半導体製造装置：2026/27年のWFE強気ケースがベースケースとなり、業界の焦点は最終市場のコンピュート需要へ移行

概要

本レポートは世界の半導体前工程製造装置サイクルを再評価し、需要強度と能力拡張のペースの双方が従来の想定を上回っており、2026/27年の強気ケースがベースケースになったと結論づけている。成長は主に先端ロジック、DRAM、先端パッケージングによって牽引される一方、調査の焦点はWFE成長そのものから、コンピュート導入がこれほど大規模な装置投資を支えられるかどうかへ移っている。

主要見解

モルガン・スタンレーは2026/27/28年のWFE市場予想を1,550億米ドル、2,010億米ドル、2,270億米ドルから、それぞれ1,630億米ドル、2,230億米ドル、2,540億米ドルへ引き上げ、対応する前年比成長率を32%/31%/13%から39%/37%/14%へ改定した。2025年12月1日以降、2026年および2027年の予想は累計でそれぞれ26%および54%引き上げられており、今年5回目の上方修正となる。業界の年率換算ランレートは2026年12月期に約2,000億米ドルへ達すると見込まれ、4Q25の約1,250億米ドルから、4四半期でおよそ750億米ドル増加することを示唆する。 従来、WFEサイクルが持続可能とみられていた根拠は、クリーンルームおよび装置サプライチェーンの制約が短期的な能力拡張を制限する一方、中期的な機会を長期化させるという見方だった。本レポートは現在、業界が両方の制約を突破しつつあると考えている。メーカーはクリーンルームのスペースを解放し、装置設置を加速させ、需要対応のためノード移行を前倒ししている。2025年から2027年にかけてのWFEの1,000億米ドル超の増加は、レポートのコンピュート単位当たりWFE手法で算出した約30GWの装置需要と概ね一致する。インターネットチームは業界のコンピュート導入を2027/28年にそれぞれ29GWおよび36GWと予想している。したがって、重要な問いはもはや装置投資がどれほど速く成長できるかだけではなく、コンピュート需要が追加能力を吸収できるかどうかである。 先端ロジックは第1の主要成長柱である。本レポートは2026/27年のロジックWFE予想を890億米ドル/1,140億米ドルから950億米ドル/1,280億米ドルへ引き上げ、投資主体の裾野が広がっていると考えている。詳細なセグメント予想では、先端ロジックWFEは2026年に510億米ドル、65%増、2027年に760億米ドル、50%増、2028年に900億米ドル、17%増と見込む。別の要約モデルでは、先端ロジック成長率を2026/27年に72%/50%としている。成熟ロジックは大幅に弱く、詳細セクションでは2026/27年に-2%/+18%成長、要約モデルでは-3%/+15%成長を予想している。これは2023年から2026年までの投資が概ね横ばいで、2027年の回復も緩やかにとどまることを反映している。先端ロジック/成熟ロジックの構成比は、2024年の35%/65%から2028年には63%/37%へ移行すると見込まれる。一方、レポートの別箇所では、比較の出発点として2025年の39%/61%を用いている。 プロセス移行は先端ロジック投資の中心である。3nmのウエハ能力は2025年の180kwpmから2026年には265kwpmへ増加すると見込まれるが、2027年から2029年の追加は限定的である。一方、TSMC、インテル、サムスンは共同で2nm能力を拡張している。詳細なウエハモデルでは2027/28年の能力は180/335kwpmと示される一方、レポート概要では別途335/500kwpmと示されている。1.4nm能力はTSMCとインテル主導で2027/28年に60/130kwpmへ達する見込みである。2nm装置投資は2027年に約500億米ドルと予想され、TSMCは433億米ドル、インテルは205億米ドルを支出すると見込まれ、インテルはTSMCに次ぐ第2位の投資家となる。2028年については、TSMCとインテルの投資成長鈍化を保守的に想定し、サムスンの回復で一部相殺されるとみている。また、SpaceXによる潜在的に大きな20億米ドルの寄与は織り込んでいない。 DRAMは第2の主要成長柱であり、最も大きな予想引き上げを受けたセグメントである。2026/27年のDRAM WFE予想は490億米ドル/620億米ドルから530億米ドル/700億米ドルへ引き上げられ、それぞれ70%および33%の成長、2年間合計で1,200億米ドル超を意味する。