Semicondutores Japoneses (Mask Blanks EUV/DUV e Equipamentos de Inspeção): Proliferação de Projetos de ASICs de IA e Atualizações Tecnológicas de EUV Impulsionam Conjuntamente a Demanda por Mask Blanks, Beneficiando HOYA e Lasertec

Visão geral

O relatório examina como a proliferação de projetos de ASICs de IA e as atualizações para nós de processo avançados estão impulsionando o crescimento da indústria japonesa de mask blanks EUV e analisa como HOYA e Lasertec podem se beneficiar. A Bernstein acredita que os aumentos no número de projetos de chips e de camadas EUV ampliarão o consumo de mask blanks, enquanto as máscaras de deslocamento de fase e a EUV de Alta NA elevarão os preços unitários e as barreiras tecnológicas. A HOYA se beneficia diretamente de sua participação de mercado e de suas vantagens tecnológicas de próxima geração, enquanto a Lasertec se beneficia de requisitos mais rigorosos de inspeção de máscaras.

Visões principais

O relatório primeiro divide o crescimento de mask blanks EUV em dois principais vetores: volume e preço unitário. À medida que provedores de serviços em nuvem e empresas de IA desenvolvem suas próprias GPUs, CPUs e diversos aceleradores de IA, cada projeto de chip requer múltiplos conjuntos de máscaras EUV e mask blanks caros. A Bernstein espera que o número de projetos de chips que utilizam nós de lógica avançados de 7nm e abaixo cresça a uma CAGR de 21% de 2025 a 2028. Os dados de tape-out da TSMC corroboram a expansão do ecossistema de projetos: em dezembro de 2025, o volume de tape-outs de seu nó N2 em um estágio de desenvolvimento comparável era aproximadamente 2 vezes o do N3, aumentando para aproximadamente 4 vezes em junho de 2026. Enquanto isso, embora a TSMC não tenha aumentado o número de camadas EUV na transição de 3nm para 2nm devido à mudança para a arquitetura GAA, as contagens de camadas EUV nos nós avançados em geral ainda estão aumentando, de pouco mais de vinte camadas atualmente para aproximadamente 30 camadas no A10 (1nm). Espera-se que a combinação de mais projetos e mais camadas necessárias por projeto eleve os embarques de mask blanks EUV de 17.500 unidades em 2025 para 30.000 unidades em 2028, representando uma CAGR de 19%. Os mask blanks EUV já ultrapassaram os produtos DUV e respondem por aproximadamente dois terços do mercado total de mask blanks. O relatório espera que o mercado de mask blanks EUV se expanda a uma CAGR de 25% de 2025 a 2028. Combinando EUV e DUV, projeta-se que o mercado de mask blanks cresça de US$1,33 bilhão em 2025 para US$2,23 bilhões em 2028, representando uma CAGR de 19%. A Bernstein acredita que o crescimento estrutural de volume continuará além de 2028, com a adoção de máscaras de Alta NA tornando-se um novo vetor de crescimento. O crescimento dos preços unitários é impulsionado pela crescente complexidade das estruturas das máscaras. O preço médio de venda de um único mask blank EUV está próximo de US$500.000, aproximadamente 100 vezes o preço de venda de US$500 de um mask blank DUV. A litografia EUV utiliza óptica refletiva, exigindo um mask blank com aproximadamente 50 camadas de revestimento que formam um refletor multicamadas. O período entre camadas é de aproximadamente 7 nanômetros, e a interferência construtiva é gerada com base na lei de Bragg. Revestimentos complexos, controle de defeitos extremamente rigoroso e precisão de fabricação criam altas barreiras à entrada. À medida que as larguras de linha diminuem, a interferência entre feixes de luz refletidos adjacentes reduz o contraste do padrão. Consequentemente, a indústria está adotando máscaras de deslocamento de fase a partir de 2nm, utilizando uma camada adicional de deslocamento de fase para alterar a fase da luz refletida em 180 graus e, assim, melhorar o contraste e a fidelidade do padrão. O nó de 2nm pode exigir aproximadamente 5 camadas de deslocamento de fase, aumentando para aproximadamente 10 camadas em 1,4nm. Espera-se que o preço médio de venda de máscaras de deslocamento de fase seja 20%—30% superior ao das máscaras EUV binárias convencionais. Sua adoção já começou com o início da produção em massa de 2nm, proporcionando crescimento incremental de curto prazo aos fornecedores. O relatório detalhado projeta que as atualizações para máscaras de deslocamento de fase e a adoção de Alta NA impulsionarão uma CAGR de um dígito alto nos preços médios de venda de mask blanks EUV de 2025 a 2028. A próxima etapa é a EUV de Alta NA, cuja abertura