Semicondutores: IA, autossuficiência e cadeias de suprimentos localizadas impulsionam conjuntamente a expansão da capacidade de semicondutores e as atualizações tecnológicas na China

Visão geral

Este é o quarto relatório da série “China Semis CHIPS” do Goldman Sachs. Seu foco central é o progresso da cadeia de suprimentos de semicondutores da China rumo à autossuficiência em equipamentos, nós de processo avançados, chips de IA, encapsulamento avançado e memória, bem como o impacto da contínua expansão de capacidade sobre fornecedores chineses e estrangeiros. O relatório acredita que as lacunas da cadeia de suprimentos estão diminuindo e que a IA generativa e a localização das cadeias de suprimentos dos clientes sustentarão os investimentos de capital de longo prazo, embora observe que litografia, investimentos em P&D, controles de exportação e rendimentos de produtos avançados continuam sendo as principais restrições.

Visões principais

O relatório primeiro revisa o progresso da cadeia de suprimentos de semicondutores da China nos últimos três anos. A oferta de equipamentos expandiu-se de gravação e deposição para modelos de ponta, como gravação de alta razão de aspecto e deposição de camada atômica, ao mesmo tempo em que gradualmente adiciona categorias como implantação iônica, inspeção e metrologia. A fabricação de wafers avança em direção a 7nm e abaixo, enquanto chiplets e encapsulamento avançado são utilizados para melhorar os rendimentos de produção. A capacidade computacional planejada de chips de IA evolui de 320 TFLOPS (FP16) em 2023 para 4 PFLOPS (FP8) até o quarto trimestre de 2028, enquanto SuperPods aumentam o poder computacional em nível de sistema ao ampliar a escala das interconexões entre chips. Os produtos de memória estão sendo atualizados de LPDDR4(X) em 2024 para LPDDR6, HBM3 e HBM3E até o quarto trimestre de 2026, enquanto EDA se expande de design analógico para posicionamento e roteamento digital, verificação física e EDA de memória. Três forças impulsionam essa atualização: IA generativa, a estratégia de cadeia de suprimentos “local atende local” e o compromisso contínuo do setor com o aumento da autossuficiência. A IA generativa exige nós de processo, encapsulamento e memória de ponta mais avançados, aumentando a intensidade de capital por CI. Empresas fabless globais estão aumentando a produção local para reduzir a exposição a movimentos cambiais, pandemias e riscos geopolíticos. A capacidade avançada de fornecedores internacionais líderes também está sendo absorvida pela demanda de IA, criando oportunidades de substituição para fornecedores chineses em CIs convencionais e memória. A China responde por aproximadamente 30% da demanda global de semicondutores, e grandes marcas domésticas de smartphones, PCs, televisores e automóveis reforçam ainda mais a adoção de componentes produzidos localmente. Persistem lacunas estruturais significativas na autossuficiência do setor. A taxa de autossuficiência da produção de CI da China aumentou de 38% em janeiro de 2010 para 70% em junho de 2026, mas a lacuna entre oferta e demanda baseada em valor continua ampla devido a capacidades insuficientes de litografia. Embora as principais empresas domésticas estejam elevando rapidamente P&D e investimentos de capital, a diferença em relação aos líderes globais permanece grande. Portanto, o relatório acredita que ainda é necessário um volume substancialmente maior de capital para alcançar os líderes globais e obter operações globais. Os investimentos de capital são o segundo grande tema do relatório. Após registrar crescimento consecutivo de dois dígitos em 2023—2024, os investimentos chineses em semicondutores permaneceram estáveis em 2025. O Goldman Sachs espera que o crescimento anual se recupere para 13%/15%/15%/10%/10% em 2026—2030, alcançando US$82bn em 2030. Em comparação com a previsão anterior de agosto de 2025, as estimativas de investimentos de capital para 2026—2030 foram elevadas em 15%/32%/51%/64%/79%, respectivamente. Espera-se que foundries e fabricantes de memória contribuam com 80%—85% dos investimentos de capital da China nos próximos anos. Os gráficos do relatório indicam que 6m wpm de capacidade