2026—2027年WFE乐观情形已成为基准，增长焦点转向算力终端需求

概览

报告将2026—2028年全球晶圆厂设备市场预测全面上调，并把此前的2026—2027年乐观情形转为基准情形。上修主要来自DRAM投资提前、先进制程逻辑支出扩散以及2nm扩产，NAND调整相对有限；随着行业快速突破洁净室和供应链约束，研究焦点开始转向算力终端需求能否支撑新增产能。

核心观点

Morgan Stanley将2026年WFE预测由1550亿美元、同比增长32%上调至1630亿美元、增长39%；2027年由2010亿美元、增长31%上调至2230亿美元、增长37%；2028年由2270亿美元、增长13%上调至2540亿美元、增长14%。自2025年12月1日以来，2026年和2027年预测已累计上调26%和54%，这是年内第五次调整。按季度推算，行业年化运行规模预计从2025年四季度约1250亿美元，在四个季度内升至2026年四季度约2000亿美元。报告并未转为看空，但认为2028年将在更高基数上明显减速；若要维持2027年的增长速度，2028年WFE需要超过3000亿美元。 此前“WFE周期具有持续性”的判断建立在两类约束之上：需求侧的洁净室空间和供给侧的设备供应链会限制短期上行，却把投资延展至中期。报告现在认为行业可能同时突破这两项约束，说明其此前既低估了需求强度，也低估了产能增加速度。因此争论重点将由WFE增长有多快，转向算力终端需求是否足以吸收新增供给。报告以每GW算力部署对应的WFE需求作交叉验证，认为2025—2027年超过1000亿美元的行业增量约对应30GW，而互联网团队预测的2027年和2028年行业算力部署分别约为29GW和36GW，两者大体匹配。报告概述部分预计2nm产能在2027年和2028年达到335千片/月和500千片/月；后续详细晶圆模型则列示2027年180千片/月、2028年335千片/月，两处口径均指向2nm产能快速扩张。 逻辑设备是本次上修的主要来源之一。2026年和2027年整体逻辑WFE预测由890亿和1140亿美元上调至950亿和1280亿美元。模型汇总部分预计先进制程逻辑WFE在2026年和2027年分别增长72%和50%，成熟制程分别下降3%和增长15%，先进制程与成熟制程的结构由2025年的39%/61%反转至2028年的63%/37%。专题分析部分另列先进制程逻辑WFE为2026年510亿美元、增长65%，2027年760亿美元、增长50%，2028年900亿美元、增长17%；对应成熟制程增速为-2%和+18%。2027年最大推动因素是2nm，并开始出现1.4nm设备投入：报告预计当年约有500亿美元2nm支出，TSMC支出433亿美元，Intel支出205亿美元，Intel将成为重要的第二大先进制程逻辑投资者。2028年则保守假设TSMC和Intel增速放缓，Samsung投资略有回升，且未计入SpaceX可能贡献的20亿美元。 从制程产能看，3nm月产能预计由2025年的180千片增至2026年的265千片，2027—2029年仅小幅增加；详细模型预计2nm月产能在2027年和2028年分别为180千片和335千片，由TSMC、Intel与Samsung等厂商共同扩充；1.4nm月产能预计在2027年和2028年达到60千片和130千片，主要由TSMC与Intel推动。成熟制程的判断明显更谨慎：报告估计其投资在2023—2026年大致持平，仅在2027年回升约18%。这意味着逻辑设备增长越来越集中于先进节点，而不是整个逻辑市场同步扩张。 DRAM是另一项核心上修。2026年和2027年DRAM WFE预测由490亿和620亿美元提高至530亿和700亿美元，分别同比增长70%和33%，两年合计超过1200亿美元。2026年预测较年初判断高47%，原因包括Micron收购PSMC铜锣P5厂后加快设备安装、贡献约40亿至50亿美元增量，Micron推进1Gamma节点迁移使棕地DRAM WFE增长48%，以及Samsung把更多P4洁净室空间分配给DRAM、预计2026年末达到85千片/月晶圆开工。报告认为厂商通过释放洁净室和加快设备交付，突破了原先的扩产限制。 DRAM绿地月产能增量预测从2026年和2027年的268千片及395千片，上调至283千片及493千片；由此，DRAM位元供给增速预测从29%和33%上调至32%和38%。2026—2028年年度DRAM WFE预计平均为670亿美元，显著高于2023—2025年的270亿美元；同期年度绿地增量预计平均427千片/月，高于此前三年的170千片/月。2026年和2027年HBM位元供给预计增长55%和57%，传统DRAM增长30%和36%，但从2027年起非HBM晶圆增量预计超过HBM。DRAM晶圆开工预计由2026年三季度的2169千片/月升至2028年二季度超过3000千片/月。 报告对2027年DRAM仍保留上行空间。设备供应商几乎一致认为DRAM WFE增速会超过整体WFE，这隐含2027年支出超过750亿美元、同比增长约40%，高于Morgan Stanley的700亿美元预测。其700亿美元基准已经包含493千片/月绿地扩产，接近2026年283千片/月的两倍、2025年165千片/月的三倍，因此报告认为绿地进一步超过预测的可能性不大；更可能被低估的是棕地投资。模型假设节点迁移已大量提前至2026年，棕地支出将由2026年的250亿美元降至2027年的155亿美元，这一减速假设构成主要预测偏差来源。 NAND调整较小。2026年和2027年NAND WFE预测由156亿和240亿美元调整为137亿和240亿美元，主要因为略微下调2026年棕地投资，绿地预测基本不变。对应位元供给增速由24%和31%调整为24%和26%，预计维持在20%中段；新增晶圆产能从2027年开始对位元增长作出更大贡献。YMTC预计继续占2026—2027年绿地新增产能约一半，企业级SSD在NAND需求结构中的占比则预计由2025年的29%升至2028年的65%。虽然基数略低，报告仍预计NAND会成为2027年增长最快的WFE类别。 先进封装保持高增长。Applied Materials、Lam Research和KLA均指引2026年先进封装业务增长70%以上，报告认为2026年的主要动力是CoWoS扩产，2027年则转向HBM和SoIC。其CoWoS、HBM及SoIC相关设备需求在2026年和2027年预计分别增长59%和56%，先进封装增速仍将高于整体WFE；前道相关先进封装收入也预计继续跑赢后道。Applied Materials、Lam Research、KLA和Tokyo Electron的先进封装收入均被预计增长约70%。

