantes clave debido a sus tecnologías líderes y propiedad intelectual. Para 7nm e inferiores, Goldman Sachs estima por separado los envíos de equipos, la penetración de nodos avanzados y el área de dado en ocho mercados finales. Espera que la demanda relacionada de obleas en China crezca a una TCAC del 17% en 2025—2035, alcanzando 619k wpm en 2035. Los servidores de IA son el principal impulsor, y se espera que su demanda crezca a una TCAC del 42% durante el mismo período. El modelo de oferta utiliza dos supuestos: planes de expansión de capacidad y escalamiento de rendimientos. Se espera que la oferta nacional de 7nm e inferiores crezca a una TCAC del 46% hasta 410k wpm para 2035. SMIC es el principal contribuyente, añadiendo 30—50k wpm anualmente en 2026—2031 y 20k wpm anualmente en 2032—2035. Se espera que los rendimientos aumenten del 23% en 2026 al 50% en 2030 y alcancen el 75% en 2035. Bajo estos supuestos, la brecha doméstica entre oferta y demanda disminuye del 92% en 2025 al 34% en 2035. El informe construye por primera vez estimaciones de las oportunidades de mercado de GPU y DRAM de China. Bajo los escenarios alcista, base y bajista, se espera que el TAM de chips de IA de China crezca a TCAC de 142%, 69% y 6%, respectivamente, en 2025—2030, alcanzando US$4,123bn, US$678bn y US$66bn en 2030. Los envíos correspondientes son 237m, 39m y 4m chips, mientras que el consumo de electricidad de TI es 196GW, 32GW y 3GW, respectivamente. Bajo el escenario base de chips de IA, se espera que el TAM de DRAM de China crezca a una TCAC del 50% en 2026—2028 hasta US$257bn, con HBM creciendo a una TCAC del 188% hasta US$32bn. La expansión de la demanda también exige a los proveedores de chips de IA, empaquetado avanzado y memoria incrementar la inversión de capital y mejorar los rendimientos. Para las compañías globales de equipos, Goldman Sachs espera que WFE global crezca 36% y 45% en 2026 y 2027, respectivamente. Las estructuras lógicas GAA, la DRAM/NAND apilada y el empaquetado avanzado impulsarán un crecimiento más rápido de los equipos de grabado y deposición. Goldman Sachs prefiere relativamente AMAT, LRCX y ONTO, todas calificadas como Compra. Se espera que las empresas estadounidenses de equipos mantengan participaciones de mercado altas, aunque gradualmente decrecientes, en China debido a controles de exportación adicionales que afectan las ventas desde el segundo semestre de 2025 y a que el gasto de capital chino favorece cada vez más a proveedores domésticos. Sin embargo, respaldado por un gasto de capital chino estable, Goldman Sachs espera que los envíos a China a largo plazo se mantengan en el extremo superior del rango medio de 20% de participación de ingresos indicado por las guías de las compañías. Las compañías japonesas de equipos están igualmente muy expuestas a la demanda china. Los ingresos combinados en China de Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai y Ebara fueron ¥1.21tn en FY2025, representando el 35% de sus ingresos de equipos de semiconductores, frente a ¥1.44tn y 41% en FY2024. La caída puede reflejar compras anticipadas antes de las restricciones a la exportación y la competencia de proveedores domésticos chinos de equipos. Las cuatro compañías esperan que el valor absoluto de los ingresos de China aumente en FY2026 y en adelante, mientras Goldman Sachs también pronostica crecimiento de ingresos en FY2026—FY2028. Sin embargo, dado que las operaciones fuera de China crecen más rápidamente, se espera que la proporción de ingresos de China disminuya moderadamente. En equipos de back-end, Disco, Advantest y Tokyo