equivalente a 8 polegadas e 12 polegadas serão adicionados em 2025—2030, aumentando de 7m wpm para 14m wpm. Com base nas estimativas do texto principal para linhas de produção de 8 e 12 polegadas, a capacidade é de aproximadamente 6m wpm em 2025 e atinge 14m wpm em 2030, correspondendo a aproximadamente 7m wpm de capacidade recém-construída. Os equipamentos necessários para nós de processo avançados e memória de ponta são tecnologicamente mais complexos e têm preços médios de venda mais altos, o que significa que o crescimento da capacidade gerará maiores investimentos de capital. Os gastos com equipamentos de fabricação de wafers também acelerarão. O relatório espera que os gastos WFE da China cresçam 13%/20%/15% em termos anuais em 2026—2028, com a receita de WFE subindo 20%, para US$53bn em 2027. Espera-se que a participação da China nos gastos globais de WFE alcance 29%—31% em 2026—2028, acima dos 22% em 2022. A receita gerada por empresas chinesas de equipamentos no mercado doméstico de WFE deverá aumentar de US$10.2bn em 2025 para US$13.5bn, US$17.8bn e US$22.9bn em 2026—2028. A participação baseada em valor de equipamentos domésticos é projetada para subir de 26% em 2025 para 31%/34%/38% em 2026—2028. A localização beneficia os fornecedores chineses de equipamentos, mas fornecedores globais continuam participantes-chave devido às suas tecnologias líderes e propriedade intelectual. Para 7nm e abaixo, o Goldman Sachs estima separadamente embarques de equipamentos, penetração de nós avançados e área de die em oito mercados finais. Espera que a demanda relacionada por wafers na China cresça a uma CAGR de 17% em 2025—2035, alcançando 619k wpm em 2035. Servidores de IA são o principal impulsionador, com expectativa de crescimento da demanda a uma CAGR de 42% no mesmo período. O modelo do lado da oferta utiliza duas premissas: planos de expansão de capacidade e aumento de rendimentos. Espera-se que a oferta doméstica de 7nm e abaixo cresça a uma CAGR de 46%, para 410k wpm até 2035. A SMIC é a principal contribuinte, adicionando 30—50k wpm anualmente em 2026—2031 e 20k wpm anualmente em 2032—2035. Espera-se que os rendimentos subam de 23% em 2026 para 50% em 2030 e atinjam 75% em 2035. Sob essas premissas, a lacuna doméstica entre oferta e demanda diminui de 92% em 2025 para 34% em 2035. O relatório constrói pela primeira vez estimativas das oportunidades de mercado de GPU e DRAM da China. Nos cenários otimista, base e pessimista, espera-se que o TAM de chips de IA da China cresça a CAGRs de 142%, 69% e 6%, respectivamente, em 2025—2030, alcançando US$4,123bn, US$678bn e US$66bn em 2030. Os embarques correspondentes são de 237m, 39m e 4m chips, enquanto o consumo de eletricidade de TI é de 196GW, 32GW e 3GW, respectivamente. No cenário base de chips de IA, espera-se que o TAM de DRAM da China cresça a uma CAGR de 50% em 2026—2028, para US$257bn, com HBM crescendo a uma CAGR de 188%, para US$32bn. A expansão da demanda também exige que fornecedores de chips de IA, encapsulamento avançado e memória aumentem os investimentos de capital e melhorem os rendimentos. Para empresas globais de equipamentos, o Goldman Sachs espera que o WFE global cresça 36% e 45% em 2026 e 2027, respectivamente. Estruturas lógicas GAA, DRAM/NAND empilhadas e encapsulamento avançado impulsionarão um crescimento mais rápido em equipamentos de gravação e deposição. O Goldman Sachs prefere relativamente AMAT, LRCX e ONTO, todos com recomendação de Compra. Espera-se que empresas americanas de equipamentos mantenham participações elevadas, mas gradualmente decrescentes, no mercado chinês devido a controles adicionais de exportação que afetam as vendas a partir do segundo semestre de 2025 e aos investimentos de capital chineses favorecendo cada vez mais fornecedores domésticos. Ainda assim, apoiado por investimentos de capital chineses estáveis, o Goldman Sachs espera que os embarques de longo prazo para a China permaneçam no extremo superior da faixa de participação de receita de meados de 20% indicada pelas orientações das empresas. Empresas japonesas de equipamentos estão igualmente muito expostas à demanda chinesa. A receita combinada na China de Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai e Ebara foi de ¥1.21tn no FY2025, representando 35% de sua receita de equipamentos para semicondutores, abaixo de ¥1.44tn e 41% no FY2024. O declínio pode refletir compras antecipadas antes das restrições à exportação e a concorrência de fornecedores chineses domésticos de equipamentos. Todas as quatro empresas esperam que o valor absoluto da receita na China aumente no FY2026 e além, enquanto o Goldman Sachs também prevê crescimento de receita no FY2026—FY2028. No entanto, como as operações fora da China crescem mais rapidamente, espera-se que a participação da receita chinesa diminua moderadamente. Em equipamentos de back-end, Disco, Advantest e Tokyo Seimitsu se beneficiam de fabricantes chineses de OSAT construindo ecossistemas de IA, desde que não haja grandes restrições adicionais à exportação no futuro. Para empresas europeias de equipamentos, o Goldman Sachs reitera recomendações de Compra para ASML, ASMI e BESI. Espera-se que a China contribua com aproximadamente 20% da receita do grupo ASML em 2026, no extremo superior de sua faixa histórica de 15%—20%. A construção de novas fábricas e a expansão chinesa de memória sustentam a demanda por litografia, e a empresa também estuda elevar a capacidade anual de EUV para 110 sistemas até 2028. O preço-alvo de 12 meses da ASML é €2,200, baseado em P/L de 32x para 2HCY27+1HCY28E. A ASMI se beneficia da demanda por equipamentos de deposição de clientes chineses de lógica madura e foundries, com pedidos fortes no primeiro semestre de 2026 e boa visibilidade de demanda para 2027. Seu preço-alvo é €955, baseado em EV/EBITDA de 20x para 2HCY27+1HCY28E. A BESI se beneficia da expansão de capacidade de encapsulamento avançado necessária para CoWoS 2.5D, fotônica e módulos conectáveis, e está observando sinais de recuperação na demanda chinesa de módulos industriais, automotivos e de smartphones de ponta. Seu preço-alvo é €325, baseado em EV/EBITDA de 29x para 2HCY27+1HCY28E. Por fim, o relatório inicia a cobertura da principal produtora chinesa de DRAM, CXMT (688825.SS), com recomendação de Compra e preço-alvo de 12 meses de Rmb129. A empresa foi listada na China em julho de 2026 e levantou Rmb58bn (US$8bn). O Goldman Sachs espera que sua capacidade alcance 665k wpm até 2030, mais que dobrando em relação a 2026. Espera-se que a oferta de DRAM convencional da CXMT como proporção da oferta da Samsung e da SK Hynix suba de 28%/35% em 2025 para 41%/50% em 2028, ao mesmo tempo em que cobre 50% da demanda chinesa por DRAM em 2028. Os altos preços de DRAM convencional e a transferência de capacidade dos fabricantes globais para HBM estão levando clientes americanos de smartphones e PCs a buscar fornecedores adicionais. Portanto, o Goldman Sachs acredita que alguns clientes podem qualificar os produtos de DRAM móvel e convencional da CXMT. No entanto, a tecnologia de processo da CXMT continua várias gerações atrás de seus pares globais, e sua tecnologia inicial de HBM também é insuficientemente madura, tornando difícil entrar em clientes americanos por meio de HBM no curto a médio prazo. As previsões de lucros da CXMT refletem alta alavancagem operacional decorrente da expansão de capacidade, crescimento da demanda e melhorias no mix de produtos. As tabelas do relatório projetam que a receita suba de Rmb61,799m em 2025 para Rmb320,756m em 2026, Rmb661,563m em 2027, Rmb878,714m em 2028, Rmb1,369,487m em 2030 e Rmb1,663,927m em 2031. O lucro líquido é projetado para aumentar correspondentemente de Rmb1,875m para Rmb161,373m, Rmb361,256m, Rmb472,573m, Rmb744,511m e Rmb863,644m. Espera-se que o EPS diluído suba de Rmb2.5 em 2026 para Rmb5.4 em 2027, Rmb7.1 em 2028, Rmb8.9 em 2029, Rmb11.1 em 2030 e Rmb12.91 em 2031. O crescimento médio do EPS em 2027—2028 é de 77%. O preço-alvo corresponde a P/L de 24x para 2027E, com múltiplos implícitos de P/L subsequentes na tabela caindo para 18x, 14x, 12x e 10x. As principais incertezas decorrem de geopolítica e restrições de importação/exportação, da maturidade tecnológica de produtos avançados e do impacto da expansão agressiva de capacidade sobre o equilíbrio global entre oferta e demanda de DRAM em 2028.

