レポート解説Hilo Research

半導体製造装置・材料：メモリーおよび先端ノード・ファウンドリーの強さを受け、ゴールドマン・サックスは2026～2028年のグローバルWFE予測を大幅に引き上げ

ゴールドマン・サックスは2026～2028年のウエハ製造装置支出予測をそれぞれ1,500億ドル、2,180億ドル、2,810億ドルへ引き上げた。DRAMと先端ノード・ファウンドリーを主な短期的推進要因とみており、NAND、ロジック半導体、Terafabプロジェクトも中期的な追加支援材料となる。

機関ゴールドマン・サックス

企業グローバル半導体製造装置業界

業界半導体製造装置・材料

格付けApplied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraはすべて買い評価

要約

Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraはすべて買い評価である。レポートには目標株価は示されていない。

2026～2028年のWFE予測は、それぞれ1,500億ドル、2,180億ドル、2,810億ドルへ引き上げられた。
ファウンドリーWFEの引き上げは主に、N2への投資強度の上昇と持続的な顧客需要を反映している。
DRAM設備投資は引き続き増加しているが、業界の生産能力は2028年まで逼迫した状態が続くと予想される。
短期的なNANDの追加投資は主に装置アップグレードに集中しており、供給は2027年までタイトな状態が続く見込みである。
ロジックおよびその他の用途は、Intel需要の改善、成熟ノード・アナログ市場の回復、Terafabからの寄与に支えられている。
ゴールドマン・サックスは、買い評価のグローバル半導体製造装置株8銘柄を引き続き選好している。

レポート解説

概要

第2四半期決算シーズンに明らかになった半導体設備投資の前向きなシグナルを踏まえ、レポートは2026～2028年のウエハ製造装置支出予測を幅広く引き上げた。ゴールドマン・サックスは、短期的な中核成長ドライバーをDRAMと先端ノード・ファウンドリーとみており、中期的にはNAND、ロジック、その他用途へ勢いが広がると予想している。これがグローバル半導体製造装置株に対する継続的な強気見通しを支えている。

主要見解

ゴールドマン・サックスは、2026年、2027年、2028年のグローバル・ウエハ製造装置支出（WFE）予測を、それぞれ1,410億ドル、1,860億ドル、2,080億ドルから1,500億ドル、2,180億ドル、2,810億ドルへ引き上げた。新たな予測は前年比36%、45%、29%の成長を示し、従来予測の28%、32%、12%を上回る。改定は、第2四半期決算シーズンに開示された前向きな設備投資データ、主要半導体装置サプライヤーによる投資計画の大幅な上方修正、およびより建設的な業界見通しに基づく。レポートは、プロセスノード移行、HBM4採用、新規生産能力が共同でこの装置需要サイクルを支えるとみている。なお、図表1のタイトルでは2026年WFE成長率予測は45%、従来32%と記載されている。これらの数値は、本文に記載された2026年の36%、従来28%という数値とともに原レポートに掲載されている。ファウンドリーは、短期的なWFE引き上げの主要な源泉の一つである。ゴールドマン・サックスは2026～2028年のファウンドリーWFE予測を、それぞれ520億ドル、680億ドル、780億ドルから580億ドル、840億ドル、1,090億ドルへ引き上げた。これは前年比45%、45%、30%の成長を意味し、従来の30%、30%、16%を上回る。前回更新以降、N2プロセスへの投資強度が従来想定を上回ることと持続的な顧客需要を反映し、ゴールドマン・サックスは2026年から2028年の各年についてTSMCの設備投資予測を80億ドル引き上げた。今後数四半期にわたりN2が量産立ち上げ段階に入るに伴い、先端ノード・ロジック半導体が引き続きファウンドリー装置需要を牽引するとレポートは予想している。 DRAMももう一つの中核的推進要因である。ゴールドマン・サックスは2026～2028年のDRAM WFE予測を、それぞれ460億ドル、670億ドル、740億ドルから480億ドル、720億ドル、970億ドルへ引き上げた。これは前年比50%、50%、35%の成長を意味し、従来の45%、45%、10%を上回る。同期間において、レポートの2026～2028年平均DRAM設備投資予測はSamsung Electronicsで22%、SK Hynixで19%引き上げられた。支出増加にもかかわらず、ゴールドマン・サックスは業界の生産能力が2028年まで逼迫した状態を維持すると予想しており、HBM需要とプロセス移行により牽引される装置投資だけでは供給制約を急速に解消するには不十分であることを示している。 NANDの年次推移は一律には引き上げられなかった。2026～2028年のNAND WFE予測は、それぞれ110億ドル、150億ドル、220億ドルに改定され、35%、35%、50%の成長を示す。従来予測は110億ドル、170億ドル、200億ドルで、40%、50%、15%の成長を示していた。すなわち、2027年予測は引き下げられ、2028年予測は引き上げられた。ゴールドマン・サックスは、短期的な追加支出が大規模な生産能力増強ではなく、主に装置アップグレードに向けられると予想している。その結果、NAND供給は2027年までタイトな状態が続き、より力強い投資成長は期間後半により明確になる見込みである。ロジックおよびその他用途の予測も大幅に引き上げられた。ゴールドマン・サックスはこれら用途の2026～2028年WFE予測を、それぞれ320億ドル、350億ドル、370億ドルから340億ドル、470億ドル、530億ドルへ引き上げた。これは前年比11%、40%、12%の成長を意味し、従来の5%、9%、6%を上回る。引き上げは主に、予想を上回るIntel需要と成熟ノード・アナログ半導体市場の回復によるものである。SpaceXとTeslaはTerafabの初期段階に約168億ドルをコミットしており、同プロジェクトの装置支出寄与分はロジックおよびその他用途の予測に織り込まれている。総合すると、これらの変更は半導体製造装置株に対するゴールドマン・サックスの強気見通しを補強する。グローバルでは、買い評価のApplied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraを引き続き選好している。レポートの前向きな見方は、業界の装置支出サイクルと、これら選好される装置企業のエクスポージャーに関するものであり、新たな企業別目標株価や明示的なレーティング変更は示していない。

