Interpretación del informeHilo Research

Equipos de capital y materiales para semiconductores: La fortaleza de la memoria y la fundición de nodos avanzados lleva a Goldman Sachs a elevar marcadamente sus previsiones globales de WFE para 2026-2028

Goldman Sachs elevó sus previsiones de gasto en equipos de fabricación de obleas para 2026-2028 a $150bn, $218bn y $281bn, respectivamente, considerando a DRAM y a la fundición de nodos avanzados como los principales impulsores a corto plazo, con apoyo adicional a medio plazo de NAND, chips lógicos y el proyecto Terafab.

InstituciónGoldman Sachs

EmpresaIndustria global de equipos de capital para semiconductores

SectorEquipos de capital y materiales para semiconductores

CalificaciónApplied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara tienen recomendación de Compra

Resumen

Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara tienen recomendación de Compra; el informe no proporciona precios objetivo.

Las previsiones de WFE para 2026-2028 se elevaron a $150bn, $218bn y $281bn, respectivamente.
La mejora de WFE de fundición refleja principalmente una mayor intensidad de inversión en N2 y una demanda sostenida de clientes.
El gasto de capital en DRAM sigue aumentando, pero se espera que la capacidad de la industria permanezca limitada hasta 2028.
La inversión incremental a corto plazo en NAND se centra principalmente en mejoras de equipos, y se espera que la oferta permanezca ajustada hasta 2027.
La lógica y otras aplicaciones reciben apoyo de la mejora de la demanda de Intel, la recuperación de los mercados de nodos maduros y analógicos, y las contribuciones de Terafab.
Goldman Sachs continúa favoreciendo ocho acciones globales de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra.

Interpretación del informe

Visión general

Sobre la base de señales positivas de gasto de capital en semiconductores surgidas durante la temporada de resultados del segundo trimestre, el informe eleva ampliamente sus previsiones de gasto en equipos de fabricación de obleas para 2026-2028. Goldman Sachs considera que los principales motores de crecimiento a corto plazo son DRAM y la fundición de nodos avanzados, mientras que el impulso a medio plazo se ampliará a NAND, lógica y otras aplicaciones, respaldando su visión alcista continuada sobre las acciones globales de equipos de capital para semiconductores.