Seimitsu se benefician de que los fabricantes chinos OSAT construyan ecosistemas de IA, siempre que no haya restricciones de exportación adicionales importantes en el futuro. Para las compañías europeas de equipos, Goldman Sachs reitera las calificaciones de Compra sobre ASML, ASMI y BESI. Se espera que China contribuya aproximadamente el 20% de los ingresos del grupo ASML en 2026, en el extremo superior de su rango histórico de 15%—20%. La construcción de nuevas fábricas y la expansión china de memoria respaldan la demanda de litografía, y la compañía también está estudiando aumentar la capacidad anual de EUV a 110 sistemas para 2028. El precio objetivo a 12 meses de ASML es €2,200, basado en 32x P/E 2HCY27+1HCY28E. ASMI se beneficia de la demanda de equipos de deposición de clientes chinos de lógica madura y fundición, con fuertes pedidos en el primer semestre de 2026 y sólida visibilidad de demanda para 2027. Su precio objetivo es €955, basado en 20x EV/EBITDA 2HCY27+1HCY28E. BESI se beneficia de la expansión de capacidad de empaquetado avanzado requerida para 2.5D CoWoS, fotónica y módulos enchufables, y está viendo señales de recuperación en la demanda china de módulos industriales, automotrices y de teléfonos inteligentes de alta gama. Su precio objetivo es €325, basado en 29x EV/EBITDA 2HCY27+1HCY28E. Finalmente, el informe inicia la cobertura del principal productor chino de DRAM, CXMT (688825.SS), con una calificación de Compra y un precio objetivo a 12 meses de Rmb129. La compañía cotizó en China en julio de 2026 y recaudó Rmb58bn (US$8bn). Goldman Sachs espera que su capacidad alcance 665k wpm para 2030, más del doble respecto de 2026. Se espera que la oferta de DRAM convencional de CXMT como proporción de la oferta de Samsung y SK Hynix aumente de 28%/35% en 2025 a 41%/50% en 2028, mientras cubre el 50% de la demanda de DRAM de China en 2028. Los altos precios de DRAM convencional y el desvío de capacidad de fabricantes globales hacia HBM están llevando a clientes estadounidenses de teléfonos inteligentes y PC a buscar proveedores adicionales. Por tanto, Goldman Sachs considera que algunos clientes podrían homologar los productos de DRAM móvil y convencional de CXMT. Sin embargo, la tecnología de proceso de CXMT sigue varias generaciones por detrás de sus pares globales, y su tecnología inicial de HBM tampoco está suficientemente madura, lo que dificulta su entrada a clientes estadounidenses mediante HBM en el corto a mediano plazo. Las previsiones de beneficios de CXMT reflejan un alto apalancamiento operativo derivado de la expansión de capacidad, el crecimiento de la demanda y las mejoras de mezcla de productos. Las tablas del informe proyectan que los ingresos aumenten de Rmb61,799m en 2025 a Rmb320,756m en 2026, Rmb661,563m en 2027, Rmb878,714m en 2028, Rmb1,369,487m en 2030 y Rmb1,663,927m en 2031. Se proyecta que el beneficio neto aumente correspondientemente de Rmb1,875m a Rmb161,373m, Rmb361,256m, Rmb472,573m, Rmb744,511m y Rmb863,644m. Se espera que el BPA diluido aumente de Rmb2.5 en 2026 a Rmb5.4 en 2027, Rmb7.1 en 2028, Rmb8.9 en 2029, Rmb11.1 en 2030 y Rmb12.91 en 2031. El crecimiento medio del BPA en 2027—2028 es 77%. El precio objetivo corresponde a 24x P/E 2027E, con múltiplos P/E implícitos posteriores en la tabla descendiendo a 18x, 14x, 12x y 10x. Las principales incertidumbres provienen de la geopolítica y las restricciones de importación/exportación, la madurez tecnológica de los productos avanzados y el impacto de una expansión agresiva de capacidad sobre el equilibrio global entre oferta y demanda de DRAM en 2028.

