Equipos de capital para semiconductores: El escenario alcista de WFE para 2026—2027 se ha convertido en el escenario base, y el foco de crecimiento se desplaza hacia la demanda de computación del mercado final

Visión general

El informe eleva sus previsiones para el mercado global de equipos para fabricación de obleas durante 2026—2028 y convierte su anterior escenario alcista para 2026—2027 en el escenario base. Las mejoras están impulsadas principalmente por una inversión acelerada en DRAM, un gasto más amplio en lógica de vanguardia y la expansión de capacidad de 2nm, mientras que las revisiones de NAND son relativamente limitadas. A medida que el sector supera rápidamente las restricciones de salas blancas y de la cadena de suministro, el foco de investigación se desplaza hacia si la demanda de computación del mercado final puede respaldar la capacidad adicional.

Perspectivas principales

Morgan Stanley eleva su previsión de WFE para 2026 de US$155 mil millones, que representaba un crecimiento interanual de 32%, a US$163 mil millones, que representa un crecimiento de 39%; su previsión para 2027 de US$201 mil millones, que representaba un crecimiento de 31%, a US$223 mil millones, que representa un crecimiento de 37%; y su previsión para 2028 de US$227 mil millones, que representaba un crecimiento de 13%, a US$254 mil millones, que representa un crecimiento de 14%. Desde el 1 de diciembre de 2025, las previsiones para 2026 y 2027 se han elevado acumuladamente en 26% y 54%, respectivamente, marcando la quinta revisión este año. Trimestralmente, se espera que la tasa anualizada del sector aumente de aproximadamente US$125 mil millones en 4T25 a aproximadamente US$200 mil millones en 4T26 a lo largo de cuatro trimestres. El informe no se ha vuelto bajista, pero espera una clara desaceleración en 2028 desde una base más elevada; para mantener la tasa de crecimiento de 2027, el WFE de 2028 tendría que superar US$300 mil millones. La visión anterior de que el ciclo de WFE sería duradero se basaba en dos tipos de limitaciones: el espacio de salas blancas por el lado de la demanda y la cadena de suministro de equipos por el lado de la oferta limitarían el potencial alcista a corto plazo, pero extenderían la inversión a medio plazo. El informe ahora considera que el sector puede superar ambas limitaciones simultáneamente, lo que indica que anteriormente subestimó tanto la fortaleza de la demanda como la velocidad de las adiciones de capacidad. Por tanto, el debate pasará de cuán rápido puede crecer el WFE a si la demanda de computación del mercado final es suficiente para absorber la oferta adicional. El informe contrasta la demanda de WFE con cada GW de despliegue de computación y estima que el aumento de más de US$100 mil millones en el gasto sectorial entre 2025—2027 corresponde a aproximadamente 30GW, en términos generales consistente con las previsiones del equipo de internet de aproximadamente 29GW y 36GW de despliegue de computación sectorial en 2027 y 2028, respectivamente. La sección de resumen espera que la capacidad de 2nm alcance 335 mil obleas por mes y 500 mil obleas por mes en 2027 y 2028; el posterior modelo detallado de obleas indica 180 mil obleas por mes en 2027 y 335 mil obleas por mes en 2028. Ambos conjuntos de cifras apuntan a una rápida expansión de la capacidad de 2nm. Los equipos lógicos son una de las principales fuentes de la mejora. Las previsiones totales de WFE lógico para 2026 y 2027 se elevan de US$89 mil millones y US$114 mil millones a US$95 mil millones y US$128 mil millones. El resumen del modelo espera que el WFE de lógica de vanguardia crezca 72% y 50% en 2026 y 2027, respectivamente, mientras que la lógica de nodos maduros cae 3% y crece 15%, respectivamente. Se espera que la mezcla vanguardia/nodos maduros se invierta de 39%/61% en 2025 a 63%/37% en 2028. La sección de análisis temático estima por separado el WFE de lógica de vanguardia en US$51 mil millones en 2026, un aumento de 65%; US$76 mil millones en 2027, un aumento de 50%; y US$90 mil millones en 2028, un aumento de 17%, con tasas de crecimiento correspondientes de nodos maduros de -2% y +18%. El mayor impulsor en 2027 es 2nm, mientras que la inversión en equipos para 1.4nm también comienza a surgir. El informe espera aproximadamente US$50 mil millones de gasto en 2nm ese año, con TSMC gastando US$43.3 mil millones e Intel US$20.5 mil millones; se espera que Intel se convierta en un importante segundo mayor inversor en lógica de vanguardia. Para 2028, el modelo asume conservadoramente un menor crecimiento del gasto en TSMC e Intel, una recuperación modesta de la inversión de Samsung, y excluye una posible contribución de US$2 mil millones de SpaceX. Desde la perspectiva de capacidad por nodo de proceso, se espera que la capacidad mensual de 3nm aumente de 180 mil obleas en 2025 a 265 mil obleas en 2026, con incrementos solo modestos durante 2027—2029. El modelo detallado espera que la capacidad mensual de 2nm alcance 180 mil obleas y 335 mil obleas en 2027 y 2028, respectivamente, mediante la expansión conjunta de TSMC, Intel, Samsung y otros fabricantes. Se espera que la capacidad mensual de 1.4nm alcance 60 mil obleas y 130 mil obleas en 2027 y 