Industria china de chips de memoria: Los fabricantes chinos de memoria están entrando en la competencia global mediante escala, en lugar de liderazgo tecnológico, y 2028 podría convertirse en un punto de inflexión para los precios y los rendimientos de la industria

Visión general

El informe examina cómo los fabricantes chinos de memoria están reconfigurando la competencia global de DRAM y NAND mediante apoyo político, demanda interna, escala de fabricación y localización de equipos. Su conclusión central es que China aún no ha igualado a los líderes globales en tecnología, coste, homologación de clientes o capacidades de productos de gama alta, pero no necesita un liderazgo tecnológico integral. Siempre que la oferta incremental sea suficiente para afectar los precios marginales, puede modificar la economía de la industria. Este impacto será absorbido por la demanda de IA a corto plazo, pero podría fortalecerse considerablemente a partir de 2028.

Perspectivas principales

El informe considera primero el ascenso de China dentro de los cambios históricos de liderazgo de la industria de memoria: la DRAM fue pionera y estuvo dominada por Estados Unidos en la década de 1970; Japón la superó en la década de 1980 mediante una fabricación de alta calidad y alto rendimiento; y Corea del Sur tomó el liderazgo en la década de 1990 mediante inversiones agresivas, ventajas en coste por bit y rápida migración de procesos, manteniendo su dominio desde 1998. China sigue una vía diferente: CXMT y YMTC primero amplían la memoria convencional apoyándose en el vasto mercado interno, el apoyo político, el capital y la demanda de sustitución de importaciones, y luego avanzan gradualmente sus procesos y niveles de producto. El informe destaca que China no necesita desplazar a Samsung, SK hynix y Micron, ni necesita primero lograr una adopción generalizada en Estados Unidos o Europa. Siempre que la producción nacional sea suficientemente grande, puede reemplazar importaciones, forzar la oferta extranjera hacia otros mercados e influir en la fijación marginal de precios de la memoria convencional. En DRAM, CXMT está pasando de ser un seguidor tecnológico a un proveedor de escala. El informe espera que su capacidad mensual aumente de 180.000 obleas en 2025 a 300.000 en 2026, equivalente al 13% de la capacidad global de obleas de DRAM y al 11% de los envíos de bits. Posteriormente, se espera que la capacidad alcance 500.000 obleas al mes en 2028 y 800.000 en 2031, con aproximadamente el 15% de la cuota global de envíos de bits para 2030. Se espera que la capacidad global de obleas de DRAM alcance 3,374 millones de obleas por mes en 2028, de las cuales CXMT podría representar aproximadamente el 15%, potencialmente superando a Micron, actualmente el tercer mayor fabricante. Sin embargo, una escala de obleas comparable no implica una producción de bits, coste o capacidad de producto comparables. CXMT ha migrado a Gen 4B, un proceso de aproximadamente clase 16 nm, y el informe estima que los rendimientos superan el 90%. Sin embargo, su dependencia de DUV de inmersión y patrón múltiple requiere más máscaras y pasos de proceso, lo que resulta en ciclos de producción más largos y desventajas estructurales en superposición, defectos y coste por bit. Incluso si las especificaciones visibles de DDR5 son similares, los fabricantes líderes mantienen ventajas en producción de bits por oblea, rendimientos, proporción de productos de alta calidad y amplitud de homologaciones de clientes. El informe sostiene que alcanzar plenamente el nivel tecnológico no es un requisito previo para influir en los precios. La influencia estratégica en la memoria de productos básicos depende de si la producción incremental es suficiente para cambiar los precios marginales. Los Tres Grandes tradicionales están destinando más obleas, I+D y recursos de empaquetado hacia HBM y memoria avanzada para servidores, mientras que CXMT está ampliando la DRAM convencional para satisfacer la demanda interna, mejorar rendimientos y generar escala. El aumento de la oferta china ya ha llevado a los fabricantes extranjeros a salir gradualmente de mercados de menor gama, como DDR4 y NAND MLC tradicional. Por lo tanto, China podría establecer un suelo de precios para productos de generaciones anteriores mientras impulsa a los fabricantes globales a hacer una transición más rápida hacia memoria de IA de alta gama. La IA crea lo que el informe denomina una “paradoja”: genera tanto un mercado de beneficios HBM de alto margen para los líderes tradicionales como un punto de entrada a la memoria convencional para los fabricantes chinos. Los centros de datos de IA requieren no solo HBM emparejada con GPU y ASIC, sino también grandes cantidades de DRAM de productos básicos. HBM utiliza chips más grandes y requiere apilamiento, TSV, empaquetado avanzado, pruebas y homologación de clientes. Se espera que su penalización de producción de bits aumente de