分析フレームワーク

レポートはまず、第2四半期決算シーズンの設備投資情報および装置サプライヤーの見通しに基づいてグローバルWFE総額予測を改定し、その後、ファウンドリー、DRAM、NAND、ロジックおよびその他用途別に増分の源泉を分解している。各セグメント予測には、主要ウエハメーカーによる設備投資改定、プロセスノード移行、HBM4採用、生産能力制約、市場回復、Terafab投資が織り込まれ、最終的にグローバル半導体装置株に対する方向性見通しの根拠となっている。

手法メモ

業界／セクター分析フレームワーク需給フレームワーク
装置投資およびウエハ生産能力の需給分析
レポートは、ウエハ工場の設備投資、プロセスアップグレード、新規生産能力を装置需要のドライバーとして扱い、DRAMおよびNANDの生産能力制約を供給状況の指標として捉え、これらの要因を用いて用途別のWFE成長軌道を評価している。
業界／セクター分析フレームワークその他
用途別WFE予測改定
ゴールドマン・サックスは、まずグローバルWFE総額を予測した上で、ファウンドリー、DRAM、NAND、ロジック／その他に分解し、新旧予測および前年比成長率を比較することで、どの用途と年次が総額予測の引き上げに寄与するかを特定している。

資産マッピングと比較

投資テーゼから固有資産への構造化マッピング（強み、弱み、同業、リスク）。

Applied Materials Inc.
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバルWFEサイクルへのエクスポージャー。
比較
Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
Lam Research Corp.
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバルWFEサイクルへのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
ASML Holding
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された先端ノード・ファウンドリー拡大およびノード移行へのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
Tokyo Electron
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバルWFEサイクルへのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、ASML、ASMI、BESI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
ASM International
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバルWFEサイクルへのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、BESI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
BE Semiconductor Industries
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバル半導体装置投資サイクルへのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、Lasertec、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
Lasertec
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された先端ノード投資およびノード移行へのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Ebaraとともに選好リストに含まれる。
Ebara
ゴールドマン・サックスがグローバルで選好する買い評価の半導体製造装置株に含まれる。
強み
レポートで強調された、引き上げられたグローバルWFEサイクルへのエクスポージャー。
比較
Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertecとともに選好リストに含まれる。

主要データ

グローバルWFE予測2026年 1,500億ドル、2027年 2,180億ドル、2028年 2,810億ドル前年比成長率はそれぞれ36%、45%、29%。従来予測は1,410億ドル、1,860億ドル、2,080億ドルで、成長率は28%、32%、12%だった。
図表1に示された2026年WFE成長率45%図表タイトルでは従来予測は32%と記載されている。本文の総額予測セクションでは別途、2026年は36%、従来28%とされている。
ファウンドリーWFE予測2026年 580億ドル、2027年 840億ドル、2028年 1,090億ドル成長率はそれぞれ45%、45%、30%。従来予測は520億ドル、680億ドル、780億ドルだった。
TSMC設備投資予測改定2026年から2028年にかけて年額80億ドル引き上げN2への投資強度上昇と持続的な顧客需要を反映している。
DRAM WFE予測2026年 480億ドル、2027年 720億ドル、2028年 970億ドル成長率はそれぞれ50%、50%、35%。従来予測は460億ドル、670億ドル、740億ドルだった。
DRAM設備投資予測改定Samsung Electronics +22%、SK Hynix +19%両数値は、前回更新比での2026～2028年平均設備投資予測の増加率を示す。
NAND WFE予測2026年 110億ドル、2027年 150億ドル、2028年 220億ドル成長率はそれぞれ35%、35%、50%。従来予測は110億ドル、170億ドル、200億ドルだった。
ロジック／その他WFE予測2026年 340億ドル、2027年 470億ドル、2028年 530億ドル成長率はそれぞれ11%、40%、12%。従来予測は320億ドル、350億ドル、370億ドルだった。
Terafab初期投資コミットメント約168億ドルSpaceXおよびTeslaがコミットしており、関連する寄与分はすでにロジック／その他予測に織り込まれている。
DRAM生産能力制約の期間2028年までDRAM投資の増加にもかかわらず、ゴールドマン・サックスは業界の生産能力が引き続き制約されると予想している。
NAND供給逼迫の期間2027年まで短期的な追加投資は主に装置アップグレードに集中すると見込まれる。

影響と示唆

レポートは、グローバルWFE成長の広がりと持続期間が従来予想より強いとみている。短期的な成長はDRAM、HBM関連投資、N2先端ノード・ファウンドリーが主導し、中期的な成長はNAND、成熟ノード、アナログ市場の回復、Terafab建設から追加的な支援を受ける。このより高い装置支出軌道が、ゴールドマン・サックスによるグローバル半導体製造装置株への継続的な強気見通しの主な根拠である。

注目点

今後数四半期におけるN2プロセスの立ち上がりペースと、その装置投資強度。
Samsung ElectronicsおよびSK Hynixによる引き上げ後のDRAM設備投資計画の実行と、生産能力制約が2028年まで継続するかどうか。
HBM4移行およびその他のプロセスノード移行による装置需要の押し上げ。
短期的なNAND投資が引き続きアップグレード中心となるか、また2027年以降に供給が緩和するかどうか。
改善するIntel需要および成熟ノード・アナログ半導体市場の回復の持続可能性。
SpaceXおよびTeslaによるTerafab初期段階への約168億ドルの投資の実行進捗。