Semiconductores japoneses (sustratos de máscaras EUV/DUV y equipos de inspección): La proliferación de diseños de ASIC de IA y las actualizaciones de tecnología EUV impulsan conjuntamente la demanda de sustratos de máscaras, beneficiando a HOYA y Lasertec

Visión general

El informe examina cómo la proliferación de diseños de ASIC de IA y las actualizaciones hacia nodos de proceso avanzados están impulsando el crecimiento de la industria japonesa de sustratos de máscaras EUV y analiza cómo HOYA y Lasertec se beneficiarán. Bernstein cree que el aumento del número de diseños de chips y de capas EUV expandirá el consumo de sustratos de máscaras, mientras que las máscaras de desplazamiento de fase y EUV High-NA elevarán los precios unitarios y las barreras tecnológicas. HOYA se beneficia directamente de su cuota de mercado y sus ventajas tecnológicas de próxima generación, mientras que Lasertec se beneficia de requisitos más estrictos de inspección de máscaras.

Perspectivas principales

El informe primero desglosa el crecimiento de los sustratos de máscaras EUV en dos impulsores principales: volumen y precio unitario. A medida que los proveedores de servicios en la nube y las empresas de IA desarrollan sus propias GPU, CPU y diversos aceleradores de IA, cada diseño de chip requiere múltiples juegos de costosas máscaras EUV y sustratos de máscaras. Bernstein espera que el número de diseños de chips que utilizan nodos lógicos avanzados de 7nm e inferiores crezca a una CAGR del 21% entre 2025 y 2028. Los datos de tape-outs de TSMC corroboran la expansión del ecosistema de diseño: en diciembre de 2025, el volumen de tape-outs de su nodo N2 en una etapa de desarrollo comparable era aproximadamente 2 veces el de N3, aumentando a aproximadamente 4 veces en junio de 2026. Mientras tanto, aunque TSMC no aumentó el número de capas EUV al pasar de 3nm a 2nm debido a la transición a la arquitectura GAA, los recuentos de capas EUV en nodos avanzados siguen aumentando en general, desde algo más de veinte capas actualmente hasta aproximadamente 30 capas en A10 (1nm). Se espera que la combinación de más diseños y más capas requeridas por diseño impulse los envíos de sustratos de máscaras EUV de 17,500 unidades en 2025 a 30,000 unidades en 2028, lo que representa una CAGR del 19%. Los sustratos de máscaras EUV ya han superado a los productos DUV y representan aproximadamente dos tercios del mercado total de sustratos de máscaras. El informe espera que el mercado de sustratos de máscaras EUV se expanda a una CAGR del 25% entre 2025 y 2028. Combinando EUV y DUV, se proyecta que el mercado de sustratos de máscaras crecerá de US$1.33 mil millones en 2025 a US$2.23 mil millones en 2028, lo que representa una CAGR del 19%. Bernstein cree que el crecimiento estructural del volumen continuará más allá de 2028, y que la adopción de máscaras High-NA se convertirá en un nuevo impulsor de crecimiento. El crecimiento del precio unitario está siendo impulsado por la creciente complejidad de las estructuras de las máscaras. El precio medio de venta de un único sustrato de máscara EUV se aproxima a US$500,000, aproximadamente 100 veces el precio de venta de US$500 de un sustrato de máscara DUV. La litografía EUV utiliza óptica reflectante, lo que requiere un sustrato de máscara con aproximadamente 50 capas de recubrimiento que forman un reflector multicapa. El periodo entre capas es de aproximadamente 7 nanómetros y se genera interferencia constructiva con base en la ley de Bragg. Los recubrimientos complejos, el control de defectos extremadamente estricto y la precisión de fabricación crean altas barreras de entrada. A medida que se reducen los anchos de línea, la interferencia entre haces de luz reflejada adyacentes reduce el contraste del patrón. En consecuencia, la industria está adoptando máscaras de desplazamiento de fase a partir de 2nm, utilizando una capa adicional de desplazamiento de fase para cambiar la fase de la luz reflejada en 180 grados y mejorar así el contraste y la fidelidad del patrón. El nodo de 2nm puede requerir aproximadamente 5 capas de desplazamiento de fase, aumentando a aproximadamente 10 capas en 1.4nm. Se espera que el precio medio de venta de las máscaras de desplazamiento de fase sea entre un 20% y un 30% superior al de las máscaras EUV binarias convencionales. Su adopción ya ha comenzado con el inicio de la producción en masa de 2nm, proporcionando crecimiento incremental a corto plazo para los proveedores. El informe detallado proyecta que las actualizaciones hacia máscaras de desplazamiento de fase y la adopción de High-NA impulsarán una CAGR de un dígito alto en los precios medios de venta de sustratos de máscaras EUV entre 2025 y 2028. La siguiente etapa es EUV High-NA, cuya apertura numérica