Estrutura de análise

O Goldman Sachs primeiro atualiza o mapa de cobertura de equipamentos e produtos de semicondutores chineses para identificar os segmentos da cadeia de suprimentos já preenchidos e os que ainda faltam. Em seguida, mapeia a demanda de IA, cadeias de suprimentos localizadas e metas de autossuficiência para previsões de investimentos de capital e capacidade. A demanda por nós avançados é estimada de baixo para cima com base em embarques, taxas de penetração e área de die em oito mercados finais, enquanto a oferta é derivada da capacidade planejada e do aumento de rendimentos. Para GPUs, cenários otimista, base e pessimista são usados para estimar TAM, embarques e consumo de eletricidade, após o que o cenário base é utilizado para prever a demanda por DRAM e HBM. Por fim, as previsões do setor são mapeadas para empresas de equipamentos chinesas, americanas, japonesas e europeias, com preços-alvo para empresas-chave definidos usando P/L futuro ou EV/EBITDA.

Notas metodológicas

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorTransmissão da Cadeia de Suprimentos Upstream-Midstream-Downstream

  Mapa do ecossistema de semicondutores e análise de lacunas na cadeia de suprimentos

  O relatório revisa as capacidades domésticas de fornecimento camada por camada em design de CI, foundries de wafers, equipamentos, encapsulamento e testes, memória e clientes downstream, e analisa como IA e compras localizadas se transmitem por cada segmento.

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorEstrutura de Oferta e Demanda

  Modelo de oferta e demanda para wafers de 7nm e abaixo

  A demanda é derivada de embarques, penetração de nós avançados e área de die em oito mercados finais, enquanto a oferta é derivada de nova capacidade e aumento de rendimentos. A diferença entre as duas mensura a lacuna doméstica entre oferta e demanda.

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorDecomposição Volume-Preço

  Estimativa de baixo para cima dos mercados de chips de IA e equipamentos

  O relatório estima separadamente embarques de chips de IA, poder computacional e consumo de eletricidade, e combina categorias de equipamentos, capacidade e preços médios de venda para estimar a receita de WFE e as participações de fornecedores domésticos.

• (Método Fora do Vocabulário)Outro

  Análise de cenários otimista, base e pessimista

  O relatório utiliza três cenários de demanda para apresentar intervalos para o TAM de chips de IA da China, embarques e consumo de eletricidade de TI em 2030, e usa o cenário base como premissa para sua previsão de demanda por DRAM.

• Método de ValuationValuation por P/L e PEG

  Valuation por P/L futuro

  O preço-alvo da CXMT é baseado em P/L de 24x para 2027E, enquanto o preço-alvo da ASML é baseado em P/L de 32x para 2HCY27+1HCY28E.