2026年から2028年の平均年間DRAM WFEは670億米ドルと見込まれ、2023年から2025年の平均270億米ドルを大幅に上回る。サプライヤーは総じて、DRAMが2027年も全体WFEを上回ると示しており、750億米ドル超、約40%の成長を示唆している。モルガン・スタンレーは現在700億米ドルの予想を維持しているが、リスクは上振れ方向に偏っているとみている。 DRAMの拡張はグリーンフィールド投資とブラウンフィールド投資の両方で実現されている。2026/27年のグリーンフィールド能力追加予想は268/395kwpmから283/493kwpmへ引き上げられた。2027年の追加は2026年のほぼ2倍であり、2025年の165kwpmの約3倍に当たる。2026年から2028年の年間平均追加は427kwpmと予想され、2023年から2025年の平均170kwpmを上回る。マイクロンによるPSMCの銅鑼P5工場買収後、装置設置の加速が2026年に40億～50億米ドルの増分寄与をもたらす見込みである。マイクロンの1Gammaへの移行は、2026年のブラウンフィールドWFEを48%成長させる。サムスンはP4のクリーンルームスペースをDRAMにより多く配分しており、能力は2026年末までに85kwpmへ達する見込みである。一部のノード移行が2026年に前倒しされたため、本レポートはブラウンフィールド投資が2026年の250億米ドルから2027年には155億米ドルへ低下すると予想しているが、2027年のブラウンフィールド投資を過小評価している可能性を認めている。 この能力拡張はDRAM供給を大幅に増加させる。本レポートは2026/27年のDRAMビット供給成長予想を29%/33%から32%/38%へ引き上げた。2027年の38%予想は2025年に記録された24%を大きく上回る。HBMビット供給は55%/57%、従来型DRAMは30%/36%成長すると見込まれる。2027年以降、HBM以外の増分ウエハはHBMの増分ウエハを上回ると予想される。DRAMウエハ投入量は3Q26の2,169kwpmから2Q28には3,000kwpm超へ増加すると予測され、装置投資が大規模な供給能力へ転換されていることを示している。 NANDへの調整は比較的限定的である。2026年のNAND WFE予想は156億米ドルから137億米ドルへ引き下げられた一方、2027年予想は240億米ドルに据え置かれた。グリーンフィールド予想は概ね不変だが、2026年のブラウンフィールド投資はやや低い。これに伴い、2026/27年のNANDビット供給成長は24%/31%から24%/26%へ改定され、全体として20%台半ばにとどまる。YMTCは2026/27年の新規グリーンフィールド能力の約半分を占めると見込まれ、ウエハ拡張は2027年からビット供給成長の重要な源泉になると予想される。企業向けSSDのNAND需要構成比は2025年の29%から2028年には65%へ上昇すると見込まれる。本レポートは、低いベースからのNANDが引き続き2027年に最も成長率の高いWFEセグメントになると予想している。 先端パッケージングは第3の成長柱を構成する。アプライド マテリアルズ、ラムリサーチ、KLAはいずれも2026年の先端パッケージング事業が70%超成長するとガイダンスしている。本レポートは成長が主に2026年のCoWoS能力拡張によって牽引され、2027年にはHBMとSoICへ移行すると考えている。CoWoS、HBM、SoICに関連する装置需要は2026/27年に59%/56%成長すると見込まれ、先端パッケージングは引き続き全体WFEを上回る成長となる。前工程プロセスに関連する先端パッケージング売上高も、後工程を引き続き上回っている。本レポートはアプライド マテリアルズ、ラムリサーチ、KLA、東京エレクトロンの先端パッケージング売上高がそれぞれ約70%成長すると予想している。 本レポートは業界に弱気ではなく、成長の強さはポジティブな驚きだったとしているが、その軌道は継続的な加速を意味しない。2028年のWFE予想2,540億米ドルは、成長率が2027年の37%から14%へ鈍化することを意味する。現在の成長率を維持するには、2028年の市場は3,000億米ドルを超える必要がある。結果として、市場での議論は装置予想の引き上げから、コンピュート導入、ウエハ能力、メモリビット需要が2年連続の大規模投資を吸収できるかどうかへ徐々に移行するだろう。