Marco de análisis

Goldman Sachs actualiza primero el mapa de cobertura de equipos y productos de semiconductores chinos para identificar los segmentos de la cadena de suministro que se han cubierto y aquellos que aún faltan. Después vincula la demanda de IA, las cadenas de suministro localizadas y los objetivos de autosuficiencia con las previsiones de gasto de capital y capacidad. La demanda de nodos avanzados se estima de abajo hacia arriba basándose en envíos, tasas de penetración y área de dado en ocho mercados finales, mientras que la oferta se deriva de la capacidad planificada y el escalamiento de rendimientos. Para las GPU, se utilizan escenarios alcista, base y bajista para estimar TAM, envíos y consumo de electricidad; posteriormente, el escenario base se utiliza para prever la demanda de DRAM y HBM. Finalmente, las previsiones de la industria se asignan a compañías chinas, estadounidenses, japonesas y europeas de equipos, estableciendo los precios objetivo de las compañías clave mediante P/E futuro o EV/EBITDA.

Notas metodológicas

• Marco de análisis de industria/sectorTransmisión de la cadena de suministro aguas arriba-intermedia-aguas abajo

  Mapa del ecosistema de semiconductores y análisis de brechas de la cadena de suministro

  El informe revisa las capacidades domésticas de suministro capa por capa en diseño de CI, fundiciones de obleas, equipos, empaquetado y pruebas, memoria y clientes aguas abajo, y analiza cómo la IA y las compras localizadas se transmiten a través de cada segmento.

• Marco de análisis de industria/sectorMarco de oferta-demanda

  Modelo de oferta-demanda para obleas de 7nm e inferiores

  La demanda se deriva de envíos, penetración de nodos avanzados y área de dado en ocho mercados finales, mientras que la oferta se deriva de nueva capacidad y escalamiento de rendimientos. La diferencia entre ambas mide la brecha doméstica entre oferta y demanda.

• Marco de análisis de industria/sectorDescomposición volumen-precio

  Estimación de abajo hacia arriba de mercados de chips de IA y equipos

  El informe estima por separado los envíos de chips de IA, la potencia de cómputo y el consumo de electricidad, y combina categorías de equipos, capacidad y precios medios de venta para estimar los ingresos WFE y las participaciones de proveedores domésticos.

• (Método fuera de vocabulario)Otro

  Análisis de escenarios alcista, base y bajista

  El informe utiliza tres escenarios de demanda para presentar rangos del TAM de chips de IA de China, los envíos y el consumo de electricidad de TI en 2030, y utiliza el escenario base como premisa para su previsión de demanda de DRAM.

• Método de valoraciónValoración P/E y PEG

  Valoración mediante P/E futuro

  El precio objetivo de CXMT se basa en 24x P/E 2027E, mientras que el precio objetivo de ASML se basa en 32x P/E 2HCY27+1HCY28E.

• Método de valoraciónValoración EV/EBITDA

  Valoración mediante múltiplo de valor empresarial

  Los precios objetivo de ASMI y BESI se basan en 20x y 29x EV/EBITDA 2HCY27+1HCY28E, respectivamente.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• CXMT (688825.SS)

  Un beneficiario clave de la expansión de capacidad china de DRAM, la creciente autosuficiencia y la demanda de memoria para IA; el informe inicia cobertura con una calificación de Compra.

  Fortalezas

  Se espera que la capacidad alcance 665k wpm en 2030, cubriendo el 50% de la demanda china de DRAM en 2028, mientras que sus productos convencionales de DRAM podrían ser homologados por clientes extranjeros de teléfonos inteligentes y PC.

  Debilidades

  Su tecnología de proceso está varias generaciones por detrás de sus pares globales de memoria, y HBM sigue en una etapa temprana de madurez tecnológica.

  Comparación

  Se espera que la oferta convencional de DRAM de CXMT como proporción de la oferta de Samsung y SK Hynix aumente de 28%/35% en 2025 a 41%/50% en 2028.

  Riesgos

  La geopolítica y las restricciones de importación/exportación pueden afectar los envíos al extranjero; una expansión agresiva de capacidad puede modificar el equilibrio global entre oferta y demanda de DRAM en 2028.

• Proveedores chinos domésticos de equipos de semiconductores

  Beneficiarios del creciente gasto de capital chino, la expansión de categorías de equipos y las compras localizadas de fábricas de obleas.

  Fortalezas

  Se espera que su participación en el mercado WFE de China aumente del 26% en 2025 al 38% en 2028, mientras que la cobertura de productos se expande desde grabado y deposición hacia implantación iónica, inspección y metrología.

  Debilidades

  Siguen dependiendo de proveedores globales o rezagados frente a ellos en litografía, tecnologías de alta gama y propiedad intelectual.

  Comparación

  Se espera que los ingresos WFE domésticos aumenten de US$10.2bn en 2025 a US$22.9bn en 2028, aunque los proveedores globales siguen siendo participantes clave del mercado.

  Riesgos

  La I+D y el gasto de capital siguen por debajo de los de los líderes globales, mientras que la homologación y la mejora de rendimientos de productos avanzados requieren tiempo.

• AMAT, LRCX, ONTO

  Beneficiarios del crecimiento global de WFE y de la demanda de equipos derivada de GAA, memoria apilada y empaquetado avanzado.

  Fortalezas

  Cuentan con capacidades líderes en segmentos de alta tecnología como grabado, deposición y metrología. Goldman Sachs califica a las tres como Compra y expresa una preferencia relativa por ellas.

  Debilidades

  Se espera que sus participaciones de mercado en China disminuyan a medida que aumenten los controles de exportación y las compras de equipos domésticos.