aproximadamente 2,5 veces la de las obleas de DRAM convencional durante 2021–2023 a aproximadamente 3 veces para 2028. Se espera que la cuota de HBM en el consumo de obleas de DRAM avanzada aumente de aproximadamente el 6% en 2023 al 34% en 2028. Esto atraerá el capital y la capacidad avanzada de los fabricantes tradicionales hacia memoria de IA de alta gama, creando espacio para que CXMT amplíe DDR5 y LPDDR5X convencionales. Al mismo tiempo, la demanda de IA absorberá la producción incremental a corto plazo, retrasando el amplio impacto de la oferta china sobre los precios globales. La propia demanda de HBM de China también se está volviendo urgente. El informe espera que HBM3E pueda convertirse en el principal cuello de botella para las GPU chinas de IA en 2027, a medida que los fabricantes globales desplacen más capacidad hacia HBM4. La investigación sugiere que, incluso con menores rendimientos, CXMT podría producir aproximadamente entre 3 millones y 4 millones de pilas HBM3E en 2027, suficiente para respaldar aproximadamente entre 800.000 y 1 millón de GPU chinas de IA producidas nacionalmente. Se espera que su cuota de envíos de bits HBM alcance el 3,8% en 2026 y el 4,4% en 2027. CXMT también ha desarrollado capacidades de apilamiento 3D para HBM3E de 12 capas, cuya producción en masa el informe espera que comience en la primera mitad de 2027, seguida del desarrollo de HBM4 en 2028. Sin embargo, los rendimientos, el empaquetado, las pruebas y la homologación de aceleradores todavía le impiden convertirse en un sustituto global de los Tres Grandes tradicionales. Incluso después de incorporar el aumento previsto de HBM de CXMT, el modelo de DRAM de Morgan Stanley sigue indicando escasez de mercado de aproximadamente el 17% y el 15% en 2026 y 2027, respectivamente. En consecuencia, el informe divide la cronología en dos fases. Antes de 2028, se espera que la demanda de IA, el desplazamiento de capacidad avanzada por HBM, la sustitución de importaciones internas y los ciclos de homologación de clientes absorban la mayor parte de la oferta incremental de China. Se espera que CXMT permanezca relativamente moderada en un contexto de escasez, atendiendo principalmente DDR, LPDDR y aplicaciones específicas de China que los fabricantes tradicionales ya no priorizan. A partir de 2028, una expansión de capacidad sin precedentes por parte de CXMT, YMTC y fabricantes tradicionales podría alcanzar simultáneamente una escala suficiente para influir en los precios globales y modificar la respuesta de la industria durante las recesiones. La cuestión clave no es simplemente la “DRAM china barata”, sino la transformación del mercado de un oligopolio de tres empresas con objetivos de beneficios ampliamente alineados a una estructura de cuatro proveedores con objetivos estratégicos asimétricos. Los Tres Grandes tradicionales están orientados al beneficio y reducen el gasto de capital, la utilización y el crecimiento de bits cuando la demanda se debilita. CXMT también persigue sustitución de importaciones, aprendizaje tecnológico, resiliencia de la cadena de suministro y autosuficiencia en semiconductores. Si continúa ampliando capacidad durante una recesión, los Tres Grandes tradicionales podrían tener que asumir una mayor parte de los recortes de producción. En NAND, el avance de YMTC proviene más de la arquitectura. Su tecnología Xtacking utiliza unión híbrida; su producto de 267 capas ya está en producción en masa, mientras que se están desarrollando productos con más de 300 capas. Su SSD empresarial TLC PCIe 5.0 alcanza un ancho de banda de lectura secuencial de 14,0–14,2 GB/s y un rendimiento de lectura aleatoria de 3,1 millones–3,3 millones de IOPS. Su PE501 basado en QLC ofrece una capacidad de hasta 122,88 TB, una clasificación de 5.000 ciclos de programación/borrado y 0,6 escrituras de unidad por día, lo que demuestra avances en densidad, resistencia e integración de sistemas. Sin embargo, los lanzamientos de productos no significan que haya obtenido una homologación amplia de los principales proveedores de nube, ni indican que su cartera de productos empresariales haya alcanzado el nivel de los líderes globales. YMTC es el mayor factor variable en la oferta y demanda de NAND después de 2028. Fab 4 y Fab 5 están ambas en construcción, con una capacidad prevista de 100.000 obleas al mes cada una. Si las cinco fábricas anunciadas se utilizan para NAND, su cuota global final podría alcanzar el 24%. El análisis de escenarios del informe supone que la demanda de NAND no relacionada con IA crece un 5% interanual en 2028, la demanda de SSD de IA crece un 30%–60% interanual y la capacidad mensual de YMTC oscila entre 310.000 obleas en el caso base actual y un límite superior potencial de 470.000 obleas en cinco fábricas. Si el gasto de capital en IA continúa creciendo y YMTC mantiene una expansión de capacidad relativamente disciplinada, la oferta de NAND podría seguir ajustada hasta 