numérica aumenta dos atuais 0,33 para 0,55 e que deve ser utilizada para DRAM e nós de lógica de ponta entre 2027 e 2029. O relatório afirma que sua resolução pode melhorar em aproximadamente 70%, possibilitando dimensões de características menores com menos etapas de multipadronização. Para os fornecedores de máscaras, a Alta NA exige novos materiais e projetos de camadas absorvedoras, controle de defeitos mais rigoroso, maior precisão das máscaras e processos mais complexos de deposição multicamadas. Consequentemente, espera-se que os preços unitários superem os das máscaras de deslocamento de fase. No prazo mais longo, as máscaras de Alta NA com iluminação anamórfica podem aumentar de tamanho dos atuais 6×6 polegadas para 12×6 polegadas, com preços médios de venda potencialmente atingindo mais que o dobro dos mask blanks existentes. A HOYA é a beneficiária mais direta. O mercado de mask blanks EUV é dominado pelo duopólio HOYA-AGC, com a HOYA detendo mais de 70% de participação. O relatório considera que a HOYA detém a participação líder na TSMC, Samsung e SK hynix, enquanto a AGC historicamente teve vantagem na Intel. A Bernstein acredita que, à medida que máscaras de deslocamento de fase e produtos de Alta NA passarem a representar uma proporção maior do mercado, o roteiro tecnológico favorecerá cada vez mais a HOYA. As capacidades de seus produtos de próxima geração podem ajudar a empresa a conquistar participação adicional de mercado e aumentar sua penetração na Intel. O relatório espera que a receita de mask blanks EUV da HOYA cresça a uma CAGR de 26,2% de 2025 a 2028, acima do mercado geral. Em seu modelo atualizado da empresa, a previsão de crescimento de mask blanks EUV para FY26/3—FY29/3E é elevada dos 21% anteriores para 28%. O negócio de mask blanks tem maior impacto sobre o lucro da HOYA do que sua contribuição para a receita sugeriria. Em FY26/3, o negócio respondeu por 40% da receita do negócio de TI da HOYA, 51% do lucro do negócio de TI e 33% do lucro de toda a companhia. Como tanto sua taxa de crescimento quanto sua margem de lucro são maiores que as de outros negócios, a Bernstein espera que sua participação no lucro do negócio de TI suba para 55% em FY29/3E. Consequentemente, o relatório eleva as previsões de receita total da HOYA para FY28/3E—FY29/3E em 4%—5% e as previsões de lucro operacional em 4%—7%. Os mask blanks DUV continuam sendo um vetor positivo, mas são menos importantes: restringida pela capacidade, a HOYA depende principalmente de crescimento de preços unitários de percentual de um dígito médio, em vez de crescimento material de volume. Como aproximadamente 65% de sua receita de mask blanks já vem de produtos relacionados a EUV, o crescimento geral convergirá cada vez mais para o do mercado EUV, que cresce mais rapidamente. A Bernstein reitera sua classificação Outperform para a HOYA e continua a aplicar um múltiplo P/L futuro de 35 vezes Q5—Q8, usando sua previsão de EPS futuro de ¥1.013 para derivar um preço-alvo elevado de ¥34.800 para ¥35.500. Os riscos de baixa explicitamente identificados no relatório incluem uma transição mais lenta da tecnologia EUV ou mudanças no cenário competitivo, demanda cíclica mais fraca por HDD e o impacto de movimentos cambiais adversos sobre a receita. O caminho da Lasertec para se beneficiar decorre de requisitos de inspeção mais rigorosos à medida que a complexidade das máscaras aumenta. A empresa é a única fornecedora do principal sistema de inspeção de mask blanks ABiCS e lançou suas plataformas E120 e E320 para suportar nós avançados e a futura demanda por EUV de Alta NA. Também detém uma posição de fornecedora única na inspeção actínica de máscaras EUV padronizadas por meio do ACTIS. No entanto, a contribuição atual da inspeção de mask blanks EUV para a receita permanece limitada. A Bernstein acredita que o potencial de alta mais significativo vem das plataformas de inspeção de máscaras padronizadas ACTIS e MATRiCS e espera que a orientação de lucros relativamente conservadora da empresa seja gradualmente revisada para cima. O relatório reitera sua classificação Outperform e o preço-alvo de ¥54.000 para a Lasertec, com base em um múltiplo P/L futuro de 40 vezes Q5—Q8. Os riscos de baixa incluem adoção mais lenta da inspeção actínica nas fábricas da TSMC, demanda por litografia EUV abaixo do esperado, incerteza quanto à entrada de concorrentes no mercado e os efeitos de taxas de câmbio adversas sobre receita e margens.