Perspectivas principales

Goldman Sachs elevó sus previsiones globales de gasto en equipos de fabricación de obleas (WFE) para 2026, 2027 y 2028 de $141bn, $186bn y $208bn a $150bn, $218bn y $281bn, respectivamente. Las nuevas previsiones implican un crecimiento interanual de 36%, 45% y 29%, frente a las previsiones anteriores de 28%, 32% y 12%. Las revisiones se basan en datos positivos de gasto de capital divulgados durante la temporada de resultados del segundo trimestre, revisiones al alza significativas de los planes de inversión de los principales proveedores de equipos de semiconductores y unas perspectivas más constructivas para la industria. El informe considera que las migraciones de nodos de proceso, la adopción de HBM4 y la nueva capacidad respaldarán conjuntamente este ciclo de demanda de equipos. Por separado, el título del Anexo 1 indica que la previsión de crecimiento de WFE para 2026 es 45%, frente al 32% anterior; estas cifras aparecen en el informe original junto con las cifras de 36% y 28% para 2026 citadas en el texto principal. La fundición es una de las principales fuentes de la mejora de WFE a corto plazo. Goldman Sachs elevó sus previsiones de WFE de fundición para 2026-2028 de $52bn, $68bn y $78bn a $58bn, $84bn y $109bn, respectivamente, lo que implica un crecimiento interanual de 45%, 45% y 30%, frente a 30%, 30% y 16% anteriormente. Desde su última actualización, Goldman Sachs ha incrementado su previsión de gasto de capital de TSMC en $8bn cada año entre 2026 y 2028, reflejando una intensidad de inversión para el proceso N2 superior a la asumida previamente y una demanda sostenida de clientes. A medida que N2 entra en la fase de incremento de volumen durante los próximos trimestres, el informe espera que los chips lógicos de nodos avanzados continúen impulsando la demanda de equipos de fundición. DRAM es otro motor central. Goldman Sachs elevó sus previsiones de WFE de DRAM para 2026-2028 de $46bn, $67bn y $74bn a $48bn, $72bn y $97bn, respectivamente, lo que implica un crecimiento interanual de 50%, 50% y 35%, frente a 45%, 45% y 10% anteriormente. Durante el mismo período, las previsiones medias de gasto de capital en DRAM del informe para 2026-2028 se elevaron en 22% para Samsung Electronics y en 19% para SK Hynix. Pese al mayor gasto, Goldman Sachs aún espera que la capacidad de la industria permanezca limitada hasta 2028, lo que indica que la inversión en equipos impulsada por la demanda de HBM y las migraciones de proceso no será suficiente para eliminar rápidamente las restricciones de oferta. La trayectoria anual de NAND no se mejoró de forma generalizada. Las previsiones de WFE de NAND para 2026-2028 se revisaron a $11bn, $15bn y $22bn, respectivamente, lo que implica un crecimiento de 35%, 35% y 50%; las previsiones anteriores eran $11bn, $17bn y $20bn, e implicaban un crecimiento de 40%, 50% y 15%. Esto significa que se redujo la previsión para 2027 mientras se elevó la de 2028. Goldman Sachs espera que el gasto incremental a corto plazo se dirija principalmente a mejoras de equipos, en lugar de grandes ampliaciones de capacidad. Como resultado, se espera que la oferta de NAND permanezca ajustada hasta 2027, y que el crecimiento más fuerte de la inversión se haga más evidente posteriormente en el período. Las previsiones para lógica y otras aplicaciones también se elevaron significativamente. Goldman Sachs aumentó sus previsiones de WFE para estas aplicaciones en 2026-2028 de $32bn, $35bn y $37bn a $34bn, $47bn y $53bn, respectivamente, lo que implica un crecimiento interanual de 11%, 40% y 12%, frente a 5%, 9% y 6% anteriormente. La mejora se atribuye principalmente a una demanda de Intel mejor de lo esperado y a una recuperación de los mercados de nodos maduros y chips analógicos. SpaceX y Tesla se han comprometido a aportar aproximadamente $16.8bn a la fase inicial de Terafab, y la contribución de gasto en equipos del proyecto se ha incorporado a las previsiones de lógica y otras aplicaciones. En conjunto, estos cambios refuerzan la visión alcista de Goldman Sachs sobre las acciones de equipos de capital para semiconductores. A escala global, continúa favoreciendo a Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara, todas con recomendación de Compra. La visión positiva del informe se relaciona con el ciclo de gasto en equipos de la industria y la exposición de estas empresas preferidas de equipos a dicho ciclo; no proporciona nuevos precios objetivo de compañías ni indica acciones explícitas de calificación.

Marco de análisis

El informe revisa primero su previsión total de WFE global basándose en la información de gasto de capital de la temporada de resultados del segundo trimestre y las perspectivas de los proveedores de equipos, y después desglosa las fuentes incrementales por fundición, DRAM, NAND y lógica y otras aplicaciones. La previsión de cada segmento incorpora revisiones de gasto de capital de los principales fabricantes de obleas, migraciones de nodos de proceso, adopción de HBM4, restricciones de capacidad, recuperación del mercado e inversión en Terafab, formando finalmente la base de su visión direccional sobre las acciones globales de equipos de semiconductores.

Notas metodológicas

Marco de análisis de industria/sectorMarco de oferta y demanda
Análisis de oferta y demanda de inversión en equipos y capacidad de obleas
El informe considera el gasto de capital de las fábricas de obleas, las mejoras de procesos y la nueva capacidad como impulsores de la demanda de equipos, y las restricciones de capacidad de DRAM y NAND como indicadores de las condiciones de oferta, utilizando estos factores para evaluar la trayectoria de crecimiento de WFE en distintas aplicaciones.
Marco de análisis de industria/sectorOtro
Revisiones de previsiones de WFE por aplicación
Goldman Sachs primero prevé el WFE global total y luego lo divide en Fundición, DRAM, NAND y Lógica/Otros, comparando previsiones nuevas y anteriores y tasas de crecimiento interanual para identificar qué aplicaciones y años contribuyen a la mejora agregada.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

Applied Materials Inc.
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo global mejorado de WFE destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara.
Lam Research Corp.
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo global mejorado de WFE destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara.
ASML Holding
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta a la expansión de fundición de nodos avanzados y a las migraciones de nodos destacadas en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, Tokyo Electron, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara.
Tokyo Electron
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo global mejorado de WFE destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, ASML, ASMI, BESI, Lasertec y Ebara.
ASM International
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo global mejorado de WFE destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, BESI, Lasertec y Ebara.
BE Semiconductor Industries
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo mejorado de inversión global en equipos de semiconductores destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, Lasertec y Ebara.
Lasertec
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta a la inversión en nodos avanzados y a las migraciones de nodos destacadas en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI y Ebara.
Ebara
Incluida entre las acciones globales preferidas de equipos de capital para semiconductores con recomendación de Compra de Goldman Sachs.
Fortalezas
Expuesta al ciclo global mejorado de WFE destacado en el informe.
Comparación
Incluida en la lista preferida junto con Applied Materials, Lam Research, ASML, Tokyo Electron, ASMI, BESI y Lasertec.