2028. Si YMTC u otros fabricantes aceleran la expansión de nuevas plantas, podría surgir exceso de oferta. La localización de equipos y materiales es el tercer tema clave. Excepto los equipos DUV, la Gen 4B de CXMT utiliza principalmente equipos fabricados nacionalmente, y los proveedores nacionales están avanzando en homologaciones de grabado, deposición, limpieza, CMP, recubrimiento y revelado e inspección. La penetración de localización en las nuevas fábricas de YMTC se ha acercado al 60%. Sin embargo, los DUV de inmersión, la metrología avanzada, el software de fabricación, los repuestos y el mantenimiento, así como el empaquetado y la homologación de HBM, siguen siendo las áreas menos localizadas. Las restricciones estadounidenses a la exportación de equipos de semiconductores ya han afectado la migración de nodos de proceso, mientras que los fabricantes chinos están mitigando estas limitaciones colaborando con proveedores nacionales de equipos de fabricación de obleas. En consecuencia, la expansión de capacidad de memoria de China seguirá aumentando la demanda de equipos nacionales de deposición, limpieza, inspección y pulido, al tiempo que intensificará la competencia en estos segmentos de equipos. La estructura y los rendimientos de la industria cambiarán en consecuencia. El número de participantes importantes de DRAM disminuyó de 24 en 1996 a 3 en 2020 y aumentará a 4 en 2026 con la entrada de CXMT, aunque la industria sigue estando altamente concentrada. Samsung, SK hynix y Micron aún representan más del 80% del mercado global de DRAM por ingresos, mientras que CXMT representa aproximadamente el 6%. La memoria estratégica, incluida HBM y DRAM avanzada para servidores, continúa concentrada entre los Tres Grandes tradicionales, mientras que la influencia de China en DRAM convencional y NAND está aumentando. El informe espera que el gasto de capital absoluto de la industria de memoria aumente a niveles récord durante 2026–2028 debido a la demanda de IA y la expansión de capacidad de China. Sin embargo, el gasto de capital como porcentaje de los ingresos de la industria disminuirá desde su máximo de 2022 hasta niveles bajos de dos dígitos para 2028 debido a importantes aumentos de precios. Los líderes tradicionales deben seguir invirtiendo en DRAM EUV, HBM, empaquetado avanzado y NAND 3D para mantener sus ventajas en tecnología, coste y mezcla de productos. El coste a más largo plazo es un descenso de los rendimientos sostenibles. El informe considera que el margen operativo actual de DRAM de más del 80% está en riesgo y supone que los márgenes operativos de DRAM a lo largo del ciclo se normalizarán al 50% en los últimos años de su previsión de ingresos residuales a diez años. Dados los avances de YMTC y una competencia más intensa, se espera que los márgenes de NAND disminuyan más rápidamente hasta el 15%–20%. Un mayor gasto de capital absoluto y menores márgenes sostenibles reducirán la capacidad de rendimiento sobre el capital y el ROE. En última instancia, la industria puede experimentar segmentación en lugar de sustitución integral: China influirá cada vez más en los precios marginales de la memoria convencional, mientras que los Tres Grandes tradicionales preservarán fuentes de beneficios diferenciadas y de alto margen mediante HBM, DRAM avanzada para servidores y almacenamiento empresarial. Una amenaza creíble para las fuentes de beneficios de alta gama requeriría que CXMT alcance capacidades competitivas en DRAM avanzada para servidores y HBM, o que YMTC obtenga una homologación amplia de SSD empresariales. Desde una perspectiva de valoración, el informe distingue la revalorización de los picos cíclicos de los niveles normalizados a largo plazo. Los fuertes aumentos de precios de la memoria, la demanda de IA y la mayor visibilidad de beneficios derivada de acuerdos de largo plazo llevaron en algún momento el ratio precio-valor contable promedio a 12 meses de las empresas de DRAM a aproximadamente 4,0 veces, significativamente por encima del máximo histórico típico de aproximadamente 1,8–2,1 veces, antes de descender al nivel actual de aproximadamente 2,4 veces. Las valoraciones actuales corresponden a un ROE de aproximadamente el 50% en 2026, frente a un ROE sostenible del 10%–15%, similar al promedio de 2010–2025. Esto indica que la entrada de China al mercado puede no limitar las valoraciones de pico de ciclo cuando las revisiones al alza de precios y beneficios son suficientemente fuertes. La cuestión más importante es dónde se normalizarán las valoraciones una vez que CXMT y YMTC alcancen escala y la competencia en DRAM y NAND convencionales reduzca los márgenes a lo largo del ciclo, el ROE sostenible y los rendimientos sobre el capital. Por tanto, el informe considera que la oferta china tiene más probabilidades de afectar el rango de valoración normalizado a largo plazo y el suelo a la baja que de impedir la revalorización en los picos cíclicos.

