Samsung Electronics (005930): UBS vê a Samsung beneficiada pela demanda crescente de memória para IA e por potencial retorno aos acionistas

Visão geral

Este Key Call do UBS sustenta que a Samsung Electronics se beneficiará da demanda de memória impulsionada por IA, além de HBM, incluindo DDR5 para servidores, LPDDR5 e armazenamento NAND. O UBS mantém Buy e alvo de Won535,000, vendo rentabilidade de longo prazo, fluxo de caixa livre e possíveis distribuições aos acionistas ainda insuficientemente precificados.

Visões principais

A tese central do UBS é que a demanda por IA continua mais forte e ampla do que sugerem as preocupações com desaceleração. A Samsung não observou evidências de clientes reduzindo a demanda por memória. A IA agêntica eleva a demanda não só por HBM, mas também por DDR5 e LPDDR5 para servidores convencionais e nós de CPU em servidores de IA, além de NAND flash para cache KV e armazenamento. Assim, o UBS prevê crescimento de 40% YoY no consumo final de bits DRAM em 2027E, acelerando de 21% em 2026E, e crescimento de 24% em NAND flash. A oferta deve ficar atrás da demanda, pois quase toda a capacidade adicional de wafers DRAM vai para HBM e não há nova capacidade NAND fora da China. O UBS identifica a acessibilidade como o principal risco do setor, com a receita da indústria de memória se aproximando de US$1.64tn em 2027E. O relatório eleva a previsão de ASP combinado de DRAM em 3Q26E para +27% QoQ, ante +23%, devido a melhores negociações de DDR e a uma redefinição para cima dos ASPs de DRAM móvel, reduzindo a diferença frente ao DDR de servidores. O maior impacto de custos com participação de empregados nos lucros compensa parcialmente o benefício, deixando a previsão de lucro operacional de 3Q26E em Won117tn, 6% acima do consenso da Visible Alpha. O UBS aumenta suas previsões de lucro operacional em 1-2% a partir de 2027E e está 19% acima do consenso para 2027E. A revisão quantitativa aponta maior alta de preços de memória convencional como a principal fonte potencial de surpresa positiva de lucros. HBM é o segundo pilar da tese. O UBS observa que a desespecificação para HBM4-Hi no Nvidia Rubin Ultra ainda gerou leve alta na aquisição de bits HBM em 2027, portanto a Samsung não altera a alocação de capacidade para HBM. A Samsung melhorou rendimento e desempenho de HBM4, embora questões térmicas possam persistir e levar a uma antecipação do projeto de chip DRAM 4F2 para 2028. O UBS prevê que a Samsung possa atingir 41% da participação de bits HBM em 2027, à frente de SK Hynix com 37% e Micron com 22%, apoiada por maior espaço disponível na fábrica P4 e pela antecipação da prontidão da primeira sala limpa da P5 para 1Q27. O UBS espera que um ciclo relevante de investimentos sustente esse crescimento. Prevê capex de semicondutores de Won71tn em 2026E, Won86tn em 2027E e Won100tn em 2028E, equivalentes a gastos em equipamentos de fábrica de wafers de US$30bn, US$37bn e US$44bn. A Samsung está no caminho para ampliar DRAM de 1d nm em 2027 e começará a instalar equipamentos na P5-1 em julho de 2027. O UBS vê possibilidade de adicionar uma nova sala limpa a cada seis meses; a P5-1 terá seis salas limpas de cerca de50k wpm. Também menciona backlog crescente em fundição lógica, com nós de 8nm e inferiores plenamente utilizados, e uma segunda fábrica lógica em Taylor, cujo prazo segue a confirmar em meio às negociações da US CHIPS Act. Quanto ao retorno aos acionistas, o UBS espera que a Samsung mantenha a política de devolver 50% do FCF excluindo M&A, com possível “piso” anual de dividendos de Won9.8tn. Considerando previsões de FCF de Won258tn em 2026E e Won448tn em 2027E, isso pode implicar retornos adicionais de Won112tn em 2026E e Won214tn em 2027E, além dos dividendos trimestrais existentes, se a política for renovada. O UBS espera possível dividendo especial ou recompra antes do fim do ano e apresentação de nova política de retorno aos acionistas para 2027E em diante no fim de janeiro. A avaliação é o suporte final para a visão Buy. Segundo o UBS, as ações recuperaram 32% desde o vale de julho, mas ainda estão 25% abaixo do pico de junho. A 1.82x NTM P/BV, o UBS entende que o mercado precifica ROE de longo prazo de apenas18.1%, contra sua estimativa de33.8%. O UBS avalia as ações ordinárias a3.39x NTM P/BV, com ROE de longo prazo de33.8% e custo de equity de10.0%, sustentando o alvo de Won535,000. O relatório também destaca rendimento médio de FCF de27% em 2026-30E e argumenta que a avaliação atual não reflete plenamente maior rentabilidade estrutural de memória, geração de caixa e retornos aos acionistas.