2028, impulsada principalmente por TSMC e Intel. La visión sobre nodos maduros es notablemente más cautelosa: el informe estima que la inversión permanecerá en términos generales plana entre 2023—2026 y se recuperará solo aproximadamente 18% en 2027. Esto significa que el crecimiento de equipos lógicos se concentra cada vez más en nodos de vanguardia, en vez de reflejar una expansión sincronizada en todo el mercado lógico. DRAM es otra fuente central de la mejora. Las previsiones de WFE de DRAM para 2026 y 2027 se elevan de US$49 mil millones y US$62 mil millones a US$53 mil millones y US$70 mil millones, lo que representa crecimientos interanuales de 70% y 33%, respectivamente, y más de US$120 mil millones en conjunto durante los dos años. La previsión para 2026 es 47% superior a la estimación al inicio del año, debido a factores como que Micron acelera la instalación de equipos tras adquirir la fábrica Tongluo P5 de PSMC, contribuyendo aproximadamente US$4 mil millones a US$5 mil millones de gasto incremental; Micron adelanta su migración al nodo 1Gamma, impulsando un crecimiento de 48% del WFE de DRAM brownfield; y Samsung asigna más espacio de sala blanca P4 a DRAM, con los inicios de obleas previstos para alcanzar 85 mil mensuales a finales de 2026. El informe considera que los fabricantes han superado las restricciones originales de expansión de capacidad al liberar espacio de salas blancas y acelerar las entregas de equipos. La capacidad mensual incremental prevista de DRAM greenfield para 2026 y 2027 se eleva de 268 mil obleas y 395 mil obleas a 283 mil obleas y 493 mil obleas. En consecuencia, las previsiones de crecimiento de la oferta de bits de DRAM se elevan de 29% y 33% a 32% y 38%. Se espera que el WFE anual de DRAM promedie US$67 mil millones durante 2026—2028, significativamente por encima de US$27 mil millones durante 2023—2025; se espera que las adiciones anuales de capacidad greenfield durante el mismo período promedien 427 mil obleas por mes, frente a 170 mil obleas por mes durante los tres años anteriores. Se espera que la oferta de bits HBM crezca 55% y 57% en 2026 y 2027, mientras que la DRAM convencional crece 30% y 36%. Sin embargo, a partir de 2027, se espera que la capacidad incremental de obleas no HBM supere la capacidad incremental de HBM. Se espera que los inicios de obleas DRAM aumenten de 2,169 mil obleas por mes en 3T26 a más de 3,000 mil obleas por mes en 2T28. El informe sigue viendo potencial alcista para DRAM en 2027. Los proveedores de equipos son casi unánimes en que el crecimiento del WFE de DRAM superará el crecimiento general de WFE, lo que implica un gasto en 2027 de más de US$75 mil millones y un crecimiento interanual de aproximadamente 40%, por encima de la previsión de US$70 mil millones de Morgan Stanley. Su escenario base de US$70 mil millones ya incluye 493 mil obleas por mes de expansión greenfield, casi el doble de las 283 mil obleas por mes de 2026 y tres veces las 165 mil obleas por mes de 2025. Por ello, el informe considera improbable una mayor expansión alcista de capacidad greenfield más allá de la previsión; es más probable que se subestime la inversión brownfield. El modelo asume que una parte sustancial de la migración de nodos se ha adelantado a 2026 y que el gasto brownfield caerá de US$25 mil millones en 2026 a US$15.5 mil millones en 2027. Este supuesto de desaceleración es la principal fuente de posible error de previsión. Las revisiones de NAND son menores. Las previsiones de WFE NAND para 2026 y 2027 se ajustan de US$15.6 mil millones y US$24 mil millones a US$13.7 mil millones y US$24 mil millones, principalmente debido a una modesta reducción de la inversión brownfield de 2026, mientras que la previsión greenfield se mantiene en términos generales sin cambios. Las correspondientes previsiones de crecimiento de la oferta de bits se revisan de 24% y 31% a 24% y 26%, y se espera que permanezcan en el rango medio de 20%. Se espera que la nueva capacidad de obleas contribuya más al crecimiento de bits a partir de 2027. Se espera que YMTC siga representando aproximadamente la mitad de la capacidad greenfield incremental durante 2026—2027, mientras que se espera que la participación de SSD empresariales en la mezcla de demanda NAND aumente de 29% en 2025 a 65% en 2028. A pesar de la base ligeramente inferior, el informe todavía espera que NAND sea la categoría de WFE de más rápido crecimiento en 2027. El encapsulado avanzado mantiene un fuerte crecimiento. Applied Materials, Lam Research y KLA prevén un crecimiento de más de 70% en el negocio de encapsulado avanzado en 2026. El informe considera que la expansión de capacidad CoWoS será el principal impulsor en 2026, con el impulsor de crecimiento desplazándose a HBM y SoIC en 2027. Se espera que la demanda de equipos relacionados con CoWoS, HBM y SoIC crezca 59% y 56% en 2026 y 2027, respectivamente, y que el crecimiento del encapsulado avanzado continúe superando al WFE general. También se espera que los ingresos de encapsulado avanzado relacionados con front-end sigan superando a los ingresos de back-end. Se espera que los ingresos de encapsulado avanzado en Applied Materials, Lam Research, KLA y Tokyo Electron crezcan aproximadamente 70%.