Marco de análisis

Morgan Stanley revisa primero los cambios históricos de liderazgo en la industria de memoria entre Estados Unidos, Japón y Corea del Sur, identificando los papeles de la escala, los rendimientos, el coste por bit y la migración de procesos en la configuración del panorama competitivo. Luego estima por separado la capacidad de DRAM y HBM de CXMT, la cuota de envíos de bits y el impacto sobre oferta y demanda, así como escenarios de NAND para YMTC bajo diferentes ritmos de expansión de capacidad y supuestos de demanda de SSD de IA. Posteriormente, el informe compara a los fabricantes chinos con los líderes globales en costes, equipos, procesos, empaquetado y homologación de clientes, antes de traducir los cambios de oferta en implicaciones para el gasto de capital de la industria, márgenes, ROE y niveles normalizados de precio-valor contable.

Notas metodológicas

• Marco de análisis de industria/sectorMarco de oferta y demanda

  Modelo de equilibrio entre oferta y demanda de DRAM y NAND

  El informe incorpora la demanda de IA, el desplazamiento de capacidad por HBM, la nueva capacidad china y la expansión de capacidad de los fabricantes tradicionales en un modelo unificado de oferta y demanda para evaluar la gravedad de la escasez durante 2026–2028 y determinar cuándo la oferta incremental comenzará a afectar los precios.

• Marco de análisis de industria/sectorDescomposición volumen-precio

  Descomposición de capacidad de obleas, envíos de bits y precios marginales

  El informe distingue la escala de obleas de la producción real de bits y considera además los rendimientos, el área del chip, los pasos de proceso y la penalización de producción de bits de HBM, explicando por qué una capacidad similar no implica costes ni oferta efectiva equivalentes.

• Marco de análisis de industria/sectorAnálisis de curva de costes

  Comparación de coste por bit y capacidades de fabricación

  El informe compara las posiciones de coste de los fabricantes chinos y los líderes tradicionales basándose en integración de procesos, control de defectos, rendimientos, cantidad de máscaras, tiempos de ciclo de producción y producción de bits por oblea.

• Marco de análisis de industria/sectorOtro

  Prueba de estrés de escenarios NAND para 2028

  El informe combina el crecimiento de la demanda de NAND no relacionada con IA, el crecimiento de la demanda de SSD de IA y la capacidad mensual de YMTC en múltiples escenarios para determinar las condiciones de oferta ajustada o exceso de oferta.

• Método de valoraciónModelo de ingresos residuales RIM

  Previsión de ingresos residuales a diez años

  El informe supone una normalización gradual de los márgenes de DRAM y NAND a lo largo del ciclo en su previsión a diez años para evaluar el impacto de la intensificación de la competencia sobre los rendimientos y valoraciones a largo plazo.

