APAC technology and semiconductor supply chain: UBS espera que a demanda sustentada por AI prolongue o ciclo de memória e equipamentos de semicondutores da APAC

Visão geral

O relatório avalia a sustentabilidade da demanda por infraestrutura AI e do ciclo de memória, aplicando as conclusões a ações de semicondutores, equipamentos, componentes e hardware da APAC. A UBS conclui que a demanda por AI permanece forte, a escassez de memória pode persistir até 2028 e memória, equipamentos, MLCC e empresas selecionadas de Taiwan são as exposições mais atraentes.

Visões principais

A UBS responde positivamente à sustentabilidade do ciclo de AI e vê melhor visibilidade até 2028. TSMC, Samsung Electronics e SK Hynix continuam vendo demanda de médio prazo, e a AI agêntica é considerada o próximo ponto de inflexão de adoção. A UBS prevê alta adicional de demanda em 2027 para CPUs, incluindo AMD Venice e Nvidia Vera, e aceleradores AI, sobretudo ASICs. Elevou em 30% as previsões de fluxo de caixa operacional de 2027 para hyperscalers e neoclouds; a lacuna entre caixa e capex é administrável, mas continua sendo o principal risco financeiro. O capex dos 12 principais hyperscalers é projetado em US$1.0086tn em 2026E, US$1.4475tn em 2027E e US$1.6186tn em 2028E, com crescimento de 98.5%, 43.5% e 11.8%. O gasto total com memória é estimado em US$368.9bn em 2026E e US$933.2bn em 2027E, 37% e 64% do capex-base. A acessibilidade é o limite principal: a receita de memória se aproxima de US$1.64tn em 2027E e mais da metade seria consumida por hyperscalers e neoclouds. Mesmo no cenário de US$1.8tn de capex, a memória representa 52% do capex de 2027. A UBS entende que a fraqueza de demanda não-AI não rompeu o ciclo de memória. O preço contratual de DRAM móvel subiria cerca de 40% QoQ em 3Q26E; os ASPs contratuais combinados de DRAM seriam +25% QoQ em 3Q26 e +9% em 4Q26, e NAND +20% e +8%. O cumprimento de DRAM é de apenas 60%. A demanda de bits de DDR de servidor cresceria 81% YoY em 2027 e SSD de servidor 50%; a demanda sem restrição poderia ser o dobro da oferta. O crescimento do consumo final de DRAM acelera de 21% em 2026E para 39% em 2027E e NAND cresce 24%, estendendo os ciclos até 2Q28 e 4Q27. A redução de especificações HBM não altera a tese. A mudança do Nvidia VR300 de HBM4E 12-Hi para HBM4 8-Hi elevaria levemente a demanda de bits HBM de 2027. A demanda por DDR desloca wafers de HBM, de modo que a oferta de bits HBM cresce apenas 47%, abaixo da demanda. Samsung, SK Hynix e Micron teriam 41%, 37% e 22% de participação de bits HBM em 2027. LTA não elimina a ciclicidade, mas deve estreitar faixas de preço, elevar margens e acrescentar mais de dois pontos percentuais ao ROE; a UBS espera cobertura próxima de 50% dos bits e 40% com volume e preço fixos. Fora de memória, a preferência é equipamentos, MLCC e semicondutores taiwaneses selecionados. O WFE total é projetado em US$158bn em 2026E, US$226bn em 2027E e US$274.5bn em 2028E; WFE de memória sobe de US$74.5bn para US$113.8bn. A capacidade CoWoS cresce de 133kwpm para 233kwpm e a utilização de 83% para 94%. CoPoS da TSMC visa produção em FY28, e EMIB-T da Intel teria rampa em 2H27. CPO é uma oportunidade posterior relevante: Nvidia pode impulsionar switches CPO Spectrum-X desde 2H26E, enquanto a adoção direta de escala vertical pode amadurecer em 2029E. O mercado de transceptores ópticos de 2030E é US$32.3bn no caso-base, incluindo US$6.5bn de CPO, ou US$55.2bn no cenário de alta, incluindo US$13.8bn. Em contraste, PCs caem -11%/-4% em 2026E/2027E e smartphones -10%/-3%/+2% em 2026E/2027E/2028E. A UBS está Overweight em Coreia e Taiwan, Neutral no Japão e Underweight na China.

Estrutura de análise

A UBS começa por indicadores de demanda final, como atividade de tokens AI, fluxo de caixa, captação e capex de hyperscalers. Em seguida, constrói previsões bottom-up de servidores, aceleradores, HBM, DDR, NAND, capacidade de fundição, CoWoS e equipamentos, comparando-as com produção de wafers, capacidade, utilização, transições tecnológicas e alocação de fornecedores. Por fim, relaciona as conclusões setoriais a receita, margem, fluxo de caixa e avaliação com P/B, P/E, EV/EBITDA e, para casos selecionados, DCF.

Notas metodológicas

• Marco de análise setorialMarco de oferta e demanda

  Modelagem bottom-up de oferta e demanda de semicondutores

  A UBS compara demanda de bits, produção de wafers, capacidade, utilização e ajuste de estoques em DRAM, HBM, NAND, fundição e encapsulamento avançado.

• Marco de análise setorialTransmissão entre elos da cadeia de valor

  Transmissão pela cadeia de suprimentos de infraestrutura AI

  O relatório acompanha o gasto de hyperscalers de aceleradores, CPUs e memória até fundição, encapsulamento, substratos, energia, rede, testes, materiais e equipamentos.

• Marco de ciclo e conjunturaAnálise de pontos de inflexão do ciclo

  Indicadores antecedentes do ciclo de semicondutores

  A UBS usa crescimento de receita, utilização de fundição, receita de equipamentos de montagem e lucro operacional de memória para estimar picos e vales.

• Métodos de avaliaçãoAvaliação por P/VPA

  P/B-alvo com base em ROE de longo prazo e custo de capital

  Para Samsung Electronics, SK Hynix e LG Display, a UBS deriva múltiplos de valor patrimonial a partir de ROE de longo prazo e custo de capital.

• Métodos de avaliaçãoAvaliação por P/L e PEG

  P/E futuro ligado ao crescimento de lucros

  Diversos preços-alvo aplicam P/E futuro com referência a faixas históricas, pares e crescimento de EPS de longo prazo.

• Métodos de avaliaçãoDCF (fluxo de caixa descontado)

  Valuation por fluxo de caixa descontado

  O preço-alvo de SemiFive usa explicitamente DCF com WACC de 9.9% e crescimento terminal de 3.0%.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• Samsung Electronics (005930.KS)

  Principal escolha regional e beneficiária-chave de memória; UBS atribui Buy e alvo Won535,000.

  Pontos fortes

  Melhor execução HBM4, flexibilidade de capacidade, participação HBM de 41% em 2027 e potencial de maior retorno ao acionista.

  Pontos fracos

  Divisões não relacionadas à memória enfrentam consumo fraco e a execução HBM não igualou plenamente a do concorrente mais forte.

  Comparação

  A UBS espera que Samsung supere SK Hynix em participação HBM de 2027, 41% versus 37%.

  Riscos

  Acessibilidade de memória e execução HBM ou retorno ao acionista abaixo do esperado.

• SK Hynix (000660.KS)

  Exposição preferida à memória; UBS atribui Buy e alvo Won3,000,000.

  Pontos fortes

  Forte posição em HBM, grande geração de FCF e compromisso de retornar ao menos 50% do FCF acumulado de 2025-27.

  Pontos fracos

  A UBS prevê crescimento de remessas HBM de 15% em 2027, abaixo do mercado, pela realocação de wafers para DDR.

  Comparação

  A participação HBM prevista é 37%, abaixo de 41% da Samsung, mas acima de 22% da Micron.

  Riscos

  Preço HBM, normalização de participação e acessibilidade do maior conteúdo de memória.

• Delta Electronics (2308.TW)

  Key Call Buy regional e beneficiária de maior demanda de energia de servidores AI; alvo NT$2,750.

  Pontos fortes

  Portfólio amplo de rede a chip e cerca de 40% de participação estimada no mercado crescente de energia AI.

  Pontos fracos

  Escassez de ICs de potência restringe crescimento no curto prazo.

  Comparação

  A UBS estima que o TAM de energia AI cresça a 69% CAGR entre 2025 e US$91.1bn em 2030.

  Riscos

  Restrições de caixa dos hyperscalers, rede elétrica e falta persistente de componentes.

• MediaTek (2454.TW)

  Escolha regional com oportunidades TPU e ASIC; Buy, alvo NT$7,300.

  Pontos fortes

  Forte posicionamento em Google TPU v9 e potencial de novos projetos ASIC.

  Pontos fracos

  A oferta EMIB-T pode restringir volumes TPU v9 acima de 4m.

