存储与先进制程代工景气推动高盛大幅上调2026—2028年全球WFE预测

概览

报告根据二季度财报季出现的积极半导体资本开支信号，全面上调2026—2028年晶圆制造设备支出预测。高盛认为，近期增长核心是DRAM和先进制程代工，中期动力将扩展至NAND、逻辑及其他应用，并据此继续看好全球半导体资本设备股。

核心观点

高盛将2026、2027和2028年全球晶圆制造设备支出（WFE）预测由此前的1410亿、1860亿和2080亿美元，上调至1500亿、2180亿和2810亿美元。新预测对应同比增长36%、45%和29%，此前预测增速为28%、32%和12%。调整依据是二季度财报季披露的积极资本开支数据、主要半导体设备供应商显著上修的投资计划以及更具建设性的行业展望。报告认为，制程节点迁移、HBM4导入和新增产能将共同支撑这一轮设备需求。报告图表1的标题另称2026年WFE增速预测为45%、此前为32%，与正文所列2026年36%、此前28%的口径同时出现在原报告中。 代工是近期WFE上修的主要来源之一。高盛将2026—2028年代工WFE预测由520亿、680亿和780亿美元，上调至580亿、840亿和1090亿美元，对应同比增长45%、45%和30%，此前为30%、30%和16%。自上次更新后，高盛将台积电2026—2028年每年的资本开支预测均提高80亿美元，原因是N2制程的投入强度高于此前假设，且客户需求持续。随着N2在未来数个季度进入放量阶段，报告预计先进制程逻辑芯片将继续推动代工设备需求。 DRAM是另一项核心动力。高盛将2026—2028年DRAM WFE预测由460亿、670亿和740亿美元，上调至480亿、720亿和970亿美元，对应同比增长50%、50%和35%，此前为45%、45%和10%。同期，报告采用的三星电子2026—2028年平均DRAM资本开支预测上调22%，SK Hynix上调19%。尽管支出增加，高盛仍预计行业产能到2028年都会处于受限状态，说明HBM等需求及制程迁移带来的设备投入尚不足以迅速消除供给约束。 NAND的年度路径并非全面上调。2026—2028年NAND WFE预测调整为110亿、150亿和220亿美元，对应增长35%、35%和50%；此前预测为110亿、170亿和200亿美元，对应增长40%、50%和15%。这意味着2027年预测下调、2028年预测上调。高盛预计近期新增支出主要用于设备升级，而非大规模新增产能，因此NAND供给预计到2027年仍然偏紧，较强的投资增长更多在后期体现。 逻辑及其他应用的预测也显著提高。高盛将2026—2028年相关WFE预测由320亿、350亿和370亿美元，上调至340亿、470亿和530亿美元，对应同比增长11%、40%和12%，此前为5%、9%和6%。上调主要来自Intel需求好于预期以及成熟制程和模拟芯片市场复苏。SpaceX和Tesla承诺为Terafab初始阶段投入约168亿美元，该项目的设备支出贡献已经计入逻辑及其他应用预测。 综合上述变化，高盛继续看好半导体资本设备股票，并在全球范围内偏好Buy评级的Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara。报告的积极判断针对行业设备支出周期和这些优选设备公司的相关敞口，并未给出新的公司目标价或明确的评级调整动作。

分析框架

报告先根据二季度财报季的资本开支信息和设备供应商展望修订全球WFE总量预测，再按代工、DRAM、NAND以及逻辑及其他应用拆分增量来源。各分项预测结合了主要晶圆厂资本开支调整、制程节点迁移、HBM4导入、产能约束、市场复苏和Terafab项目投入，最后据此形成对全球半导体设备股的方向性判断。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架供需框架

  设备投资与晶圆产能供需分析

  报告将晶圆厂资本开支、制程升级和新增产能视为设备需求，将DRAM与NAND的产能约束视为供给状态，据此判断不同应用领域的WFE增长路径。

• 行业/产业分析框架

  按应用拆分的WFE预测修订

  高盛先预测全球WFE总额，再拆分为Foundry、DRAM、NAND及Logic/Other，并对比新旧预测及同比增速，以识别总量上修由哪些应用和年份贡献。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Applied Materials Inc.

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球WFE周期相关。

  对比

  与Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• Lam Research Corp.

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球WFE周期相关。

  对比

  与Applied Materials、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• ASML Holding

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告强调的先进制程代工扩张和节点迁移相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• Tokyo Electron

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球WFE周期相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、ASML、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• ASM International

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球WFE周期相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、BESI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• BE Semiconductor Industries

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球半导体设备投资周期相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、Lasertec和Ebara共同列入优选名单。

• Lasertec

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告强调的先进制程投资和节点迁移相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI和Ebara共同列入优选名单。

• Ebara

  被列为高盛全球范围内继续偏好的Buy评级半导体资本设备股。

  优势

  与报告上调的全球WFE周期相关。

  对比

  与Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI和Lasertec共同列入优选名单。

关键数据

• 全球WFE预测2026年$150bn；2027年$218bn；2028年$281bn对应同比增长36%、45%和29%；此前预测为$141bn、$186bn和$208bn，对应增长28%、32%和12%。
• 图表1所列2026年WFE增速45%图表标题称此前预测为32%；正文总量段另列2026年为36%、此前为28%。
• Foundry WFE预测2026年$58bn；2027年$84bn；2028年$109bn对应增长45%、45%和30%；此前为$52bn、$68bn和$78bn。
• 台积电资本开支预测调整2026—2028年每年上调$8bn反映N2投入强度提高和持续的客户需求。
• DRAM WFE预测2026年$48bn；2027年$72bn；2028年$97bn对应增长50%、50%和35%；此前为$46bn、$67bn和$74bn。
• DRAM资本开支预测调整三星电子+22%；SK Hynix+19%均为2026—2028年平均资本开支预测相对上次更新的增幅。
• NAND WFE预测2026年$11bn；2027年$15bn；2028年$22bn对应增长35%、35%和50%；此前为$11bn、$17bn和$20bn。
• Logic/Other WFE预测2026年$34bn；2027年$47bn；2028年$53bn对应增长11%、40%和12%；此前为$32bn、$35bn和$37bn。
• Terafab初始阶段承诺投入约$16.8bn来自SpaceX和Tesla，相关贡献已计入Logic/Other预测。
• DRAM产能约束期限延续至2028年即使DRAM投资提高，高盛仍预计行业产能持续受限。
• NAND供给偏紧期限延续至2027年近期新增投资预计主要用于设备升级。

影响与含义

报告认为，全球WFE增长的广度和持续时间均强于此前预期：近期由DRAM、HBM相关投入及N2先进制程代工主导，中期进一步获得NAND、成熟制程、模拟市场复苏和Terafab建设支持。更高的设备支出路径构成高盛继续看好全球半导体资本设备股的主要依据。

后续跟踪

• 未来数个季度N2制程的放量进度及其设备投入强度。
• 三星电子和SK Hynix上调后的DRAM资本开支落实情况，以及产能约束是否延续至2028年。
• HBM4迁移和其他制程节点转换对设备需求的拉动。
• NAND近期投资是否继续以升级为主，以及供给能否在2027年后缓解。
• Intel需求改善、成熟制程和模拟芯片市场复苏的持续性。
• SpaceX和Tesla约168亿美元Terafab初始阶段投入的执行进度。