• Método de ValuationValuation por EV/EBITDA

  Valuation por múltiplo de valor da empresa

  Os preços-alvo da ASMI e da BESI são baseados em EV/EBITDA de 20x e 29x para 2HCY27+1HCY28E, respectivamente.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• CXMT (688825.SS)

  Uma importante beneficiária da expansão da capacidade chinesa de DRAM, da crescente autossuficiência e da demanda por memória de IA; o relatório inicia a cobertura com recomendação de Compra.

  Pontos fortes

  Espera-se que a capacidade alcance 665k wpm em 2030, cobrindo 50% da demanda chinesa por DRAM em 2028, enquanto seus produtos de DRAM convencional podem ser qualificados por clientes estrangeiros de smartphones e PCs.

  Pontos fracos

  Sua tecnologia de processo está várias gerações atrás de seus pares globais de memória, e a HBM permanece em estágio inicial de maturidade tecnológica.

  Comparação

  Espera-se que a oferta de DRAM convencional da CXMT como proporção da oferta da Samsung e da SK Hynix suba de 28%/35% em 2025 para 41%/50% em 2028.

  Riscos

  Geopolítica e restrições de importação/exportação podem afetar embarques ao exterior; a expansão agressiva de capacidade pode alterar o equilíbrio global entre oferta e demanda de DRAM em 2028.

• Fornecedores Chineses Domésticos de Equipamentos para Semicondutores

  Beneficiários do aumento dos investimentos de capital chineses, da expansão de categorias de equipamentos e das compras localizadas por fábricas de wafers.

  Pontos fortes

  Espera-se que sua participação no mercado WFE da China aumente de 26% em 2025 para 38% em 2028, enquanto a cobertura de produtos se expande de gravação e deposição para implantação iônica, inspeção e metrologia.

  Pontos fracos

  Eles continuam dependentes de fornecedores globais ou atrás deles em litografia, tecnologias de ponta e propriedade intelectual.

  Comparação

  Espera-se que a receita doméstica de WFE suba de US$10.2bn em 2025 para US$22.9bn em 2028, embora fornecedores globais permaneçam participantes-chave do mercado.

  Riscos

  P&D e investimentos de capital permanecem abaixo dos líderes globais, enquanto a qualificação e a melhoria de rendimento de produtos avançados exigem tempo.

• AMAT, LRCX, ONTO

  Beneficiárias do crescimento global de WFE e da demanda por equipamentos decorrente de GAA, memória empilhada e encapsulamento avançado.

  Pontos fortes

  Possuem capacidades líderes em segmentos de alta tecnologia, como gravação, deposição e metrologia. O Goldman Sachs classifica as três como Compra e expressa preferência relativa por elas.

  Pontos fracos

  Espera-se que suas participações de mercado na China diminuam à medida que controles de exportação e compras de equipamentos domésticos aumentem.

  Comparação

  Espera-se que o WFE global cresça 36% e 45% em 2026 e 2027, com equipamentos de gravação e deposição devendo apresentar crescimento mais pronunciado.

  Riscos

  Controles adicionais de exportação dos EUA e uma mudança adicional de clientes chineses para fornecedores domésticos de WFE.

• Tokyo Electron, SCREEN, Kokusai, Ebara

  A expansão de capacidade chinesa em nós de processo avançados e memória de ponta sustenta pedidos e receita para empresas japonesas de equipamentos front-end.

  Pontos fortes

  Os requisitos de rendimento em nós avançados levam fábricas chinesas de wafers a continuar comprando equipamentos não chineses.

  Pontos fracos

  A receita na China caiu de 41% da receita total no FY2024 para 35% no FY2025 e deve continuar diminuindo moderadamente.

  Comparação

  As quatro empresas geraram receita combinada na China de ¥1.21tn no FY2025, abaixo de ¥1.44tn no FY2024, mas o relatório espera que a receita absoluta se recupere no FY2026—FY2028.