  Comparação

  A UBS prevê vendas TPU de US$18.0bn, US$43.5bn e US$52.5bn em 2027E, 2028E e 2029E.

  Riscos

  Restrição de encapsulamento, execução e demanda fraca de smartphones.

• NAURA Technology (002371.SZ)

  Escolha regional e beneficiária da memória chinesa e localização de equipamentos; Buy, alvo Rmb905.

  Pontos fortes

  Posição líder em WFE doméstico, exposição a capex chinês e potencial de participação pela localização.

  Pontos fracos

  A tese depende fortemente de investimento contínuo em fábricas domésticas.

  Comparação

  A UBS espera que capex de memória e penetração de equipamentos locais na China sustentem crescimento acima do mercado.

  Riscos

  Menor capex chinês, pressão de preço ou atraso na penetração internacional.

• Tokyo Electron (8035.T)

  Escolha regional para DRAM e expansão de WFE; Buy, alvo ¥93,600.

  Pontos fortes

  Alta exposição a DRAM, iniciativas de preço e possível recuperação de participação na China.

  Pontos fracos

  Resultados são sensíveis ao ciclo de investimento dos clientes.

  Comparação

  A administração busca aumentos de preços consistentes com meta de margem bruta de 50%.

  Riscos

  Atraso do investimento em memória ou demanda fraca de equipamentos na China.

• TSMC (2330.TW)

  Exposição preferida a fundição e encapsulamento avançados; Buy, alvo NT$3,650.

  Pontos fortes

  Visibilidade AI/HPC até 2029-30, expansão CoWoS e roteiro CoPoS.

  Pontos fracos

  Expansão de capacidade requer capital muito elevado.

  Comparação

  TSMC segue dominante em fundição avançada e capacidade CoWoS.

  Riscos

  Execução de grandes expansões e desaceleração da demanda por plataformas AI.

• Samsung Electro-Mechanics (009150.KS)

  Exposição preferida a MLCC e substratos; Buy, alvo Won2.7m.

  Pontos fortes

  Demanda de MLCC para servidores AI, rampas FC-BGA e melhor mix.

  Pontos fracos

  MLCC de alto nível exige ciclos mais longos e possui menor rendimento.

  Comparação

  A UBS prevê crescimento de lucro operacional de 131% em 2026E e 165% em 2027E.

  Riscos

  Menor demanda AI, atraso de substratos ou preços fracos.

• ISU Petasys (007660.KS)

  Exposição preferida a PCB de switches e aceleradores AI; Buy, alvo Won190,000.

  Pontos fortes

  Melhor mix de MLB de alta camada, vitórias ASIC e capacidade adicional potencial.

  Pontos fracos

  A rampa de capacidade é mais lenta que a de concorrentes agressivos.

  Comparação

  O ASP combinado cresceria a 24% CAGR de Won3.8bn/km² em 2024 para Won8.1bn/km² em 2028E.

  Riscos

  Perda de participação relativa ou expansão insuficiente.

• Advantest (6857.T)

  Exposição preferida a testes lógicos; Buy, alvo ¥43,600.

  Pontos fortes

  Mais de 70% de exposição lógica e alavancagem a chiplets, CoWoS, CoPoS, EMIB e ASIC.

  Pontos fracos

  O mercado ainda teme perda de participação para Teradyne.

  Comparação

  Arquiteturas chiplet aumentariam custos de teste em cerca de 15-30% frente a um único die.

  Riscos

  Concorrência de testers e menor intensidade de teste.

• Hanmi Semiconductor (042700.KS)

  Nome menos preferido em bonding HBM; UBS atribui Sell e alvo Won170,000.

  Pontos fortes

  Papel líder em bonding térmico HBM na SK Hynix e Micron.

  Pontos fracos

  A avaliação já reflete cenário otimista e diversificação de fornecedores pode reduzir participação.

  Comparação

  A UBS prevê participação na SK Hynix e Micron de 46% e 84% em 2027E, normalizando para 45% e 75% em 2030E.

  Riscos

  Perda de participação, mais atualizações em vez de novas ferramentas e poucas vitórias na Samsung.

• Largan Precision (3008.TW)

  Nome menos preferido; UBS rebaixou de Buy para Sell, com alvo NT$5,000.

  Pontos fortes

  Capacidade de manufatura de precisão e potencial CPO de longo prazo.

