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SK Hynix Inc.(000660):Goldman Sachs维持SK Hynix买入评级,认为紧张的内存供给和更高的HBM产品组合将支撑定价与盈利能力。

报告认为,在供给持续紧张的背景下,2026年剩余时间内季度价格仍将上涨,2027年HBM定价也将走高,尽管增速可能放缓。Goldman Sachs维持W3,500,000的12个月目标价,相对2026年9月21日的W1,868,000。

机构Goldman Sachs
日期20260922
公司SK Hynix Inc.
代码000660.KS
行业semiconductor memory
评级Buy

摘要

报告认为,在供给持续紧张的背景下,2026年剩余时间内季度价格仍将上涨,2027年HBM定价也将走高,尽管增速可能放缓。Goldman Sachs维持W3,500,000的12个月目标价,相对2026年9月21日的W1,868,000。

买入;12个月目标价W3,500,000;当前价格W1,868,000;隐含上行空间87.4%。
SK Hynix半导体存储HBMDRAMNAND内存定价技术迁移买入
  • 受持续供给紧张支撑,预计2026年剩余时间内季度定价仍将上涨。
  • 随着HBM4对收入贡献提高,预计2026年下半年HBM ASP和利润率将较上半年上升。
  • 由于洁净室产能有限,技术迁移将成为比特增长的核心路径。
  • 管理层计划在3Q26业绩公告前后披露更多股东回报细节。
  • Goldman Sachs维持买入评级,12个月目标价为W3,500,000,隐含上行空间87.4%。

研报解读

概览

这份虚拟会议跟进报告总结了SK Hynix管理层对内存定价、HBM、产能、技术迁移、长期协议和股东回报的展望。Goldman Sachs维持买入评级,认为持续的供给约束和更强的高端HBM产品组合将支撑基本面。

核心观点

SK Hynix预计,季度环比内存价格增长将持续至2026年年底。管理层将其归因于持续的供给紧张、高端HBM占比提升,以及第二季度定价低于预期所带来的基数效应,同时承认价格增长速度可能合理放缓。对于HBM,公司预计,随着HBM4在年末前占收入比例提高,2026年下半年HBM ASP和利润率将较上半年提升。展望2027年,公司预计HBM ASP将进一步上涨,原因是传统DRAM和HBM市场均保持紧张,且高端产品占比更高。 产能约束使技术迁移成为增长的关键机制。现有晶圆厂产能几乎已完全利用,而M15X的主要有效产能预计将主要用于HBM。SK Hynix重申,Yongin晶圆厂计划于2027年2月开业,但产出可能要到2027年末才开始。对于NAND,公司计划使用M17晶圆厂和Solidigm晶圆厂的剩余空间。在制程迁移方面,公司拟将韩国境内DRAM生产从1a nm节点转向1c nm节点,并将境内相当大部分176层NAND产能转为321层NAND,目标是在2026年末前实现比特交叉。 管理层对长期协议仍持建设性看法。鉴于服务器内存(包括HBM)约占DRAM收入的60%,公司认为至少50%的LTA覆盖率最终可能实现,但尚未设定明确的覆盖率目标。公司认为,LTA可改善需求能见度、与客户分担风险、使产出与需求匹配,并提高资本开支效率。 报告还提示近期外汇敏感性:近100%的收入以USD计价,而不足50%的运营费用以外币计价。管理层表示,更多股东回报细节应在3Q26业绩公告前后最终确定,并将在回购和股息之间取得平衡。Goldman Sachs维持买入评级,并基于2026E/27E平均P/E进行估值,采用9.0x目标P/E倍数得出W3,500,000的12个月目标价。

分析框架

Goldman Sachs以虚拟会议中的管理层表述为基础,将内存供需紧张、产品组合和产能约束与定价及盈利能力相联系。随后,报告评估技术迁移计划、LTA益处、外汇敞口和股东回报时间,并采用2026E/27E平均P/E进行估值。

方法论与常识提炼

  • 行业/产业分析框架供需框架

    内存供需分析

    报告将传统DRAM和HBM市场持续的供给紧张,与定价增长和更高的HBM ASP联系起来。

  • 估值方法PE/PEG 估值

    基于2026E/27E平均P/E的12个月目标价

    Goldman Sachs将9.0x目标P/E倍数应用于2026E和2027E平均盈利基础,以计算W3,500,000目标价。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • SK Hynix Inc. (000660.KS)
    核心覆盖公司;预计将受益于紧张的内存供给和更高的HBM产品组合。
    优势
    持续的供给紧张、HBM4组合扩张、计划中的DRAM和NAND技术迁移,以及较高的服务器内存敞口。
    劣势
    现有晶圆厂产能几乎完全利用,且Yongin的有效产出预计要到2027年末。
    对比
    Samsung在HBM业务上的积极进展可能影响SK Hynix的HBM收入和利润。
    风险
    内存供需恶化、终端设备和服务器需求走弱、技术迁移延迟、AI相关资本开支下降及外汇波动。

关键数据

  • 12个月目标价W3,500,000基于2026E/27E平均P/E估值,采用9.0x目标倍数。
  • 当前价格W1,868,000价格截至2026年9月21日收盘。
  • 隐含上行空间87.4%报告所示相对12个月目标价的上行空间。
  • 服务器内存(包括HBM)占DRAM收入比例~60%管理层在讨论LTA时引用的收入组合比例。
  • 潜在LTA覆盖率At least 50%管理层认为最终可能实现,但未设定具体覆盖率目标。
  • Yongin晶圆厂时间安排Opening planned for February 2027; output likely from end-2027该时间安排反映近期可新增晶圆产能有限。
  • 目标P/E倍数9.0x用于2026E/27E平均P/E目标价方法。

影响与含义

报告认为,供给紧张、HBM产品组合改善和制程迁移将支持SK Hynix的内存定价和利润率,而LTA可能改善需求能见度及资本配置效率。报告同时强调,外汇敞口是近期盈利变量,股东回报细节则是即将到来的催化因素。

风险

  • 内存供需状况显著恶化或技术迁移延迟,可能削弱业绩。
  • 智能手机、PC或服务器需求走弱,可能降低传统内存需求。
  • Samsung在HBM业务上的积极进展可能对SK Hynix的HBM收入和利润构成压力。
  • AI相关资本开支下降可能减少HBM需求,进而影响HBM收入和利润。
  • 由于收入主要以USD计价而不足一半运营费用以外币计价,外汇波动可能影响近期盈利。

后续跟踪

  • 预计将在3Q26业绩公告前后披露更多股东回报细节,包括回购与股息之间的平衡。
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