  Comparación

  Se espera que WFE global crezca 36% y 45% en 2026 y 2027, y que los equipos de grabado y deposición registren un crecimiento más pronunciado.

  Riesgos

  Controles de exportación estadounidenses adicionales y un mayor giro de clientes chinos hacia proveedores domésticos de WFE.

• Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai, Ebara

  La expansión de capacidad en nodos de proceso avanzados y memoria de alta gama de China respalda los pedidos e ingresos de las compañías japonesas de equipos front-end.

  Fortalezas

  Los requisitos de rendimiento en nodos avanzados llevan a las fábricas chinas de obleas a seguir comprando equipos no chinos.

  Debilidades

  Los ingresos de China disminuyeron del 41% de los ingresos totales en FY2024 al 35% en FY2025 y se espera que continúen disminuyendo moderadamente.

  Comparación

  Las cuatro compañías generaron ingresos combinados en China de ¥1.21tn en FY2025, frente a ¥1.44tn en FY2024, pero el informe espera que los ingresos absolutos se recuperen en FY2026—FY2028.

  Riesgos

  Nuevas restricciones de exportación y la competencia de proveedores domésticos chinos de equipos pueden presionar los ingresos y la participación de mercado.

• ASML (ASML.AS)

  Un beneficiario de la construcción de fábricas chinas y la demanda doméstica de litografía; Goldman Sachs reitera su calificación de Compra.

  Fortalezas

  Tecnología de litografía líder; se espera que China contribuya aproximadamente el 20% de los ingresos del grupo en 2026, mientras que la compañía estudia aumentar la capacidad anual de EUV a 110 sistemas en 2028.

  Debilidades

  Las fábricas chinas de obleas aún necesitan absorber los equipos de litografía entregados en años recientes, y el momento de los ingresos futuros depende de la construcción de nuevas fábricas.

  Comparación

  Se espera que los ingresos de China representen aproximadamente el 20% de los ingresos totales en 2026, en el extremo superior del rango histórico de 15%—20%.

  Riesgos

  Retrasos de EUV, ciclicidad del gasto de capital y cambios adversos en la participación de mercado.

• ASMI (ASMI.AS)

  Un beneficiario de la demanda china de lógica madura y fundición para equipos de deposición; Goldman Sachs reitera su calificación de Compra.

  Fortalezas

  Los pedidos chinos fueron fuertes en el primer semestre de 2026, y la mezcla regional de ventas beneficia los ingresos y el margen bruto.

  Debilidades

  La visibilidad de demanda para 2027 aún depende del comportamiento de los clientes y del entorno regulatorio.

  Comparación

  Precio objetivo a 12 meses de €955, basado en 20x EV/EBITDA 2HCY27+1HCY28E.

  Riesgos

  Un deterioro del ciclo de semiconductores, competencia más fuerte de lo esperado y elevada concentración de clientes.

• BESI (BESI.AS)

  Un beneficiario de la expansión de capacidad de empaquetado avanzado requerida para 2.5D CoWoS, fotónica, módulos enchufables y teléfonos inteligentes de alta gama; Goldman Sachs reitera su calificación de Compra.

  Fortalezas

  Fuerte demanda de empaquetado avanzado y señales iniciales de recuperación de la demanda industrial y automotriz china.

  Debilidades

  La recuperación de la cartera de empaquetado convencional sigue dependiendo de la demanda de los mercados finales.

  Comparación

  Precio objetivo a 12 meses de €325, basado en 29x EV/EBITDA 2HCY27+1HCY28E.

  Riesgos

  Ciclicidad del gasto de clientes, adopción retrasada de hybrid bonding y competencia creciente.