Marco de análisis

El informe actualiza primero el mercado total global de WFE y su tasa de crecimiento desde una perspectiva descendente, y luego lo desglosa en lógica de vanguardia, lógica de nodos maduros, DRAM, NAND y encapsulado avanzado. Para cada segmento, desarrolla previsiones ascendentes utilizando capacidad mensual de obleas, inversión greenfield y brownfield, migración de nodos, crecimiento de la oferta de bits y gasto de capital de los principales fabricantes, y las valida frente a las previsiones de los proveedores de equipos. Finalmente, el informe convierte la inversión en equipos en la correspondiente demanda de despliegue de computación en GW para evaluar si la rápida expansión de capacidad se alinea con la construcción de infraestructura de computación del mercado final, mientras compara el escenario alcista, el escenario base y las posibles fuentes de error de previsión.

Notas metodológicas

• Marco de análisis de industria/sectorMarco de oferta y demanda

  Restricciones de salas blancas y cadena de suministro, y demanda de computación del mercado final

  El informe trata el espacio de salas blancas y la cadena de suministro de equipos como restricciones de oferta a corto plazo, y utiliza el despliegue de computación en GW como indicador de la demanda del mercado final para evaluar la durabilidad de la expansión de WFE y si puede absorberse la capacidad incremental.

• Marco de análisis de industria/sectorDescomposición volumen-precio

  Descomposición del gasto de WFE, capacidad de obleas y oferta de bits

  El informe descompone además los cambios en el gasto de equipos en inversión greenfield y brownfield, capacidad mensual de obleas, migración de nodos de proceso y crecimiento de la oferta de bits para explicar cómo el gasto de capital se traduce en producción real.

• Marco de análisis de industria/sectorTransmisión de la cadena industrial upstream-midstream-downstream

  Transmisión desde el despliegue de computación hasta la capacidad de chips y la demanda de equipos

  Partiendo del despliegue de computación en GW, el informe conecta la demanda de lógica de vanguardia, DRAM, NAND y encapsulado avanzado, y luego la vincula con la inversión en equipos para fabricación de obleas para validar la base del mercado final para más de US$100 mil millones de gasto sectorial incremental.

• (Método fuera de vocabulario)Otro

  Modelo ascendente de obleas de lógica de vanguardia

  El informe desarrolla previsiones basadas en capacidad y gasto en los nodos de 3nm, 2nm y 1.4nm y por fabricantes como TSMC, Intel y Samsung para determinar la trayectoria de crecimiento del WFE de lógica de vanguardia.