Datos clave

Previsión global de WFE2026 $150bn; 2027 $218bn; 2028 $281bnCorresponde a un crecimiento interanual de 36%, 45% y 29%; las previsiones anteriores eran $141bn, $186bn y $208bn, correspondientes a crecimientos de 28%, 32% y 12%.
Tasa de crecimiento de WFE para 2026 mostrada en el Anexo 145%El título del anexo indica que la previsión anterior era 32%; la sección de previsión agregada del texto principal indica por separado 36% para 2026, frente a 28% anteriormente.
Previsión de WFE de fundición2026 $58bn; 2027 $84bn; 2028 $109bnCorresponde a un crecimiento de 45%, 45% y 30%; las previsiones anteriores eran $52bn, $68bn y $78bn.
Revisión de la previsión de gasto de capital de TSMCElevada en $8bn por año de 2026 a 2028Refleja una mayor intensidad de inversión en N2 y una demanda sostenida de clientes.
Previsión de WFE de DRAM2026 $48bn; 2027 $72bn; 2028 $97bnCorresponde a un crecimiento de 50%, 50% y 35%; las previsiones anteriores eran $46bn, $67bn y $74bn.
Revisión de la previsión de gasto de capital en DRAMSamsung Electronics +22%; SK Hynix +19%Ambas cifras representan incrementos en las previsiones medias de gasto de capital para 2026-2028 con respecto a la actualización anterior.
Previsión de WFE de NAND2026 $11bn; 2027 $15bn; 2028 $22bnCorresponde a un crecimiento de 35%, 35% y 50%; las previsiones anteriores eran $11bn, $17bn y $20bn.
Previsión de WFE de lógica/otros2026 $34bn; 2027 $47bn; 2028 $53bnCorresponde a un crecimiento de 11%, 40% y 12%; las previsiones anteriores eran $32bn, $35bn y $37bn.
Compromiso de inversión inicial en TerafabAproximadamente $16.8bnComprometido por SpaceX y Tesla, con la contribución relacionada ya incorporada en la previsión de Lógica/Otros.
Duración de las restricciones de capacidad de DRAMHasta 2028Incluso con una mayor inversión en DRAM, Goldman Sachs sigue esperando que la capacidad de la industria permanezca limitada.
Duración de la oferta ajustada de NANDHasta 2027Se espera que la inversión incremental a corto plazo se centre principalmente en mejoras de equipos.

Impacto e implicaciones

El informe considera que la amplitud y duración del crecimiento global de WFE son mayores de lo esperado anteriormente: el crecimiento a corto plazo estará liderado por DRAM, la inversión relacionada con HBM y la fundición de nodos avanzados N2, mientras que el crecimiento a medio plazo recibirá apoyo adicional de NAND, nodos maduros, una recuperación del mercado analógico y la construcción de Terafab. Esta trayectoria superior de gasto en equipos es la base principal de la visión alcista continuada de Goldman Sachs sobre las acciones globales de equipos de capital para semiconductores.

Aspectos que vigilar

El ritmo de incremento del proceso N2 durante los próximos trimestres y su intensidad de inversión en equipos.
La ejecución de los planes mejorados de gasto de capital en DRAM de Samsung Electronics y SK Hynix, y si las restricciones de capacidad persisten hasta 2028.
El impulso a la demanda de equipos procedente de la transición a HBM4 y otras migraciones de nodos de proceso.
Si la inversión a corto plazo en NAND sigue centrada en mejoras y si la oferta puede aliviarse después de 2027.
La sostenibilidad de la mejora de la demanda de Intel y la recuperación de los mercados de nodos maduros y chips analógicos.
El progreso de ejecución de la inversión aproximada de $16.8bn de SpaceX y Tesla en la fase inicial de Terafab.