aumenta de la actual 0.33 a 0.55 y se espera que se utilice para DRAM y nodos lógicos de vanguardia entre 2027 y 2029. El informe afirma que su resolución puede mejorar aproximadamente un 70%, permitiendo tamaños de características más finos con menos pasos de patrón múltiple. Para los proveedores de máscaras, High-NA requiere nuevos materiales y diseños de capa absorbente, un control de defectos más estricto, mayor precisión de las máscaras y procesos de deposición multicapa más complejos. En consecuencia, se espera que los precios unitarios superen a los de las máscaras de desplazamiento de fase. A más largo plazo, las máscaras High-NA de iluminación anamórfica pueden aumentar de tamaño desde las actuales 6×6 pulgadas hasta 12×6 pulgadas, con precios medios de venta que potencialmente alcancen más del doble de los sustratos de máscaras existentes. HOYA es el beneficiario más directo. El mercado de sustratos de máscaras EUV está dominado por el duopolio HOYA-AGC, y HOYA posee más del 70% de cuota. El informe considera que HOYA tiene la cuota líder en TSMC, Samsung y SK hynix, mientras que AGC históricamente tenía ventaja en Intel. Bernstein cree que, a medida que las máscaras de desplazamiento de fase y los productos High-NA representen una proporción mayor del mercado, la hoja de ruta tecnológica favorecerá cada vez más a HOYA. Las capacidades de productos de próxima generación de la compañía pueden ayudarle a ganar más cuota de mercado y aumentar su penetración en Intel. El informe espera que los ingresos de HOYA por sustratos de máscaras EUV crezcan a una CAGR del 26.2% entre 2025 y 2028, más rápido que el mercado general. En su modelo actualizado de la compañía, la previsión de crecimiento de sustratos de máscaras EUV para FY26/3—FY29/3E se eleva del 21% anterior al 28%. El negocio de sustratos de máscaras tiene un mayor impacto en los beneficios de HOYA de lo que sugeriría su contribución a los ingresos. En FY26/3, el negocio representó el 40% de los ingresos del negocio de TI de HOYA, el 51% de los beneficios del negocio de TI y el 33% de los beneficios de toda la compañía. Dado que tanto su tasa de crecimiento como su margen de beneficio son superiores a los de otros negocios, Bernstein espera que su participación en los beneficios del negocio de TI aumente al 55% en FY29/3E. En consecuencia, el informe eleva las previsiones de ingresos totales de HOYA para FY28/3E—FY29/3E entre un 4% y un 5%, y las previsiones de beneficio operativo entre un 4% y un 7%. Los sustratos de máscaras DUV siguen siendo un impulsor positivo, pero son menos importantes: limitada por la capacidad, HOYA depende principalmente de un crecimiento de precios unitarios de un porcentaje medio de un dígito en lugar de un crecimiento significativo de volumen. Como aproximadamente el 65% de sus ingresos por sustratos de máscaras ya procede de productos relacionados con EUV, el crecimiento general convergerá cada vez más con el del mercado EUV de crecimiento más rápido. Bernstein reitera su calificación Outperform para HOYA y continúa aplicando un múltiplo P/E forward de 35 veces Q5—Q8, utilizando su previsión de EPS forward de ¥1,013 para derivar un precio objetivo elevado de ¥34,800 a ¥35,500. Los riesgos a la baja identificados explícitamente en el informe incluyen una transición tecnológica EUV más lenta o cambios en el panorama competitivo, una demanda cíclica de HDD más débil y el impacto de movimientos adversos del tipo de cambio sobre los ingresos. La vía de Lasertec para beneficiarse proviene de que los requisitos de inspección se vuelven más estrictos a medida que aumenta la complejidad de las máscaras. La compañía es el único proveedor del sistema líder de inspección de sustratos de máscaras ABiCS y ha lanzado sus plataformas E120 y E320 para respaldar nodos avanzados y la futura demanda de EUV High-NA. También posee una posición de proveedor único en la inspección actínica de máscaras EUV con patrón mediante ACTIS. Sin embargo, la contribución actual de ingresos de la inspección de sustratos de máscaras EUV sigue siendo limitada. Bernstein cree que el potencial alcista más significativo procede de las plataformas de inspección de máscaras con patrón ACTIS y MATRiCS, y espera que las previsiones de beneficios relativamente conservadoras de la compañía se revisen gradualmente al alza. El informe reitera su calificación Outperform y su precio objetivo de ¥54,000 para Lasertec, basados en un múltiplo P/E forward de 40 veces Q5—Q8. Los riesgos a la baja incluyen una adopción más lenta de la inspección actínica en las fábricas de TSMC, una demanda de litografía EUV inferior a la esperada, incertidumbre sobre la entrada de competidores al mercado y los efectos de tipos de cambio adversos sobre los ingresos y márgenes.