分析フレームワーク

本レポートはまずWFE市場全体の規模を更新し、その後、先端ロジック、成熟ロジック、DRAM、NAND、先端パッケージングに予想を分解している。続いて、プロセスノード、月間ウエハ能力、グリーンフィールドおよびブラウンフィールド投資、ビット供給、大手メーカーの設備投資を通じて各セグメントを検証する。最後に、コンピュート単位当たりのWFE投資を用いて装置投資をインターネットチームのGW導入予想に結び付け、装置サプライヤーのガイダンスを独自モデルと照合することで、上振れ余地と2028年に予想される成長鈍化を特定している。

手法メモ

• 業界・セクター分析フレームワーク需給フレームワーク

  装置投資、ウエハ能力、ビット供給の連関

  本レポートはWFE投資からウエハ能力およびDRAM・NANDのビット供給成長を導出し、追加供給がコンピュートおよびストレージ需要と合致するかを評価している。

• 業界・セクター分析フレームワーク上流・中流・下流のバリューチェーン伝達

  コンピュート導入から半導体装置需要への伝達

  本レポートは下流のコンピュートGW導入を上流のWFE投資と結び付け、2027/28年の29GW/36GWの導入予想を用いて、約30GWに対応する装置投資が妥当かを検証している。

• 業界・セクター分析フレームワークその他

  GW当たりWFEマッピング

  この手法はコンピューティング能力の単位当たりに必要な前工程製造装置を見積もり、2025年から2027年にかけてのWFEの1,000億米ドル超の増加を、コンピュートインフラ導入規模と比較するために用いる。