Estrutura de análise

O UBS combina uma avaliação de oferta e demanda de memória com premissas de preços de DRAM e NAND, previsões de execução e participação em HBM, planos de capex de semicondutores, estimativas de lucros por divisão, projeções de fluxo de caixa livre e premissas de retorno aos acionistas. Em seguida, aplica um múltiplo alvo NTM P/BV baseado em ROE de longo prazo e custo de equity para chegar à avaliação das ações ordinárias.

Notas metodológicas

• Marco de análise setorialMarco de oferta e demanda

  Análise de oferta e demanda de memória

  O UBS compara a demanda por DRAM, HBM e NAND impulsionada por IA com as adições restritas de capacidade de wafers para explicar suas expectativas de preços, utilização e rentabilidade.

• Métodos de avaliaçãoAvaliação por P/VPA

  Avaliação-alvo NTM P/BV baseada em ROE de longo prazo e custo de equity

  O UBS avalia as ações ordinárias da Samsung a3.39x o valor patrimonial dos próximos 12 meses, usando sua estimativa de ROE de longo prazo de33.8% e custo de equity de10.0%.

• Marco de fundamentos corporativos e finançasAnálise do fluxo de caixa livre

  Análise de fluxo de caixa livre e retorno aos acionistas

  O UBS usa FCF projetado para avaliar a escala potencial de dividendos ou recompras sob uma política de devolver 50% do FCF excluindo M&A.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• Samsung Electronics (005930.KS)

  Empresa principal coberta que, segundo o UBS, deve se beneficiar da demanda de memória impulsionada por IA, do avanço em HBM, da oferta restrita e de potenciais retornos aos acionistas.

  Pontos fortes

  Posição líder em memória; expansão de capacidade HBM e participação prevista de bits HBM de41% em 2027E; espaço disponível de fábrica; backlog crescente em fundição lógica; FCF forte projetado.

  Pontos fracos

  Exposição relevante ao consumidor e condições de mercado de smartphones em maturação; negócios cíclicos de memória e displays.

  Comparação

  O UBS prevê participação de bits HBM da Samsung de41% em 2027E, frente a37% da SK Hynix e22% da Micron.

  Riscos

  Acessibilidade da memória, problemas térmicos de HBM, correções cíclicas, fortalecimento do won coreano e questões de governança corporativa.

Dados principais

• Rating de 12 mesesBuyRating atual do UBS para Samsung Electronics
• Preço-alvoWon535,000Alvo do UBS para as ações ordinárias da Samsung
• Preço atual da açãoWon274,000Preço em 21 September 2026
• Valorização prevista95.3%Componente de retorno previsto pelo UBS
• Crescimento do ASP combinado de DRAM em 3Q26E+27% QoQElevado de +23% QoQ
• Previsão de lucro operacional de 3Q26EWon117tn6% acima do consenso da Visible Alpha
• Crescimento do consumo final de bits DRAM em 2027E40% YoYVersus21% em 2026E
• Participação de bits HBM em 2027E41%Previsão do UBS para Samsung; SK Hynix37% e Micron22%
• Capex de semicondutoresWon71tn / Won86tn / Won100tnPrevisões do UBS para 2026E / 2027E / 2028E
• FCF de 2026E e 2027EWon258tn / Won448tnBase da análise de retorno aos acionistas do UBS

Impacto e implicações

O UBS considera que uma oferta de memória apertada frente à demanda impulsionada por IA pode sustentar preços e rentabilidade mais fortes, enquanto o progresso em HBM, a expansão de capacidade e possíveis distribuições de caixa da Samsung oferecem suporte adicional. Seu caso de avaliação baseia-se na visão de que o mercado não precifica suas premissas de ROE de longo prazo, FCF e retorno aos acionistas.

Riscos

• A acessibilidade da memória pode se tornar uma restrição à medida que a receita do setor se aproxima de US$1.64tn em 2027E.
• Problemas térmicos de HBM4 podem persistir apesar da melhora de rendimento e desempenho.
• Os negócios de memória e displays continuam cíclicos e vulneráveis a correções de oferta, demanda e gastos de capital.
• A Samsung tem elevada exposição ao consumidor, enquanto o setor de smartphones amadurece e é altamente competitivo.
• A valorização do won coreano frente às principais moedas pode prejudicar os lucros.
• O relatório identifica opacidade na governança corporativa e consideração historicamente limitada dos retornos aos acionistas como riscos.

Pontos a observar

• O UBS identifica um catalisador positivo aproximadamente em torno de September 30,2026, relacionado a maior visibilidade de demanda final, atualizações sobre retorno aos acionistas e maior alta de preços.
• Possível dividendo especial ou recompra antes do fim do ano.
• A apresentação esperada no fim de janeiro de uma política de retorno aos acionistas para 2027E em diante.
• Progresso em rendimento, desempenho e gestão térmica de HBM4.
• Evidências de que a demanda por memória de servidores convencionais, NAND e produtos relacionados a IA permanece forte.
• Execução da expansão de capacidade P5-1 e prazo da segunda fábrica de fundição lógica em Taylor.