Marco de análisis

El informe primero estima los volúmenes de sustratos de máscaras basándose en el número de diseños de chips de IA y los recuentos de capas EUV en nodos avanzados. Luego evalúa los cambios en los precios medios de venta basándose en la transición tecnológica hacia máscaras de desplazamiento de fase, High-NA y futuras máscaras de iluminación anamórfica, generando así previsiones para los mercados de sustratos de máscaras EUV y general. Posteriormente, el informe vincula el crecimiento de la industria con las previsiones de ingresos y beneficio operativo de HOYA al incorporar cuota de mercado, mezcla de clientes, hojas de ruta tecnológicas y contribuciones de beneficios del negocio. Para Lasertec, analiza la demanda de equipos a lo largo de la cadena, desde la creciente complejidad de las máscaras hasta requisitos de inspección más estrictos. Finalmente, el informe determina los precios objetivo de ambas compañías utilizando EPS forward Q5—Q8 y múltiplos P/E objetivo.

Notas metodológicas

• Marco de análisis de industria/sectorDescomposición volumen-precio

  Descomposición del volumen de ventas y del precio medio de venta de sustratos de máscaras

  El informe explica el crecimiento de los envíos mediante el número de diseños de chips avanzados y los recuentos de capas EUV, y explica el crecimiento del precio medio de venta mediante la penetración de productos de mayor valor como las máscaras de desplazamiento de fase y High-NA, derivando así el tamaño del mercado.

• Marco de análisis de industria/sectorTransmisión de la cadena industrial upstream-midstream-downstream

  Transmisión de la demanda desde el diseño de chips de IA hasta los sustratos de máscaras y los equipos de inspección

  El informe rastrea la proliferación de diseños de chips por parte de proveedores de servicios en la nube y empresas de IA hasta los tape-outs y el consumo de sustratos de máscaras EUV, y luego vincula la creciente complejidad de las máscaras con la demanda de equipos de inspección de Lasertec.

• Marco de análisis de industria/sectorAnálisis de concentración de la industria

  Análisis del duopolio de sustratos de máscaras EUV y de los cambios en la cuota de mercado

  El informe compara a HOYA y AGC en términos de cuota de mercado, base de clientes y capacidades tecnológicas de próxima generación para evaluar si HOYA puede seguir ganando cuota durante la transición hacia las máscaras de desplazamiento de fase y High-NA.