分析框架

报告先自上而下更新全球WFE总量和增速，再按先进制程逻辑、成熟制程逻辑、DRAM、NAND及先进封装进行拆分。各板块使用晶圆月产能、绿地与棕地投资、节点迁移、位元供给增速及主要厂商资本开支建立底层预测，并以设备供应商指引进行校验。最后，报告把设备投资换算为对应的算力GW部署需求，检查快速扩产是否与终端算力建设相匹配，同时对乐观情形、基准情形及潜在预测偏差进行比较。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架供需框架

  洁净室、供应链约束与终端算力需求

  报告把洁净室空间和设备供应链视为短期供给约束，并以算力GW部署代表终端需求，用于判断WFE扩张的持续性及新增产能能否被吸收。

• 行业/产业分析框架量价拆分

  WFE支出、晶圆产能与位元供给拆分

  报告将设备支出变化进一步拆解为绿地和棕地投资、晶圆月产能、制程节点迁移及位元供给增长，以说明资本开支如何转化为实际产出。

• 行业/产业分析框架产业链上中下游传导

  算力部署向芯片产能和设备需求的传导

  报告从算力GW部署出发，连接先进逻辑、DRAM、NAND和先进封装需求，再映射至晶圆厂设备投资，用于检验超过1000亿美元行业增量的终端依据。

• （词表外方法）

  先进制程逻辑晶圆底层模型

  报告按3nm、2nm和1.4nm节点以及TSMC、Intel、Samsung等厂商的产能与支出建立预测，用来确定先进制程逻辑WFE的增长路径。

• （词表外方法）

  乐观情形与基准情形对照

  报告跟踪此前乐观情形中的Intel支出、DRAM绿地扩产和NAND绿地投资重启等条件，因这些条件逐步实现而将乐观情形转为基准预测。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• 全球半导体资本设备（WFE）