• Método de valoraciónValoración PB

  Comparación del ratio precio-valor contable a 12 meses y ROE sostenible

  El informe compara los ratios precio-valor contable actuales, de picos recientes e históricos y los combina con el ROE de 2026 y el ROE sostenible a largo plazo para distinguir la revalorización de picos cíclicos de la valoración normalizada a largo plazo.

• Marco de competencia y estrategiaEconomías de escala/curva de aprendizaje

  Estrategia de escala primero y curva de aprendizaje de fabricación

  El informe considera que CXMT y YMTC primero acumulan capacidades de rendimiento, proceso y cadena de suministro mediante demanda interna y expansión continua de capacidad. Incluso sin liderazgo tecnológico integral, pueden reconfigurar la competencia de la industria a través de la escala.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• CXMT

  Al ampliar la DRAM convencional y avanzar en HBM producida nacionalmente, se está convirtiendo en una variable importante para la sustitución de importaciones de China y la fijación marginal global de precios de DRAM.

  Fortalezas

  Demanda interna, apoyo político y de capital, rendimientos de Gen 4B superiores al 90%, rápida expansión de capacidad y avances en productos DDR5, LPDDR5X y HBM3E.

  Debilidades

  Dependencia de DUV de inmersión y patrón múltiple, con desventajas en coste por bit, tiempo de ciclo, producción de alta calidad, empaquetado HBM y homologación de clientes.

  Comparación

  Se espera que potencialmente supere a Micron en 2028, pero aún está por detrás de los Tres Grandes tradicionales en profundidad tecnológica de HBM, confianza de clientes globales y cobertura.

  Riesgos

  Las restricciones a la exportación de equipos, la complejidad del proceso, los rendimientos y el avance de homologaciones podrían limitar la migración de nodos y el crecimiento del volumen de productos de alta gama.

• YMTC

  Sus avances arquitectónicos en NAND y las fábricas en construcción la convierten en el mayor factor variable de la oferta y demanda global de NAND después de 2028.

  Fortalezas

  Arquitectura de unión híbrida Xtacking, producción en masa de productos de 267 capas, desarrollo de productos con más de 300 capas y avances en capacidad, ancho de banda y resistencia de SSD empresariales.

  Debilidades

  Aún no ha demostrado la capacidad de obtener una homologación amplia de los principales proveedores de nube, y su cartera de productos empresariales no ha alcanzado el nivel de los líderes globales.

  Comparación

  El informe espera que pueda convertirse en el segundo mayor fabricante de NAND del mundo en 2028. Si las cinco fábricas se utilizan para NAND, su cuota global final podría alcanzar el 24%.

  Riesgos

  Si la capacidad se expande más rápido que la demanda de SSD de IA, podría desencadenar exceso de oferta de NAND.

• Samsung, SK hynix y Micron

  Todavía controlan la memoria estratégica y más del 80% de los ingresos globales de DRAM, pero la expansión de capacidad de China podría debilitar su cuota de productos convencionales y sus rendimientos a lo largo del ciclo.

  Fortalezas

  Liderazgo en procesos EUV, coste por bit, rendimientos, HBM, empaquetado avanzado, DRAM para servidores, almacenamiento empresarial y homologación de clientes globales.

  Debilidades

  HBM requiere mucho capital y capacidad, mientras que se necesita inversión continua para mantener ventajas tecnológicas y de mezcla de productos.

  Comparación

  En comparación con los fabricantes chinos, los Tres Grandes tienen claras ventajas tecnológicas y de costes, pero su disciplina de producción orientada al beneficio podría dejarlos con una mayor responsabilidad de equilibrar el mercado si CXMT continúa ampliando capacidad.

  Riesgos

  La intensificación de la competencia en DRAM y NAND convencionales podría reducir los márgenes sostenibles, el ROE, los rendimientos sobre el capital y las valoraciones normalizadas a largo plazo.

• Proveedores chinos de equipos de fabricación de semiconductores

  La expansión de las fábricas chinas de memoria y la localización de equipos seguirán aumentando la demanda de equipos de deposición, grabado, limpieza, CMP, recubrimiento y revelado e inspección.