  Riscos

  Restrições adicionais à exportação e concorrência de fornecedores chineses domésticos de equipamentos podem pressionar receita e participação de mercado.

• ASML (ASML.AS)

  Uma beneficiária da construção de fábricas chinesas e da demanda doméstica por litografia; o Goldman Sachs reitera sua recomendação de Compra.

  Pontos fortes

  Tecnologia líder de litografia; espera-se que a China contribua com aproximadamente 20% da receita do grupo em 2026, enquanto a empresa estuda elevar a capacidade anual de EUV para 110 sistemas em 2028.

  Pontos fracos

  Fábricas chinesas de wafers ainda precisam absorver equipamentos de litografia entregues nos últimos anos, e o momento da receita futura depende da construção de novas fábricas.

  Comparação

  Espera-se que a receita da China represente aproximadamente 20% da receita total em 2026, no extremo superior da faixa histórica de 15%—20%.

  Riscos

  Atrasos de EUV, ciclicidade dos investimentos de capital e mudanças adversas de participação de mercado.

• ASMI (ASMI.AS)

  Uma beneficiária da demanda chinesa de lógica madura e foundries por equipamentos de deposição; o Goldman Sachs reitera sua recomendação de Compra.

  Pontos fortes

  Os pedidos chineses foram fortes no primeiro semestre de 2026, e o mix regional de vendas beneficia a receita e a margem bruta.

  Pontos fracos

  A visibilidade da demanda para 2027 ainda depende do comportamento dos clientes e do ambiente regulatório.

  Comparação

  Preço-alvo de 12 meses de €955, baseado em EV/EBITDA de 20x para 2HCY27+1HCY28E.

  Riscos

  Deterioração do ciclo de semicondutores, concorrência mais forte do que o esperado e alta concentração de clientes.

• BESI (BESI.AS)

  Uma beneficiária da expansão de capacidade de encapsulamento avançado necessária para CoWoS 2.5D, fotônica, módulos conectáveis e smartphones de ponta; o Goldman Sachs reitera sua recomendação de Compra.

  Pontos fortes

  Forte demanda por encapsulamento avançado e sinais iniciais de recuperação na demanda industrial e automotiva chinesa.

  Pontos fracos

  A recuperação do portfólio de encapsulamento convencional continua dependente da demanda dos mercados finais.

  Comparação

  Preço-alvo de 12 meses de €325, baseado em EV/EBITDA de 29x para 2HCY27+1HCY28E.

  Riscos

  Ciclicidade dos gastos dos clientes, adoção atrasada de ligação híbrida e intensificação da concorrência.