  Pontos fracos

  Qualificação inicial, rendimentos baixos e campo competitivo lotado.

  Comparação

  A UBS considera que a alta de 242% desde abril superou o progresso de qualificação.

  Riscos

  Adoção tardia de óptica Gen-3, baixo rendimento, aceitação de integradores e concorrência.

Dados principais

• Capex dos 12 principais hyperscalersUS$1.0086tn in 2026E; US$1.4475tn in 2027E; US$1.6186tn in 2028ECrescimento previsto de 98.5%, 43.5% e 11.8%, respectivamente.
• Fluxo de caixa operacional dos hyperscalers em 2027+30%A UBS elevou em 30% suas previsões de OCF de 2027.
• Duração do ciclo de memóriaDRAM toward 2Q28; NAND toward 4Q27Pontos finais previstos revisados pela UBS.
• Variação do ASP contratual combinado em 3Q26/4Q26DRAM +25%/+9% QoQ; NAND +20%/+8% QoQPerspectiva de preços sob restrição de oferta.
• Taxa atual de cumprimento de DRAM60%Evidência de escassez persistente.
• Crescimento da demanda de memória de servidor em 2027Server DDR +81% YoY; server SSD +50% YoYA demanda SSD sem restrição pode ser o dobro da oferta.
• Crescimento da oferta de HBM em 2027+47%Deve permanecer abaixo da demanda.
• Previsão de participação de bits HBM em 2027Samsung 41%; SK Hynix 37%; Micron 22%Samsung superaria SK Hynix.
• Cobertura LTA da indústriaAbout 50% of total bits by year-endA UBS espera 40% cobertos por volume e preço fixos.
• Capacidade CoWoS133kwpm in 2026E; 233kwpm in 2027EA utilização é prevista em 83% e 94%.
• Unidades de GPU/aceleradores AI16.933m in 2026E; 28.493m in 2027EAlta de 68% YoY em 2027E.
• Perspectiva de dispositivos de consumoPC units -11%/-4% in 2026E/2027E; smartphones -10%/-3%/+2% in 2026E/2027E/2028EHardware de consumo continua muito mais fraco que infraestrutura AI.
• Oportunidade de mercado CPOUS$6.5bn base case or US$13.8bn upside case in 2030ECPO alcança 20% dos transceptores no caso-base e 25% no cenário de alta.

Impacto e implicações

A UBS espera que gastos em AI sustentem um ciclo de alta amplo, porém desigual, em tecnologia APAC. Produtores de memória se beneficiam primeiro de escassez e preços; equipamentos, testes, encapsulamento, substratos, MLCC, energia e rede seguem com expansão de capacidade e complexidade. PCs, smartphones e displays voltados ao consumo enfrentam ambiente menos favorável de demanda e margens por custos maiores.

Riscos

• A lacuna entre fluxo de caixa operacional e capex de hyperscalers é o principal risco financeiro, embora a UBS a considere administrável.
• A acessibilidade pode limitar demanda à medida que a receita de memória se aproxima de US$1.64tn em 2027E.
• Demanda fraca de PCs, smartphones e consumo pode piorar com custos mais altos de memória e componentes.
• Escassez de IC de potência, encapsulamento e outros componentes pode limitar o atendimento de pedidos.
• Mudanças tecnológicas rápidas, competição e ciclos macroeconômicos podem tornar resultados e valuations de tecnologia muito voláteis.
• A adoção de CPO, CoPoS, EMIB-T, HBM4 e hybrid bonding pode atrasar ou resultar em participações diferentes das assumidas.

Pontos a observar

• Acompanhar fluxo de caixa, financiamento e capex de hyperscalers e neoclouds para avaliar a lacuna de financiamento.
• Observar se AI agêntica continua elevando a demanda de CPU, ASIC, HBM, DDR5 e SSD de servidor até 2027.
• Monitorar preços contratuais, cumprimento e extensão dos ciclos DRAM e NAND até 2Q28 e 4Q27.
• Acompanhar cobertura LTA, termos fixos e efeito sobre margens e ROE.
• Observar execução HBM4 da Samsung e se alcança 41% de participação HBM em 2027.
• Acompanhar anúncios de retorno a acionistas de Samsung Electronics e SK Hynix.
• Monitorar capacidade e utilização CoWoS, rampa EMIB-T em 2H27, produção CoPoS FY28 e adoção CPO até 2029.
• Observar se servidores AI compensam quedas de PCs e smartphones.