Datos clave

• Tasa de autosuficiencia de producción de CI de China70%Junio de 2026, significativamente superior al 38% de enero de 2010
• Gasto de capital chino en semiconductoresUS$82bn2030E; se espera que el crecimiento interanual 2026—2030E sea 13%/15%/15%/10%/10%
• Mejoras de la previsión de gasto de capital15%/32%/51%/64%/79%Mejoras de 2026—2030E, respectivamente, frente al pronóstico de agosto de 2025
• Ingresos WFE de ChinaUS$53bn2027E, aumento interanual de 20%
• Participación de China en el gasto global de WFE29%—31%2026—2028E; 22% en 2022
• Participación de equipos WFE domésticos chinos31%/34%/38%2026—2028E, calculada por el valor de los ingresos WFE de China; 26% en 2025
• Demanda de obleas de 7nm e inferiores619k wpm2035E; TCAC 2025—2035E de 17%
• Oferta de obleas de 7nm e inferiores410k wpm2035E; TCAC 2025—2035E de 46%
• Brecha doméstica entre oferta y demanda de 7nm e inferiores34%2035E, frente al 92% en 2025
• Supuestos de rendimiento de nodos avanzados23%/50%/75%Correspondientes a 2026E, 2030E y 2035E, respectivamente
• TAM de chips de IA de ChinaUS$4,123bn/US$678bn/US$66bnEscenarios alcista/base/bajista 2030E, correspondientes a TCAC 2025—2030E de 142%/69%/6%
• Envíos de chips de IA de China237m/39m/4mEscenarios alcista/base/bajista 2030E
• Consumo de electricidad de TI relacionado con chips de IA chinos196GW/32GW/3GWEscenarios alcista/base/bajista 2030E
• TAM de DRAM de ChinaUS$257bn2028E; TCAC 2026—2028E de 50%
• TAM de HBM de ChinaUS$32bn2028E; TCAC 2026—2028E de 188%
• Capacidad de CXMT665k wpm2030E, más del doble del nivel 2026E
• Cobertura de CXMT de la demanda de DRAM de China50%2028E
• Precio objetivo y valoración de CXMTRmb129; 24x 2027E P/EPrecio objetivo a 12 meses; crecimiento medio del BPA 2027—2028E de 77%
• BPA diluido de CXMTRmb2.5/5.4/7.1/8.9/11.1/12.91Correspondientes a 2026E—2031E, respectivamente
• Crecimiento global de WFE36%/45%Correspondientes a 2026E y 2027E, respectivamente
• Ingresos en China de cuatro compañías japonesas de equipos front-end¥1.21tn, 35% de los ingresosFY2025; ¥1.44tn y 41% en FY2024

Impacto e implicaciones

El informe considera que la expansión de capacidad de semiconductores de China beneficiará tanto a los proveedores de equipos domésticos como extranjeros, aunque con perfiles de beneficio distintos. Los proveedores domésticos aumentarán sus participaciones mediante la expansión de categorías y las compras localizadas, mientras que los proveedores globales seguirán participando en el mercado gracias a las tecnologías líderes necesarias para nodos de proceso avanzados y mejoras de rendimiento. La demanda de IA de lógica avanzada, HBM y empaquetado avanzado elevará la intensidad de capital por unidad de capacidad e impulsará la demanda de equipos de grabado, deposición, metrología y back-end. En el mercado de memoria, la expansión de capacidad de CXMT ayudará a reducir la brecha china entre oferta y demanda de DRAM, pero también se convertirá en una variable importante para los inversores globales que evalúan el equilibrio entre oferta y demanda de la industria en 2028.

Riesgos

• China cuenta con capacidades insuficientes de litografía, mientras que la I+D y el gasto de capital de los líderes domésticos siguen significativamente por debajo de los de los líderes globales, lo que podría limitar las mejoras en la autosuficiencia basada en valor.
• Las restricciones de importación/exportación de semiconductores entre China y Estados Unidos y otras medidas geopolíticas pueden afectar equipos, GPU, EDA, tecnología de memoria y los envíos al extranjero de CXMT.
• Las compañías estadounidenses de equipos pueden seguir perdiendo participación de mercado china debido a los controles de exportación y al giro de las fábricas chinas de obleas hacia proveedores domésticos.
• La tecnología de proceso de CXMT está varias generaciones por detrás de sus pares globales, y su tecnología HBM tiene baja madurez, lo que dificulta su entrada a clientes estadounidenses mediante HBM en el corto a mediano plazo.
• La expansión agresiva de capacidad de CXMT puede afectar materialmente el equilibrio global entre oferta y demanda de DRAM en 2028.
• ASML enfrenta riesgos de retrasos de EUV, ciclicidad del gasto de capital y cambios adversos en la participación de mercado.
• ASMI enfrenta riesgos por deterioro del ciclo de semiconductores, competencia más fuerte de lo esperado y concentración de clientes.
• BESI enfrenta riesgos por la ciclicidad del gasto de clientes, adopción retrasada de hybrid bonding y competencia creciente.

Aspectos que vigilar

• Monitorear la próxima cumbre política entre China y Estados Unidos y otras conversaciones comerciales para evaluar si pueden surgir restricciones adicionales en semiconductores, memoria, GPU, equipos y EDA.