• (Método fuera de vocabulario)Otro

  Comparación de escenario alcista y escenario base

  El informe sigue las condiciones de su anterior escenario alcista, incluido el gasto de Intel, la expansión greenfield de DRAM y la reanudación de la inversión greenfield de NAND. A medida que estas condiciones se han materializado gradualmente, convierte el escenario alcista en la previsión base.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• Equipos globales de capital para semiconductores (WFE)

  Las previsiones de mercado para 2026—2028 se elevan en todos los ámbitos, y DRAM y lógica de vanguardia representan las mayores fuentes de crecimiento incremental.

  Fortalezas

  Se espera un alto crecimiento de 39% y 37% en 2026 y 2027, respectivamente, mientras se superan las restricciones de la cadena de suministro y de salas blancas.

  Debilidades

  Se espera que el crecimiento se desacelere a 14% en 2028 desde una base elevada.

  Comparación

  Se espera que la tasa anualizada del sector aumente de aproximadamente US$125 mil millones a aproximadamente US$200 mil millones en cuatro trimestres.

  Riesgos

  La previsión de 2027 podría elevarse aún más si el gasto de DRAM supera las expectativas.

• WFE de lógica de vanguardia

  Impulsado por la expansión de capacidad de 2nm, la inversión acelerada de TSMC e Intel convirtiéndose en el segundo mayor gastador.

  Fortalezas

  El modelo temático espera crecimientos de 65% y 50% en 2026 y 2027, respectivamente, con aproximadamente US$50 mil millones de gasto en 2nm en 2027.

  Debilidades

  Se asume que el crecimiento del gasto en TSMC e Intel se desacelerará en 2028.

  Comparación

  Se espera que la participación de nodos de vanguardia en el WFE lógico aumente a 63% en 2028, superando el 37% de los nodos maduros.

  Riesgos

  El informe no incluye una posible contribución de US$2 mil millones de SpaceX en su modelo de 2028.

• WFE de DRAM

  La inversión acelerada en equipos, la expansión greenfield y la migración de nodos impulsan conjuntamente el gasto de 2026—2027 por encima de US$120 mil millones.

  Fortalezas

  Se espera que la capacidad mensual incremental greenfield alcance 493 mil obleas en 2027, con un crecimiento de la oferta de bits de 38%.

  Debilidades

  Una inversión sustancial se adelantó a 2026, dejando al gasto brownfield de 2027 con una elevada base comparativa.

  Comparación

  Las previsiones de proveedores implican un gasto de 2027 superior a US$75 mil millones, por encima de la previsión de US$70 mil millones de Morgan Stanley.

  Riesgos

  La inversión brownfield en 2027 podría superar el supuesto del modelo, impulsando nuevas mejoras del WFE de DRAM.

• WFE NAND

  La inversión brownfield disminuye ligeramente en 2026, pero la inversión greenfield y la nueva capacidad de obleas aún respaldan el crecimiento en 2027.

  Fortalezas

  La previsión de WFE para 2027 se mantiene en US$24 mil millones, y YMTC representa aproximadamente la mitad de la capacidad greenfield incremental.

  Debilidades

  La previsión para 2026 se reduce a US$13.7 mil millones, mientras que el crecimiento de la oferta de bits se mantiene en el rango medio de 20%.

  Comparación

  El informe todavía espera que NAND se convierta en la categoría de WFE de más rápido crecimiento en 2027 desde una base inferior.

• Equipos de encapsulado avanzado

  Impulsados por la expansión de capacidad CoWoS en 2026, con el impulsor de crecimiento desplazándose a HBM y SoIC en 2027.

  Fortalezas

  Se espera que la demanda de equipos relacionados crezca 59% y 56% en 2026 y 2027, respectivamente, y continúe superando al WFE general.

  Comparación

  Se espera que los ingresos de encapsulado avanzado de Applied Materials, Lam Research, KLA y Tokyo Electron crezcan aproximadamente 70%.