  Fortalezas

  Han participado en la expansión de Gen 4B de CXMT y están avanzando en homologaciones en múltiples pasos críticos del proceso; la penetración de localización en las nuevas fábricas de YMTC se acerca al 60%.

  Debilidades

  DUV de inmersión, metrología avanzada, software de fabricación, repuestos y mantenimiento, y empaquetado HBM siguen siendo áreas débiles.

  Comparación

  La cobertura de equipos nacionales se está expandiendo, pero aún no se han logrado avances decisivos en varias herramientas avanzadas y capacidades de servicio.

  Riesgos

  La validación técnica insuficiente, la homologación de clientes y las capacidades de equipos avanzados podrían limitar el ritmo de localización.

Datos clave

• Capacidad mensual de CXMT180.000 obleas en 2025, 300.000 en 2026, 500.000 en 2028 y 800.000 en 2031El informe espera adiciones anuales de capacidad de aproximadamente 100.000 obleas al mes después de 2026
• Cuota global de DRAM de CXMT en 202613% de la capacidad de obleas y 11% de los envíos de bitsCorresponde a aproximadamente 300.000 obleas mensuales de capacidad
• Cuota global de envíos de bits de CXMT en 2030Aproximadamente 15%Previsión del informe
• Capacidad global de obleas de DRAM en 20283,374 millones de obleas por mesCXMT podría representar aproximadamente el 15%
• Proceso Gen 4B de CXMTAproximadamente de clase 16 nm, con rendimientos superiores al 90%La transición a una producción del 100% se completó en el segundo trimestre de 2026
• Penalización de producción de bits de HBMAumentando de aproximadamente 2,5 veces a aproximadamente 3 vecesDel nivel de 2021–2023 al nivel previsto para 2028
• Participación de HBM en el consumo de obleas de DRAM avanzadaAproximadamente 6% en 2023 y 34% en 2028HBM desplaza la capacidad de obleas de DRAM avanzada
• Producción HBM3E de CXMT en 2027Aproximadamente 3 millones–4 millones de pilasSe espera que respalde aproximadamente 800.000–1 millón de GPU chinas de IA producidas nacionalmente
• Cuota de envíos de bits HBM de CXMT3,8% en 2026 y 4,4% en 2027Previsión del informe
• Déficit de oferta de DRAMAproximadamente 17% en 2026 y aproximadamente 15% en 2027Incluye el aumento previsto de capacidad HBM de CXMT
• Capacidad de YMTC en construcción100.000 obleas por mes cada una en Fab 4 y Fab 5Si las cinco fábricas anunciadas se utilizan para NAND, su cuota global final podría alcanzar el 24%
• Supuestos de escenarios NAND para 2028Crecimiento de demanda no relacionada con IA del 5% interanual, crecimiento de demanda de SSD de IA del 30%–60% interanual y capacidad de YMTC de 310.000–470.000 obleas por mesUtilizados para probar los riesgos de oferta ajustada y exceso de oferta
• Rendimiento de SSD empresarial TLC de YMTCLecturas secuenciales de 14,0–14,2 GB/s y lecturas aleatorias de 3,1 millones–3,3 millones de IOPSProducto PCIe 5.0
• Capacidad y resistencia de YMTC PE501122,88 TB, 5.000 ciclos de programación/borrado y 0,6 escrituras de unidad por díaSSD empresarial basado en QLC
• Número de participantes de la industria de DRAM24 en 1996, 3 en 2020 y 4 en 2026El número aumenta en 2026 debido a la entrada de CXMT
• Cuota de ingresos globales de DRAMMás del 80% combinado para los Tres Grandes tradicionales y aproximadamente 6% para CXMTEstimación para 2026
• Supuestos de margen operativo a largo plazo50% para DRAM y 15%–20% para NANDNiveles normalizados de los últimos años en la previsión de ingresos residuales a diez años; el margen operativo actual de DRAM supera el 80%
• Ratio precio-valor contable a 12 meses de empresas de DRAMPico reciente de aproximadamente 4,0 veces, nivel actual de aproximadamente 2,4 veces y pico histórico típico de aproximadamente 1,8–2,1 vecesUtilizado para comparar valoraciones de pico cíclico y normalizadas a largo plazo
• ROE de empresas de DRAMAproximadamente 50% en 2026 y un nivel sostenible de 10%–15%El nivel sostenible es comparable al promedio de 2010–2025