Dados principais

• Taxa de autossuficiência da produção de CI da China70%Junho de 2026, significativamente superior a 38% em janeiro de 2010
• Investimentos de capital chineses em semicondutoresUS$82bn2030E; espera-se que o crescimento anual em 2026—2030E seja de 13%/15%/15%/10%/10%
• Revisões para cima da previsão de investimentos de capital15%/32%/51%/64%/79%Revisões para 2026—2030E, respectivamente, versus a previsão de agosto de 2025
• Receita de WFE da ChinaUS$53bn2027E, alta de 20% em termos anuais
• Participação da China nos gastos globais de WFE29%—31%2026—2028E; 22% em 2022
• Participação de equipamentos WFE domésticos chineses31%/34%/38%2026—2028E, calculada pelo valor da receita de WFE da China; 26% em 2025
• Demanda por wafers de 7nm e abaixo619k wpm2035E; CAGR de 17% em 2025—2035E
• Oferta de wafers de 7nm e abaixo410k wpm2035E; CAGR de 46% em 2025—2035E
• Lacuna doméstica entre oferta e demanda de 7nm e abaixo34%2035E, abaixo de 92% em 2025
• Premissas de rendimento de nós avançados23%/50%/75%Correspondentes a 2026E, 2030E e 2035E, respectivamente
• TAM de chips de IA da ChinaUS$4,123bn/US$678bn/US$66bnCenários otimista/base/pessimista para 2030E, correspondentes a CAGRs de 142%/69%/6% em 2025—2030E
• Embarques de chips de IA da China237m/39m/4mCenários otimista/base/pessimista para 2030E
• Consumo de eletricidade de TI relacionado a chips de IA chineses196GW/32GW/3GWCenários otimista/base/pessimista para 2030E
• TAM de DRAM da ChinaUS$257bn2028E; CAGR de 50% em 2026—2028E
• TAM de HBM da ChinaUS$32bn2028E; CAGR de 188% em 2026—2028E
• Capacidade da CXMT665k wpm2030E, mais que o dobro do nível de 2026E
• Cobertura da CXMT da demanda chinesa por DRAM50%2028E
• Preço-alvo e valuation da CXMTRmb129; 24x 2027E P/EPreço-alvo de 12 meses; crescimento médio de EPS de 77% em 2027—2028E
• EPS diluído da CXMTRmb2.5/5.4/7.1/8.9/11.1/12.91Correspondentes a 2026E—2031E, respectivamente
• Crescimento global de WFE36%/45%Correspondentes a 2026E e 2027E, respectivamente
• Receita na China de quatro empresas japonesas de equipamentos front-end¥1.21tn, 35% da receitaFY2025; ¥1.44tn e 41% no FY2024

Impacto e implicações

O relatório acredita que a expansão da capacidade de semicondutores da China beneficiará tanto fornecedores domésticos quanto estrangeiros de equipamentos, porém com perfis de benefício distintos. Fornecedores domésticos aumentarão suas participações por meio da expansão de categorias e de compras localizadas, enquanto fornecedores globais continuarão participando do mercado por meio de tecnologias líderes necessárias para nós de processo avançados e melhorias de rendimento. A demanda de IA por lógica avançada, HBM e encapsulamento avançado elevará a intensidade de capital por unidade de capacidade e impulsionará a demanda por equipamentos de gravação, deposição, metrologia e back-end. No mercado de memória, a expansão de capacidade da CXMT ajudará a reduzir a lacuna entre oferta e demanda de DRAM da China, mas também se tornará uma variável importante para investidores globais que avaliam o equilíbrio entre oferta e demanda do setor em 2028.

Riscos

• A China possui capacidades insuficientes de litografia, enquanto os investimentos em P&D e capital dos líderes domésticos permanecem significativamente abaixo daqueles dos líderes globais, potencialmente limitando melhorias na autossuficiência baseada em valor.
• Restrições sino-americanas de importação/exportação de semicondutores e outras medidas geopolíticas podem afetar equipamentos, GPUs, EDA, tecnologia de memória e os embarques internacionais da CXMT.
• Empresas americanas de equipamentos podem continuar perdendo participação no mercado chinês devido a controles de exportação e à migração de fábricas chinesas de wafers para fornecedores domésticos.
• A tecnologia de processo da CXMT está várias gerações atrás de seus pares globais, e sua tecnologia HBM tem baixa maturidade, tornando difícil entrar em clientes americanos por meio de HBM no curto a médio prazo.
• A expansão agressiva de capacidade da CXMT pode afetar materialmente o equilíbrio global entre oferta e demanda de DRAM em 2028.
• A ASML enfrenta riscos de atrasos de EUV, ciclicidade dos investimentos de capital e mudanças adversas de participação de mercado.
• A ASMI enfrenta riscos de deterioração do ciclo de semicondutores, concorrência mais forte do que o esperado e concentração de clientes.
• A BESI enfrenta riscos de ciclicidade dos gastos dos clientes, adoção atrasada de ligação híbrida e intensificação da concorrência.

Pontos a observar

• Monitorar a próxima cúpula política China-EUA e outras discussões comerciais para avaliar se podem surgir restrições adicionais em semicondutores, memória, GPUs, equipamentos e EDA.