APAC technology and semiconductor supply chain: UBS espera que la demanda sostenida de AI prolongue el ciclo alcista de memoria y equipos de semiconductores de APAC
UBS sostiene que la AI agéntica, la aceleración de la inversión de hyperscalers y el mayor contenido de memoria en servidores respaldan la visibilidad de demanda hasta 2028 y más allá. Su orden sectorial es Memory > Semiconductor Equipment > MLCC > Selected Taiwan Semiconductors; la asequibilidad, la financiación de hyperscalers y la debilidad de dispositivos de consumo siguen siendo las principales limitaciones.
Resumen
UBS sostiene que la AI agéntica, la aceleración de la inversión de hyperscalers y el mayor contenido de memoria en servidores respaldan la visibilidad de demanda hasta 2028 y más allá. Su orden sectorial es Memory > Semiconductor Equipment > MLCC > Selected Taiwan Semiconductors; la asequibilidad, la financiación de hyperscalers y la debilidad de dispositivos de consumo siguen siendo las principales limitaciones.
- UBS prevé que el ciclo alcista de DRAM se extienda hacia 2Q28 y el de NAND hacia 4Q27.
- El capex de los 12 principales hyperscalers se prevé en US$1.0086tn para 2026E y US$1.4475tn para 2027E.
- La demanda de bits de DDR para servidores crecería 81% interanual en 2027 y la de SSD para servidores 50%.
- Los precios contractuales combinados de DRAM subirían 25% QoQ en 3Q26 y 9% en 4Q26; NAND subiría 20% y 8%.
- UBS prefiere Corea y Taiwán y destaca Delta Electronics, MediaTek, NAURA Technology, Samsung Electronics y Tokyo Electron como principales opciones regionales.
- El principal riesgo es la asequibilidad, ya que los ingresos de la industria de memoria se acercan a US$1.64tn en 2027E.
Interpretación del informe
Visión general
El informe evalúa la sostenibilidad de la demanda de infraestructura AI y del ciclo de memoria, y aplica la conclusión a acciones de semiconductores, equipos, componentes y hardware de APAC. UBS concluye que la demanda de AI sigue fuerte, que la escasez de memoria podría persistir hasta 2028 y que memoria, equipos de semiconductores, MLCC y determinadas compañías taiwanesas son las exposiciones más atractivas.
Perspectivas principales
UBS responde afirmativamente a la sostenibilidad del ciclo AI y considera que mejora la visibilidad hacia 2028. TSMC, Samsung Electronics y SK Hynix mantienen visibilidad de demanda de medio plazo; la AI agéntica sería el siguiente punto de inflexión de adopción. UBS prevé mayor demanda de 2027 para CPU, incluidos AMD Venice y Nvidia Vera, y aceleradores AI, especialmente ASIC. Elevó 30% sus previsiones de flujo de caja operativo de 2027 para hyperscalers y neoclouds; la brecha entre flujo de caja y capex sigue siendo el principal riesgo financiero, aunque manejable. El capex de los 12 principales hyperscalers se prevé en US$1.0086tn para 2026E, US$1.4475tn para 2027E y US$1.6186tn para 2028E, con crecimientos de 98.5%, 43.5% y 11.8%. El gasto total de memoria por hyperscalers sería US$368.9bn en 2026E y US$933.2bn en 2027E, 37% y 64% del capex base. La asequibilidad es el límite clave: los ingresos de memoria se acercan a US$1.64tn en 2027E y más de la mitad sería consumida por hyperscalers y neoclouds. Incluso con un escenario de capex de US$1.8tn, la memoria supondría 52% del capex de 2027. UBS considera que la debilidad de demanda no AI no rompe el ciclo de memoria. Los OEM aún deben aceptar subidas de precio; el precio contractual de DRAM móvil aumentaría cerca de 40% QoQ en 3Q26E. UBS prevé ASP contractuales combinados de DRAM de +25% QoQ en 3Q26 y +9% en 4Q26; NAND +20% y +8%. El cumplimiento de DRAM es solo 60%. La demanda de bits de DDR de servidor crecería 81% YoY en 2027 y SSD de servidor 50%; la demanda SSD sin restricción podría duplicar la oferta. El crecimiento de consumo final de DRAM se acelera de 21% en 2026E a 39% en 2027E y NAND crece 24%, extendiendo los ciclos hacia 2Q28 y 4Q27. La reducción de especificaciones HBM no altera la tesis. El cambio de Nvidia VR300 de HBM4E 12-Hi a HBM4 8-Hi elevaría ligeramente la demanda de bits HBM de 2027. La fortaleza de DDR desvía obleas desde HBM, por lo que la oferta de bits HBM crecería solo 47%, por debajo de la demanda. Más reducciones para ASIC son posibles, pero volumen, rendimiento y complejidad de pruebas HBM4E dejan el efecto en pruebas neutral a ligeramente positivo. UBS prevé cuotas de bits HBM de 2027 de Samsung 41%, SK Hynix 37% y Micron 22%. Los LTA no eliminan la ciclicidad, pero deberían estrechar las bandas de precios, elevar márgenes durante el ciclo y sumar más de dos puntos porcentuales al ROE. UBS espera cobertura cercana a 50% de los bits al cierre de año, con 40% en volumen y precio fijos. Los inversores se enfocarán cada vez más en retornos a accionistas de Samsung Electronics y SK Hynix. Fuera de memoria, el orden de preferencia es equipos de semiconductores, MLCC y semiconductores taiwaneses seleccionados. El WFE total se prevé en US$158bn en 2026E, US$226bn en 2027E y US$274.5bn en 2028E; el WFE de memoria aumenta de US$74.5bn a US$113.8bn. La capacidad CoWoS sube de 133kwpm en 2026E a 233kwpm en 2027E y la utilización de 83% a 94%. CoPoS de TSMC apunta a producción FY28, con Nvidia Feynman como primer cliente importante; EMIB-T de Intel tendría rampa comercial en 2H27 y Google TPU v9 sería el primer producto externo principal. CPO es una oportunidad posterior pero relevante. Nvidia podría impulsar switches CPO Spectrum-X desde 2H26E; la adopción de escala vertical sería inicialmente híbrida y podría madurar en 2029E. El mercado de transceptores ópticos en 2030E sería US$32.3bn en el caso base, incluidos US$6.5bn de CPO, o US$55.2bn en el escenario alcista, incluidos US$13.8bn. La fortaleza AI contrasta con la debilidad de consumo: PC -11%/-4% en 2026E/2027E y smartphones -10%/-3%/+2% en 2026E/2027E/2028E. UBS sobrepondera Corea y Taiwán, mantiene Japón neutral e infrapondera China; prefiere sustratos IC, fundición de vanguardia, memoria, MLCC y WFE, y es más cauta en pantallas, PC, smartphones, OSAT y ODM de servidores.
Marco de análisis
UBS comienza con indicadores de demanda final como actividad de tokens AI, flujo de caja, financiación y capex de hyperscalers. Después construye previsiones bottom-up para servidores, aceleradores, HBM, DDR, NAND, capacidad de fundición, CoWoS y equipos. Compara la demanda con producción de obleas, capacidad, utilización, transiciones tecnológicas y asignación de proveedores para evaluar escasez, precios y duración del ciclo, y traduce las conclusiones a ingresos, márgenes, flujo de caja y valoración mediante P/B, P/E, EV/EBITDA y, en ciertos casos, DCF.
Notas metodológicas
Modelización bottom-up de oferta y demanda de semiconductores
UBS compara demanda de bits, producción de obleas, capacidad, utilización y ajustes de inventario para DRAM, HBM, NAND, fundición y empaquetado avanzado.
Transmisión por la cadena de suministro de infraestructura AI
El informe sigue el gasto de hyperscalers desde aceleradores, CPU y memoria hacia fundición, empaquetado, sustratos, potencia, redes, pruebas, materiales y equipos.