Impacto e implicaciones

El informe considera que el impacto a corto plazo de la expansión de capacidad de memoria de China se reflejará principalmente en gasto de capital, sustitución de importaciones y cuota de mercado, en lugar de una reducción inmediata de los precios globales. La demanda de IA y el desplazamiento de capacidad avanzada por HBM continuarán respaldando una oferta ajustada en 2026–2027. A partir de 2028, si los fabricantes chinos siguen expandiendo capacidad en busca de objetivos estratégicos distintos de los de los líderes tradicionales, la industria podría pasar de un oligopolio disciplinado de tres empresas a cuatro competidores con objetivos asimétricos, reduciendo los márgenes a largo plazo, el ROE y los rendimientos sobre el capital de DRAM y NAND convencionales. Los líderes tradicionales aún pueden preservar fuentes de beneficios de alta gama mediante HBM, DRAM avanzada para servidores y almacenamiento empresarial, mientras que los fabricantes chinos de equipos de semiconductores se beneficiarán de la construcción continua de fábricas y de la demanda de localización de equipos.

Riesgos

• A partir de 2028, la expansión simultánea de capacidad por fabricantes chinos y tradicionales podría debilitar la disciplina de oferta y aumentar el riesgo de caída de precios de DRAM y NAND o exceso de oferta.
• Si CXMT continúa expandiendo capacidad durante una desaceleración de la demanda para perseguir sustitución de importaciones y aprendizaje tecnológico, los Tres Grandes tradicionales podrían verse obligados a realizar más recortes de producción, reduciendo los márgenes y rendimientos sobre el capital de la industria a largo plazo.
• Si el gasto de capital en IA o la demanda de SSD de IA no cumplen los supuestos de los escenarios, o si YMTC y otros fabricantes aceleran la expansión de nuevas plantas, NAND podría pasar de una oferta ajustada a un exceso de oferta.
• Las restricciones estadounidenses a la exportación de equipos y las capacidades insuficientes en DUV de inmersión, metrología avanzada, software de fabricación, repuestos y mantenimiento podrían ralentizar la migración de nodos y las mejoras de rendimiento de los fabricantes chinos.
• La HBM de CXMT aún enfrenta limitaciones en rendimientos, empaquetado avanzado, pruebas y homologación de aceleradores, mientras que los SSD empresariales de YMTC aún no han obtenido una homologación amplia de los principales proveedores de nube.
• Si los fabricantes chinos se expanden aún más hacia DRAM avanzada para servidores, HBM y SSD empresariales, la competencia se extenderá desde el mercado impulsado por escala de productos convencionales hacia las fuentes de beneficios de alta gama de los líderes tradicionales.

Aspectos que vigilar

• Vigilar si CXMT puede elevar su capacidad a las 500.000 obleas mensuales previstas para 2028 y convertirse en un proveedor variable capaz de influir en la fijación marginal de precios global.
• Vigilar si CXMT continúa expandiendo capacidad cuando la demanda se debilita y cómo los Tres Grandes tradicionales ajustan el gasto de capital, la utilización y el crecimiento de bits.
• Vigilar los avances de CXMT en rendimientos, empaquetado, pruebas y homologación de clientes al comenzar la producción en masa de HBM3E de 12 capas en la primera mitad de 2027 y avanzar HBM4 en 2028.
• Vigilar el ritmo de construcción de Fab 4 y Fab 5 de YMTC, los usos reales de las cinco fábricas y dónde se sitúa su capacidad mensual dentro de los escenarios de 310.000–470.000 obleas.
• Vigilar si la demanda de SSD de IA puede alcanzar un crecimiento interanual del 30%–60% en 2028 y si la demanda de NAND no relacionada con IA puede alcanzar un crecimiento interanual del 5%.
• Vigilar si YMTC puede obtener una homologación amplia de SSD empresariales de los principales proveedores de nube.
• Vigilar si los equipos fabricados nacionalmente pueden lograr avances en áreas débiles como DUV de inmersión, metrología avanzada, software de fabricación, mantenimiento de repuestos y empaquetado HBM.
• Vigilar cómo la competencia en DRAM y NAND convencionales se traduce en márgenes a lo largo del ciclo, ROE sostenible y el rango normalizado de ratios precio-valor contable a 12 meses.