Estrutura de análise

O relatório primeiro estima os volumes de mask blanks com base no número de projetos de chips de IA e nas contagens de camadas EUV em nós avançados. Em seguida, avalia mudanças nos preços médios de venda com base na transição tecnológica para máscaras de deslocamento de fase, Alta NA e futuras máscaras de iluminação anamórfica, produzindo assim previsões para os mercados de mask blanks EUV e total. Posteriormente, o relatório mapeia o crescimento da indústria para as previsões de receita e lucro operacional da HOYA, incorporando participação de mercado, mix de clientes, roteiros tecnológicos e contribuições de lucro do negócio. Para a Lasertec, analisa a demanda por equipamentos ao longo da cadeia, desde a crescente complexidade das máscaras até requisitos de inspeção mais rigorosos. Por fim, o relatório determina os preços-alvo para ambas as empresas usando EPS futuro Q5—Q8 e múltiplos P/L-alvo.

Notas metodológicas

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorDecomposição de Volume-Preço

  Decomposição do volume de vendas de mask blanks e do preço médio de venda

  O relatório explica o crescimento dos embarques por meio do número de projetos de chips avançados e das contagens de camadas EUV, e explica o crescimento do preço médio de venda por meio da penetração de produtos de maior valor, como máscaras de deslocamento de fase e Alta NA, derivando assim o tamanho do mercado.

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorTransmissão da Cadeia Industrial Upstream-Midstream-Downstream

  Transmissão de demanda do projeto de chips de IA para mask blanks e equipamentos de inspeção

  O relatório rastreia a proliferação de projetos de chips por provedores de serviços em nuvem e empresas de IA até os tape-outs e o consumo de mask blanks EUV, e depois relaciona a crescente complexidade das máscaras à demanda pelos equipamentos de inspeção da Lasertec.

• Estrutura de Análise de Indústria/SetorAnálise de Concentração da Indústria

  Análise do duopólio de mask blanks EUV e das mudanças na participação de mercado

  O relatório compara HOYA e AGC em termos de participação de mercado, base de clientes e capacidades tecnológicas de próxima geração para avaliar se a HOYA pode continuar ganhando participação durante a transição para máscaras de deslocamento de fase e Alta NA.

• Método de AvaliaçãoAvaliação P/L/PEG

  Avaliação P/L futura Q5—Q8

  O preço-alvo da HOYA é baseado em um múltiplo P/L futuro Q5—Q8 de 35 vezes e em ¥1.013 de EPS futuro; o preço-alvo da Lasertec é baseado em um múltiplo P/L futuro Q5—Q8 de 40 vezes.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• HOYA (7741.JP)

  A expansão do mercado de mask blanks EUV e as atualizações para máscaras de deslocamento de fase e Alta NA impulsionam diretamente sua receita, lucro e potencial crescimento de participação de mercado.

  Pontos fortes

  Detém mais de 70% do mercado de mask blanks EUV e possui liderança tecnológica em máscaras de deslocamento de fase e Alta NA; o negócio de mask blanks tem margens e crescimento superiores aos demais negócios da empresa.

  Pontos fracos

  O negócio de mask blanks DUV é limitado pela capacidade, com crescimento dependendo principalmente dos preços unitários; alguns negócios da companhia continuam expostos à demanda cíclica por HDD.

  Comparação

  O mercado de mask blanks EUV é dominado pelo duopólio HOYA-AGC. O relatório acredita que a HOYA detém a participação líder na TSMC, Samsung e SK hynix, enquanto a AGC historicamente teve posição mais forte na Intel.

  Riscos

  Uma transição da tecnologia EUV mais lenta que o esperado, mudanças no cenário competitivo, demanda mais fraca por HDD e movimentos cambiais adversos.

• Lasertec (6920.JP)

  A crescente complexidade das máscaras EUV e dos mask blanks cria requisitos de inspeção mais rigorosos, apoiando a demanda de longo prazo por seus equipamentos de inspeção.

  Pontos fortes

  É a única fornecedora do sistema de inspeção de mask blanks ABiCS e mantém uma posição de fornecedora única na inspeção actínica de máscaras padronizadas por meio do ACTIS; E120 e E320 podem suportar nós avançados e a futura demanda por Alta NA.

  Pontos fracos

  A contribuição atual da inspeção de mask blanks EUV para a receita permanece limitada, com o principal potencial de alta dependendo das plataformas de inspeção de máscaras padronizadas ACTIS e MATRiCS.

  Comparação

  O relatório enfatiza as posições de fornecedora única da empresa em ABiCS e ACTIS, mas não fornece uma comparação quantitativa com pares.