Indicadores adelantados del ciclo de semiconductores
UBS usa crecimiento de ingresos, utilización de fundición, ingresos de equipos de ensamblaje y beneficio operativo de memoria para estimar picos y valles.
P/B objetivo basado en ROE de largo plazo y coste de capital
Para Samsung Electronics, SK Hynix y LG Display, UBS deriva múltiplos de valor contable de ROE de largo plazo y coste de capital.
P/E futuro ligado al crecimiento de beneficios
Numerosos objetivos emplean P/E futuro con referencia a rangos históricos, comparables y crecimiento de EPS.
Valoración por flujo de caja descontado
El objetivo de SemiFive usa explícitamente DCF con WACC de 9.9% y crecimiento terminal de 3.0%.
Correspondencia y comparación de activos
Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).
- Samsung Electronics (005930.KS)Principal opción regional y beneficiario clave de memoria; UBS asigna Buy y objetivo Won535,000.
- Fortalezas
- Mejor ejecución HBM4, flexibilidad de capacidad, cuota HBM de 41% prevista para 2027 y posible mayor retorno a accionistas.
- Debilidades
- Las divisiones no vinculadas a memoria enfrentan demanda de consumo débil y la ejecución HBM no ha igualado plenamente a la del par más fuerte.
- Comparación
- UBS espera que Samsung supere a SK Hynix en cuota HBM de 2027, 41% frente a 37%.
- Riesgos
- Asequibilidad de memoria, ejecución HBM o retornos a accionistas inferiores a lo previsto.
- SK Hynix (000660.KS)Exposición de memoria preferida; UBS asigna Buy y objetivo Won3,000,000.
- Fortalezas
- Posición HBM sólida, elevado flujo de caja libre y compromiso de devolver al menos 50% del FCF acumulado 2025-27.
- Debilidades
- UBS prevé crecimiento de envíos HBM de 15% en 2027, inferior al mercado, por reasignación de obleas a DDR.
- Comparación
- La cuota HBM prevista es 37%, inferior al 41% de Samsung pero superior al 22% de Micron.
- Riesgos
- Precio HBM, normalización de cuota y asequibilidad del creciente contenido de memoria.
- Delta Electronics (2308.TW)Key Call Buy regional y beneficiario de mayores requisitos de energía AI; objetivo NT$2,750.
- Fortalezas
- Cartera de red a chip y alrededor de 40% de cuota estimada en un TAM creciente de potencia para servidores AI.
- Debilidades
- La escasez de IC de potencia limita el crecimiento cercano.
- Comparación
- UBS estima que el TAM de potencia AI crece a 69% CAGR desde 2025 hasta US$91.1bn en 2030.
- Riesgos
- Límites de flujo de caja de hyperscalers, red eléctrica y escasez de componentes.
- MediaTek (2454.TW)Opción regional con oportunidades TPU y ASIC; Buy, objetivo NT$7,300.
- Fortalezas
- Posicionamiento sólido en Google TPU v9 y posible cartera adicional de ASIC.
- Debilidades
- La oferta EMIB-T puede limitar volúmenes TPU v9 por encima de 4m.
- Comparación
- UBS prevé ventas TPU de US$18.0bn, US$43.5bn y US$52.5bn en 2027E, 2028E y 2029E.
- Riesgos
- Restricciones de empaquetado, ejecución de proyectos y debilidad de smartphones.
- NAURA Technology (002371.SZ)Opción regional y beneficiario de inversión china en memoria y localización; Buy, objetivo Rmb905.
- Fortalezas
- Posición doméstica líder en WFE, exposición a capex de memoria china y potencial de cuota por localización.
- Debilidades
- La tesis depende fuertemente de inversión continua en fábricas domésticas.
- Comparación
- UBS espera que el capex chino de memoria y la penetración de equipos locales respalden crecimiento superior al mercado.
- Riesgos
- Menor inversión china en memoria, presión de precios o retraso en clientes extranjeros.
- Tokyo Electron (8035.T)Opción regional para DRAM y expansión WFE; Buy, objetivo ¥93,600.