  2026—2028年市场预测全面上调，DRAM与先进制程逻辑是最大增量来源。

  优势

  2026年和2027年预计连续实现39%和37%的高增长，供应链与洁净室约束正在被突破。

  劣势

  高基数下2028年增速预计降至14%。

  对比

  行业年化运行规模预计在四个季度内由约1250亿美元升至约2000亿美元。

  风险

  2027年预测仍可能因DRAM支出高于预期而进一步上修。

• 先进制程逻辑WFE

  由2nm扩产、TSMC加速投资及Intel成为第二大支出方推动。

  优势

  专题模型预计2026年和2027年分别增长65%和50%，2027年2nm支出约500亿美元。

  劣势

  2028年TSMC与Intel支出增速被假设放缓。

  对比

  先进制程占逻辑WFE的比重预计到2028年升至63%，超过成熟制程的37%。

  风险

  报告未在2028年模型中计入SpaceX可能贡献的20亿美元。

• DRAM WFE

  设备投资提前、绿地扩产和节点迁移共同推动2026—2027年支出超过1200亿美元。

  优势

  2027年绿地月产能增量预计493千片，位元供给增速预计38%。

  劣势

  2026年大量投资提前，使2027年棕地支出面对较高比较基数。

  对比

  供应商指引隐含2027年支出超过750亿美元，高于Morgan Stanley的700亿美元预测。

  风险

  2027年棕地投资可能高于模型假设，令DRAM WFE继续上修。

• NAND WFE

  2026年棕地投资略降，但2027年绿地投资和新增晶圆产能仍支撑增长。

  优势

  2027年WFE预测维持240亿美元，YMTC约占绿地新增产能的一半。

  劣势

  2026年预测下调至137亿美元，位元供给增速维持在20%中段。

  对比

  报告仍预计NAND会在较低基数上成为2027年增长最快的WFE类别。

• 先进封装设备

  2026年由CoWoS扩产推动，2027年增长动力转向HBM与SoIC。

  优势

  相关设备需求预计在2026年和2027年增长59%和56%，继续跑赢整体WFE。

  对比

  Applied Materials、Lam Research、KLA和Tokyo Electron的先进封装收入均预计增长约70%。

关键数据

• 2026年WFE预测1630亿美元，+39%同比此前为1550亿美元、+32%
• 2027年WFE预测2230亿美元，+37%同比此前为2010亿美元、+31%
• 2028年WFE预测2540亿美元，+14%同比此前为2270亿美元、+13%
• 预测累计上调幅度2026年+26%；2027年+54%相较2025年12月1日的预测
• 行业年化运行规模约1250亿美元升至约2000亿美元从2025年四季度至2026年四季度
• 2026—2027年逻辑WFE预测950亿/1280亿美元此前为890亿/1140亿美元
• 2027年先进制程逻辑支出760亿美元，+50%同比其中2nm支出约500亿美元
• 2027年主要先进逻辑投资者TSMC 433亿美元；Intel 205亿美元Intel预计成为重要的第二大投资者
• 2026—2027年DRAM WFE530亿/700亿美元此前为490亿/620亿美元；两年合计超过1200亿美元
• DRAM绿地月产能增量2026年283千片；2027年493千片此前预测为268千片和395千片
• DRAM位元供给增速2026年32%；2027年38%此前为29%和33%
• 2026—2027年NAND WFE137亿/240亿美元此前为156亿/240亿美元
• NAND位元供给增速2026年24%；2027年26%此前为24%和31%
• 企业级SSD结构占比29%升至65%由2025年至2028年
• 先进封装设备需求增速2026年59%；2027年56%涵盖CoWoS、HBM和SoIC相关设备

影响与含义

报告认为，2026—2027年WFE的上行已不再只是设备交付受限下的周期延长，而是先进逻辑、DRAM和先进封装同步扩张形成的更高基准。受益最明显的是2nm、DRAM及HBM/SoIC相关设备需求；成熟制程与2026年NAND则相对温和。与此同时，行业在四个季度内由约1250亿美元年化规模升至约2000亿美元，使2028年的增长门槛显著提高，后续判断需要更多依赖算力终端需求、位元供给消化及厂商资本开支执行，而不能仅依据WFE增速本身。

风险

• 设备供应商指引隐含2027年DRAM WFE超过750亿美元，高于报告700亿美元的基准预测，因此预测风险偏上行。
• 报告可能低估2027年DRAM棕地投资，因为模型假设棕地支出由2026年的250亿美元显著降至155亿美元。

后续跟踪

• 关注算力行业2027年和2028年约29GW及36GW的部署能否支撑快速增长的WFE与芯片供给。
• 跟踪2027年DRAM WFE是否向供应商暗示的750亿美元以上水平靠拢，以及棕地投资是否高于155亿美元。
• 观察TSMC的2nm扩产和Intel超过200亿美元的先进制程逻辑支出能否按计划落地。
• 跟踪DRAM绿地新增产能能否达到2027年493千片/月，以及位元供给增速是否升至38%。
• 关注NAND绿地投资重启、YMTC约50%的新增产能占比及企业级SSD占比上升。
• 观察2027年先进封装增长动力是否如报告预期由CoWoS转向HBM和SoIC。
• 关注2028年WFE能否超过3000亿美元，这是维持当前行业增速所需的规模。