• 業界・セクター分析フレームワーク数量・価格分解

  装置支出、ウエハ能力、ビット生産量による分解

  本レポートはWFE支出だけでなく、kwpmのウエハ能力とビット供給成長も別個に追跡し、装置支出が実際の生産量へどのように転換されるかを特定している。

• イベントドリブン戦略と行動ファイナンス期待ギャップ／期待値管理

  サプライヤーガイダンスと独自予想の比較

  本レポートは装置サプライヤーが示唆する2027年DRAM WFEの750億米ドル超と、自社の700億米ドル予想を比較し、予想の上振れリスクを特定している。

資産マッピングと比較

投資テーゼから固有資産への構造化マッピング（強み、弱み、同業、リスク）。

• TSMC

  本レポートは、主に2nm能力拡張により、2027年の先端ロジックWFE成長への最大の寄与者になると予想している。

  強み

  2027年の支出は433億米ドルと予想され、2nmおよび1.4nm能力の拡張を主導する。

  弱み

  本レポートは2028年の支出成長が鈍化すると保守的に予想している。

  比較

  2027年の予想支出は、インテルの予想205億米ドルを上回る。

• インテル

  本レポートは、2027年に先端ロジックWFEで第2位の投資家となり、強気ケースがベースケースとなる重要な条件の一つを構成すると予想している。

  強み

  2027年に205億米ドルを支出し、2nmおよび1.4nm能力拡張に参加すると見込まれる。

  弱み

  本レポートは2028年の支出成長が鈍化すると予想している。

  比較

  TSMCに次ぐ第2位となり、先端ロジック投資家の裾野を大きく広げると見込まれる。

• サムスン電子

  2nm先端ロジック拡張とグリーンフィールドDRAM拡張の双方に参加し、P4のクリーンルームスペースをより多くDRAMに配分している。

  強み

  P4工場は2026年末までにDRAMウエハ投入能力85kwpmへ達する見込みであり、ロジック投資は2028年に回復する可能性がある。

  弱み

  本レポートは2027年成長への寄与が引き続きTSMCとインテルを下回ると予想している。

  比較

  サムスンとSK hynixは、2027年DRAMグリーンフィールド予想に対する最大の引き上げを占める。

• マイクロン

  PSMCの銅鑼P5工場の買収、装置設置の加速、1Gammaノードへの移行が、2026年のDRAM WFEを想定以上に強くしている。

  強み

  P5工場は2026年に40億～50億米ドルの増分寄与をもたらす見込みであり、ノード移行がブラウンフィールド投資を支える。

  弱み

  ノード移行の前倒し後、本レポートは2027年のブラウンフィールド投資が大幅に鈍化すると予想している。

  比較

  サムスンおよびSK hynixとともに、DRAM能力拡張の主要な源泉である。

• SK hynix

  2026年DRAM予想の小幅な改定と、2027年グリーンフィールド予想の大幅な引き上げを支える主な参加者の一社である。

  強み

  DRAMおよびHBM装置需要の力強い成長から恩恵を受ける。

  比較

  サムスンと並び、2027年DRAMグリーンフィールド予想に対する最大級の引き上げを受けている。

• YMTC

  本レポートは、2026/27年のNANDグリーンフィールド能力増加の約半分を同社が占めると予想している。

  強み

  新規NANDウエハ能力の最大級の個別源泉の一つである。

  弱み

  2026年のNAND WFE予想は引き下げられ、業界のビット供給成長は20%台半ばへ低下する。

  比較

  本レポート予想のNANDグリーンフィールド追加の約50%を占める。

• アプライド マテリアルズ、ラムリサーチ、KLA、東京エレクトロン

  本レポートは、この装置メーカー群の先端パッケージング売上高が各社とも約70%成長すると予想している。

  強み

  2026年のCoWoS能力拡張と2027年のHBMおよびSoIC投資から恩恵を受け、前工程関連の先端パッケージング売上高の成長が後工程を上回る。

  比較

  4社すべてが先端パッケージングで概ね同程度の高成長を実現すると見込まれる。

主要データ

• 2026年WFE予想1,630億米ドル、前年比+39%従来は1,550億米ドル、+32%
• 2027年WFE予想2,230億米ドル、前年比+37%従来は2,010億米ドル、+31%
• 2028年WFE予想2,540億米ドル、前年比+14%従来は2,270億米ドル、+13%。成長率は2027年を大幅に下回る
• 累計予想引き上げ2026年+26%、2027年+54%2025年12月1日時点の予想比
• 業界年率換算ランレート約2,000億米ドル2026年12月期に到達見込み。4Q25は約1,250億米ドル
• 2026/27年ロジックWFE予想950億米ドル/1,280億米ドル従来は890億米ドル/1,140億米ドル
• 2027年先端ロジックWFE760億米ドル、+50%TSMCとインテルが主な成長源
• 2027年2nm装置投資約500億米ドルTSMC、インテル、サムスン、その他メーカーの能力拡張が牽引
• 2026/27年DRAM WFE530億米ドル/700億米ドルそれぞれ70%/33%増、2年間合計で1,200億米ドル超
• 2026/27年DRAMビット供給成長32%/38%従来予想は29%/33%
• 2026/27年NAND WFE137億米ドル/240億米ドル従来は156億米ドル/240億米ドル
• 2026/27年先端パッケージング装置需要成長59%/56%CoWoS、HBM、SoICを含む
• 企業向けSSDの構成比2025年の29%から2028年には65%へ上昇本レポートが予想するNAND需要構成の変化

影響と示唆

本レポートは、半導体装置サイクルの規模と継続期間の両方が従来予想より強く、先端ロジック、DRAM、先端パッケージング装置サプライヤーがより広範な設備投資源から恩恵を受けると結論づけている。しかし、大規模な能力拡張により議論は最終市場のコンピュートおよびストレージ需要が追加供給を吸収できるかへ移行し、2027年の高いベースに続き、2028年の成長は大幅に鈍化する見込みである。

リスク

• 2027年のDRAM WFE予想には上振れリスクがある。装置サプライヤーのシグナルは、本レポートのモデルにおける700億米ドルに対して750億米ドル超を示している。
• 本レポートは、モデルが投資額を2026年の250億米ドルから2027年の155億米ドルへ低下すると想定しているため、2027年のDRAMブラウンフィールド投資を過小評価している可能性を認めている。

注目点

• WFEの年率換算ランレートが2026年12月期に約2,000億米ドルへ達するかを追跡する。
• 2027/28年の29GW/36GWのコンピュート導入が急拡大する装置投資を支えられるかを注視する。
• 2027年のDRAM WFEがレポートの700億米ドル予想に近づくのか、あるいはサプライヤーが示唆する750億米ドル超に達するのかを注視する。
• TSMCの433億米ドル、インテルの205億米ドル、約500億米ドルの2nm装置投資が実現するかを追跡する。
• 先端パッケージングの成長が予想通り2027年にCoWoSからHBMおよびSoICへ移行するかを監視する。
• 2028年のWFE市場が3,000億米ドルを超えられるかを注視する。この水準を下回れば、2027年の成長率を維持することは困難となる。