- Fortalezas
- Alta exposición DRAM, iniciativas de precio y posible recuperación de cuota en China.
- Debilidades
- Los resultados son sensibles a los ciclos de inversión de clientes.
- Comparación
- La dirección busca aumentos de precio consistentes con un objetivo de margen bruto de 50%.
- Riesgos
- Demora en inversión de memoria o demanda débil de equipos en China.
- TSMC (2330.TW)Exposición preferida a fundición avanzada y empaquetado avanzado; Buy, objetivo NT$3,650.
- Fortalezas
- Visibilidad AI/HPC hasta 2029-30, expansión CoWoS y hoja de ruta CoPoS.
- Debilidades
- La expansión de capacidad exige capital muy elevado.
- Comparación
- TSMC sigue siendo el proveedor dominante en fundición avanzada y capacidad CoWoS.
- Riesgos
- Ejecución de grandes ampliaciones y desaceleración de demanda de plataformas AI.
- Samsung Electro-Mechanics (009150.KS)Exposición preferida a MLCC y sustratos; Buy, objetivo Won2.7m.
- Fortalezas
- Demanda de MLCC para servidores AI, rampas FC-BGA y mejora de mezcla.
- Debilidades
- La producción de MLCC de alta gama tiene ciclos más largos y menor rendimiento.
- Comparación
- UBS prevé crecimiento del beneficio operativo de 131% en 2026E y 165% en 2027E.
- Riesgos
- Menor demanda AI, retrasos de sustratos o precios más débiles.
- ISU Petasys (007660.KS)Exposición preferida a PCB de switches AI y aceleradores; Buy, objetivo Won190,000.
- Fortalezas
- Mejor mezcla de MLB de alta capa, adjudicaciones ASIC y potencial de capacidad adicional.
- Debilidades
- Su rampa de capacidad es más lenta que la de competidores agresivos.
- Comparación
- El ASP combinado crecería a 24% CAGR desde Won3.8bn/km² en 2024 a Won8.1bn/km² en 2028E.
- Riesgos
- Pérdida de cuota de cartera o capacidad insuficiente.
- Advantest (6857.T)Exposición preferida a pruebas lógicas; Buy, objetivo ¥43,600.
- Fortalezas
- Más de 70% de exposición lógica y apalancamiento a chiplets, CoWoS, CoPoS, EMIB y ASIC.
- Debilidades
- El mercado sigue preocupado por posible erosión de cuota frente a Teradyne.
- Comparación
- Las arquitecturas chiplet elevarían costes de prueba alrededor de 15-30% frente a un solo die.
- Riesgos
- Competencia de testers y menor intensidad de prueba.
- Hanmi Semiconductor (042700.KS)Nombre menos preferido de equipos de bonding HBM; UBS asigna Sell y objetivo Won170,000.
- Fortalezas
- Papel líder en bonding térmico HBM en SK Hynix y Micron.
- Debilidades
- La valoración ya refleja un escenario optimista y la diversificación de proveedores podría reducir cuota.
- Comparación
- UBS prevé cuotas en SK Hynix y Micron de 46% y 84% en 2027E, normalizándose a 45% y 75% en 2030E.
- Riesgos
- Pérdida de cuota, mayor gasto en actualizaciones y pocas adjudicaciones Samsung.
- Largan Precision (3008.TW)Nombre menos preferido; UBS rebajó de Buy a Sell, con objetivo NT$5,000.
- Fortalezas
- Capacidades de fabricación de precisión y potencial de unidades CPO a largo plazo.
- Debilidades
- La cualificación es temprana, los rendimientos son bajos y el campo competitivo está saturado.
- Comparación
- UBS considera que la subida de 242% desde abril excedió el avance de cualificación.
- Riesgos
- Adopción tardía de óptica Gen-3, bajo rendimiento, aceptación de integradores y competencia.
Datos clave
- Capex de los 12 principales hyperscalersUS$1.0086tn in 2026E; US$1.4475tn in 2027E; US$1.6186tn in 2028ECrecimiento previsto de 98.5%, 43.5% y 11.8%, respectivamente.