Datos clave

• Previsión de WFE para 2026US$163 mil millones, +39% interanualAnteriormente US$155 mil millones, +32%
• Previsión de WFE para 2027US$223 mil millones, +37% interanualAnteriormente US$201 mil millones, +31%
• Previsión de WFE para 2028US$254 mil millones, +14% interanualAnteriormente US$227 mil millones, +13%
• Mejora acumulada de previsiones2026 +26%; 2027 +54%Comparado con las previsiones al 1 de diciembre de 2025
• Tasa anualizada del sectorAproximadamente US$125 mil millones aumentando a aproximadamente US$200 mil millonesDe 4T25 a 4T26
• Previsión de WFE lógico 2026—2027US$95 mil millones/US$128 mil millonesAnteriormente US$89 mil millones/US$114 mil millones
• Gasto en lógica de vanguardia en 2027US$76 mil millones, +50% interanualIncluye aproximadamente US$50 mil millones de gasto en 2nm
• Principales inversores en lógica de vanguardia en 2027TSMC US$43.3 mil millones; Intel US$20.5 mil millonesSe espera que Intel se convierta en un importante segundo mayor inversor
• WFE DRAM 2026—2027US$53 mil millones/US$70 mil millonesAnteriormente US$49 mil millones/US$62 mil millones; más de US$120 mil millones en conjunto durante dos años
• Capacidad mensual incremental de DRAM greenfield283 mil obleas en 2026; 493 mil obleas en 2027Anteriormente prevista en 268 mil obleas y 395 mil obleas
• Crecimiento de la oferta de bits DRAM32% en 2026; 38% en 2027Anteriormente 29% y 33%
• WFE NAND 2026—2027US$13.7 mil millones/US$24 mil millonesAnteriormente US$15.6 mil millones/US$24 mil millones
• Crecimiento de la oferta de bits NAND24% en 2026; 26% en 2027Anteriormente 24% y 31%
• Mezcla de SSD empresarialesAumentando de 29% a 65%De 2025 a 2028
• Crecimiento de la demanda de equipos de encapsulado avanzado59% en 2026; 56% en 2027Cubre equipos relacionados con CoWoS, HBM y SoIC

Impacto e implicaciones

El informe considera que el potencial alcista del WFE durante 2026—2027 ya no es meramente una extensión del ciclo causada por entregas limitadas de equipos, sino una base más elevada creada por la expansión simultánea de lógica de vanguardia, DRAM y encapsulado avanzado. Los beneficiarios más claros son la demanda de equipos relacionados con 2nm, DRAM y HBM/SoIC, mientras que los nodos maduros y NAND en 2026 son relativamente moderados. Al mismo tiempo, el aumento del sector desde una tasa anualizada de aproximadamente US$125 mil millones a aproximadamente US$200 mil millones en cuatro trimestres eleva significativamente el umbral de crecimiento para 2028. Las evaluaciones posteriores deberán depender más de la demanda de computación del mercado final, la absorción de oferta de bits y la ejecución de los planes de gasto de capital de los fabricantes, en vez de basarse únicamente en la propia tasa de crecimiento de WFE.

Riesgos

• Las previsiones de los proveedores de equipos implican un WFE de DRAM en 2027 de más de US$75 mil millones, por encima de la previsión de escenario base del informe de US$70 mil millones, lo que deja los riesgos de previsión sesgados al alza.
• El informe puede subestimar la inversión brownfield de DRAM en 2027 porque el modelo asume que el gasto brownfield cae significativamente de US$25 mil millones en 2026 a US$15.5 mil millones.

Aspectos que vigilar

• Monitorear si aproximadamente 29GW y 36GW de despliegue de la industria de computación en 2027 y 2028 pueden respaldar el rápido crecimiento de WFE y la oferta de chips.
• Seguir si el WFE de DRAM de 2027 se acerca al nivel superior a US$75 mil millones implícito por los proveedores y si la inversión brownfield supera US$15.5 mil millones.
• Observar si la expansión de 2nm de TSMC y el gasto de Intel de más de US$20 mil millones en lógica de vanguardia avanzan según lo previsto.
• Seguir si la capacidad incremental greenfield de DRAM alcanza 493 mil obleas por mes en 2027 y si el crecimiento de la oferta de bits sube a 38%.
• Monitorear la reanudación de la inversión greenfield de NAND, la participación aproximada de 50% de YMTC en la capacidad incremental y la creciente mezcla de SSD empresariales.
• Observar si el impulsor de crecimiento del encapsulado avanzado se desplaza de CoWoS a HBM y SoIC en 2027, como espera el informe.
• Monitorear si el WFE de 2028 puede superar US$300 mil millones, la escala requerida para mantener la tasa de crecimiento actual del sector.