• Método de valoraciónValoración P/E/PEG

  Valoración P/E forward Q5—Q8

  El precio objetivo de HOYA se basa en un múltiplo P/E forward de 35 veces Q5—Q8 y EPS forward de ¥1,013; el precio objetivo de Lasertec se basa en un múltiplo P/E forward de 40 veces Q5—Q8.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• HOYA (7741.JP)

  La expansión del mercado de sustratos de máscaras EUV y las actualizaciones hacia máscaras de desplazamiento de fase y High-NA impulsan directamente sus ingresos, beneficios y potencial crecimiento de cuota de mercado.

  Fortalezas

  Posee más del 70% del mercado de sustratos de máscaras EUV y cuenta con liderazgo tecnológico en máscaras de desplazamiento de fase y High-NA; el negocio de sustratos de máscaras tiene mayores márgenes y crecimiento que los otros negocios de la compañía.

  Debilidades

  El negocio de sustratos de máscaras DUV está limitado por la capacidad, y el crecimiento depende principalmente de los precios unitarios; algunos negocios de la compañía siguen expuestos a la demanda cíclica de HDD.

  Comparación

  El mercado de sustratos de máscaras EUV está dominado por el duopolio HOYA-AGC. El informe considera que HOYA tiene la cuota líder en TSMC, Samsung y SK hynix, mientras que AGC históricamente tenía una posición más fuerte en Intel.

  Riesgos

  Una transición tecnológica EUV más lenta de lo esperado, cambios en el panorama competitivo, una demanda más débil de HDD y movimientos adversos del tipo de cambio.

• Lasertec (6920.JP)

  La creciente complejidad de las máscaras EUV y los sustratos de máscaras genera requisitos de inspección más estrictos, respaldando la demanda a largo plazo de sus equipos de inspección.

  Fortalezas

  Es el único proveedor del sistema de inspección de sustratos de máscaras ABiCS y mantiene una posición de proveedor único en la inspección actínica de máscaras con patrón a través de ACTIS; E120 y E320 pueden respaldar nodos avanzados y la futura demanda de High-NA.

  Debilidades

  La contribución actual de ingresos de la inspección de sustratos de máscaras EUV sigue siendo limitada, y el principal potencial alcista depende de las plataformas de inspección de máscaras con patrón ACTIS y MATRiCS.

  Comparación

  El informe enfatiza las posiciones de proveedor único de la compañía en ABiCS y ACTIS, pero no proporciona una comparación cuantitativa con pares.

  Riesgos

  Una adopción más lenta de la inspección actínica por parte de TSMC, una demanda de litografía EUV inferior a la esperada, incertidumbre respecto a la entrada de competidores al mercado y el impacto de tipos de cambio adversos sobre los ingresos y márgenes.

Datos clave

• Crecimiento del mercado de sustratos de máscaras EUVCAGR del 25% de 2025 a 2028Impulsado conjuntamente por el número de diseños, los recuentos de capas EUV y la penetración de productos de mayor valor
• Tamaño total del mercado de sustratos de máscarasUS$1.33 mil millones en 2025; US$2.23 mil millones en 2028EEUV y DUV combinados, con una CAGR esperada del 19%
• Número de diseños de chips de nodos avanzadosCAGR del 21% de 2025 a 2028Cubre nodos de 7nm e inferiores
• Volumen de tape-outs N2 de TSMCAproximadamente 4 veces el de N3 durante el mismo periodoAproximadamente 2 veces en diciembre de 2025, aumentando a aproximadamente 4 veces en junio de 2026
• Recuento de capas EUV en nodos avanzadosAumentando de algo más de veinte capas a aproximadamente 30 capas en A10 (1nm)El aumento en el recuento de capas eleva el número de sustratos de máscaras requeridos para cada diseño de chip
• Envíos de sustratos de máscaras EUV17,500 unidades en 2025; 30,000 unidades en 2028ECAGR esperada del 19%
• Precio unitario de sustrato de máscara EUVCerca de US$500,000 por unidadAproximadamente 100 veces el precio unitario de US$500 de un sustrato de máscara DUV
• Prima de precio unitario de máscara de desplazamiento de fase20%—30%En relación con las máscaras EUV binarias convencionales
• Crecimiento del precio medio de venta de sustratos de máscaras EUVCAGR de un porcentaje alto de un dígito de 2025 a 2028EPrevisión del informe detallado, impulsada principalmente por las actualizaciones de máscaras de desplazamiento de fase y High-NA
• Parámetros y resolución High-NANA de 0.55 frente a la NA actual de 0.33; mejora de aproximadamente 70% en la resoluciónSe espera que respalde DRAM y nodos lógicos de vanguardia entre 2027 y 2029
• Cuota de mercado de HOYA en sustratos de máscaras EUVMás del 70%Forma un duopolio con AGC
• Crecimiento de ingresos de HOYA por sustratos de máscaras EUVCAGR del 26.2% de 2025 a 2028ESe espera que supere el ritmo del mercado general de sustratos de máscaras EUV
• Previsión de crecimiento actualizada de HOYACAGR del 28% de FY26/3 a FY29/3ELa previsión anterior era del 21%
• Revisiones de estimaciones de HOYAIngresos elevados entre un 4% y un 5%; beneficio operativo elevado entre un 4% y un 7%Aplicable a FY28/3E—FY29/3E
• Contribución del negocio de sustratos de máscaras de HOYA40% de los ingresos de TI, 51% de los beneficios de TI y 33% del beneficio total en FY26/3Se espera que aumente al 55% del beneficio de TI en FY29/3E
• Precio objetivo de HOYA¥35,500Precio objetivo anterior de ¥34,800; basado en un múltiplo P/E de 35 veces Q5—Q8 y EPS forward de ¥1,013
• Precio objetivo de Lasertec¥54,000Basado en un múltiplo P/E forward de 40 veces Q5—Q8