- Flujo de caja operativo de hyperscalers en 2027+30%UBS elevó 30% sus previsiones de OCF de 2027.
- Duración del ciclo de memoriaDRAM toward 2Q28; NAND toward 4Q27Puntos finales esperados revisados por UBS.
- Cambio de ASP contractual combinado 3Q26/4Q26DRAM +25%/+9% QoQ; NAND +20%/+8% QoQPerspectiva de precios en un contexto de oferta limitada.
- Tasa actual de cumplimiento de DRAM60%Evidencia de escasez persistente.
- Crecimiento de demanda de memoria de servidor en 2027Server DDR +81% YoY; server SSD +50% YoYLa demanda SSD sin restricción podría duplicar la oferta.
- Crecimiento de oferta HBM en 2027+47%Permanecería por debajo de la demanda.
- Previsión de cuota de bits HBM para 2027Samsung 41%; SK Hynix 37%; Micron 22%Samsung superaría a SK Hynix.
- Cobertura LTA de la industriaAbout 50% of total bits by year-endUBS espera 40% con volumen y precios fijos.
- Capacidad CoWoS133kwpm in 2026E; 233kwpm in 2027ELa utilización se prevé en 83% y 94%.
- Unidades AI GPU/acelerador16.933m in 2026E; 28.493m in 2027EAumento de 68% YoY en 2027E.
- Perspectiva de dispositivos de consumoPC units -11%/-4% in 2026E/2027E; smartphones -10%/-3%/+2% in 2026E/2027E/2028EEl hardware de consumo sigue notablemente más débil que la infraestructura AI.
- Oportunidad de mercado CPOUS$6.5bn base case or US$13.8bn upside case in 2030ECPO alcanza 20% de transceptores ópticos en el caso base y 25% en el alcista.
Impacto e implicaciones
UBS espera que el gasto en AI sostenga un ciclo alcista amplio pero desigual en tecnología APAC. Los productores de memoria se benefician primero de escasez y precios; después equipos, pruebas, empaquetado avanzado, sustratos, MLCC, potencia y redes se benefician de mayor capacidad y complejidad. Los negocios de PC, smartphones y pantallas de consumo afrontan un entorno peor de demanda y márgenes por el mayor coste de memoria y componentes.
Riesgos
- La brecha entre flujo de caja operativo y capex de hyperscalers es el principal riesgo financiero, aunque UBS la considera manejable.
- La asequibilidad puede limitar demanda a medida que ingresos de memoria se acercan a US$1.64tn en 2027E.
- La débil demanda de PC, smartphones y otros productos de consumo podría empeorar por mayores costes de memoria y componentes.
- La escasez de IC de potencia, empaquetado y otros componentes puede limitar el cumplimiento de pedidos.
- Los cambios tecnológicos rápidos, la competencia y los ciclos macroeconómicos pueden volver muy volátiles los resultados y valoraciones tecnológicas.
- La adopción de CPO, CoPoS, EMIB-T, HBM4 e hybrid bonding puede retrasarse o generar cuotas distintas a las asumidas.
Aspectos que vigilar
- Seguir flujo de caja, financiación y capex de hyperscalers y neoclouds para evaluar la brecha de financiación.
- Vigilar si la AI agéntica sigue elevando demanda de CPU, ASIC, HBM, DDR5 y SSD de servidor hasta 2027.
- Monitorear precios contractuales, ratios de cumplimiento y la extensión de ciclos DRAM y NAND hacia 2Q28 y 4Q27.
- Seguir cobertura LTA, condiciones fijas y mejora de márgenes y ROE durante el ciclo.
- Vigilar ejecución HBM4 de Samsung y si alcanza 41% de cuota de bits HBM en 2027.
- Seguir anuncios de retorno a accionistas de Samsung Electronics y SK Hynix.
- Monitorear capacidad y utilización CoWoS, rampa EMIB-T en 2H27, producción CoPoS FY28 y adopción CPO hasta 2029.
- Vigilar si la fortaleza de servidores AI compensa la caída de PC y smartphones.