Impacto e implicaciones

El informe sostiene que la proliferación de diseños de ASIC de IA no solo aumenta el número de tape-outs de nodos avanzados, sino que también amplifica la demanda de máscaras para cada diseño mediante mayores recuentos de capas EUV. Las máscaras de desplazamiento de fase y High-NA extienden el crecimiento más allá de la pura expansión del volumen hacia precios unitarios y barreras tecnológicas más elevados. Con más del 70% de cuota de mercado, sólidas capacidades tecnológicas de próxima generación y una elevada contribución de beneficios de los sustratos de máscaras, se espera que HOYA supere el crecimiento de la industria. Lasertec se beneficia de requisitos cada vez más estrictos de control de defectos y fidelidad de patrones, aunque su potencial de beneficios a corto plazo depende más de las plataformas de inspección de máscaras con patrón ACTIS y MATRiCS.

Riesgos

• Una desaceleración en la transición tecnológica EUV podría debilitar la demanda de sustratos de máscaras y alterar el panorama competitivo de HOYA.
• Los cambios en la demanda cíclica de HDD podrían crear presión a la baja para HOYA.
• Los movimientos adversos del tipo de cambio podrían reducir los ingresos de HOYA y afectar los ingresos y márgenes de Lasertec.
• Una adopción más lenta de lo esperado de la inspección actínica en las fábricas de TSMC podría afectar la demanda de los equipos de Lasertec.
• Una demanda de litografía EUV inferior a la esperada podría reducir el crecimiento de las plataformas de inspección relacionadas de Lasertec.
• Los cambios en el calendario de entrada de los competidores al mercado podrían afectar la posición competitiva de Lasertec.

Aspectos que vigilar

• Seguir el número de diseños de chips de nodos avanzados y si puede continuar el crecimiento de los tape-outs N2 de TSMC respecto a N3.
• Supervisar el progreso del aumento de los recuentos de capas EUV desde algo más de veinte capas hasta aproximadamente 30 capas en 1nm.
• Supervisar la aceleración de producción de máscaras de desplazamiento de fase de 2nm y el aumento de los recuentos de capas de desplazamiento de fase en el nodo de 1.4nm.
• Supervisar el progreso de adopción de EUV High-NA en DRAM y nodos lógicos de vanguardia entre 2027 y 2029.
• Seguir si HOYA puede aprovechar las tecnologías de máscaras de desplazamiento de fase y High-NA para ganar cuota de mercado y aumentar su penetración en Intel.
• Supervisar posibles revisiones al alza de la previsión conservadora de Lasertec y cambios en la demanda de las plataformas ACTIS y MATRiCS.