  Riscos

  Adoção mais lenta da inspeção actínica pela TSMC, demanda por litografia EUV abaixo do esperado, incerteza quanto à entrada de concorrentes no mercado e o impacto de taxas de câmbio adversas sobre receita e margens.

Dados principais

• Crescimento do Mercado de Mask Blanks EUVCAGR de 25% de 2025 a 2028Impulsionado conjuntamente pelo número de projetos, contagens de camadas EUV e penetração de produtos de maior valor
• Tamanho Total do Mercado de Mask BlanksUS$1,33 bilhão em 2025; US$2,23 bilhões em 2028EEUV e DUV combinados, com CAGR esperada de 19%
• Número de Projetos de Chips em Nós AvançadosCAGR de 21% de 2025 a 2028Abrangendo nós de 7nm e abaixo
• Volume de Tape-Outs N2 da TSMCAproximadamente 4 vezes o do N3 no mesmo períodoAproximadamente 2 vezes em dezembro de 2025, aumentando para aproximadamente 4 vezes em junho de 2026
• Contagem de Camadas EUV em Nós AvançadosAumentando de pouco mais de vinte camadas para aproximadamente 30 camadas no A10 (1nm)O aumento da contagem de camadas eleva o número de mask blanks necessário para cada projeto de chip
• Embarques de Mask Blanks EUV17.500 unidades em 2025; 30.000 unidades em 2028ECAGR esperada de 19%
• Preço Unitário de Mask Blanks EUVPróximo de US$500.000 por unidadeAproximadamente 100 vezes o preço unitário de US$500 de um mask blank DUV
• Prêmio de Preço Unitário de Máscaras de Deslocamento de Fase20%—30%Em relação às máscaras EUV binárias convencionais
• Crescimento do Preço Médio de Venda de Mask Blanks EUVCAGR de percentual de um dígito alto de 2025 a 2028EPrevisto no relatório detalhado, impulsionado principalmente por atualizações para máscaras de deslocamento de fase e Alta NA
• Parâmetros e Resolução de Alta NANA de 0,55 versus a NA atual de 0,33; melhoria de aproximadamente 70% na resoluçãoEsperada para suportar DRAM e nós de lógica de ponta entre 2027 e 2029
• Participação de Mercado da HOYA em Mask Blanks EUVMais de 70%Forma um duopólio com a AGC
• Crescimento da Receita de Mask Blanks EUV da HOYACAGR de 26,2% de 2025 a 2028EEspera-se que supere o mercado geral de mask blanks EUV
• Previsão de Crescimento Atualizada da HOYACAGR de 28% de FY26/3 a FY29/3EA previsão anterior era de 21%
• Revisões de Estimativas da HOYAReceita elevada em 4%—5%; lucro operacional elevado em 4%—7%Aplicável a FY28/3E—FY29/3E
• Contribuição do Negócio de Mask Blanks da HOYA40% da receita de TI, 51% do lucro de TI e 33% do lucro total em FY26/3Espera-se que suba para 55% do lucro de TI em FY29/3E
• Preço-Alvo da HOYA¥35.500Preço-alvo anterior de ¥34.800; baseado em múltiplo P/L Q5—Q8 de 35 vezes e ¥1.013 de EPS futuro
• Preço-Alvo da Lasertec¥54.000Baseado em um múltiplo P/L futuro Q5—Q8 de 40 vezes

Impacto e implicações

O relatório argumenta que a proliferação de projetos de ASICs de IA não apenas aumenta o número de tape-outs em nós avançados, mas também amplifica a demanda por máscaras para cada projeto por meio de maiores contagens de camadas EUV. Máscaras de deslocamento de fase e Alta NA estendem o crescimento para além da expansão pura de volume, levando-o a preços unitários mais altos e barreiras tecnológicas mais elevadas. Com mais de 70% de participação de mercado, fortes capacidades tecnológicas de próxima geração e alta contribuição de lucro dos mask blanks, espera-se que a HOYA supere o crescimento da indústria. A Lasertec se beneficia de requisitos cada vez mais rigorosos de controle de defeitos e fidelidade de padrões, embora seu potencial de alta nos lucros no curto prazo dependa mais fortemente das plataformas de inspeção de máscaras padronizadas ACTIS e MATRiCS.

Riscos

• Uma desaceleração na transição da tecnologia EUV poderia enfraquecer a demanda por mask blanks e alterar o cenário competitivo da HOYA.
• Mudanças na demanda cíclica por HDD poderiam criar pressão negativa para a HOYA.
• Movimentos cambiais adversos poderiam reduzir a receita da HOYA e afetar a receita e as margens da Lasertec.
• Uma adoção mais lenta que o esperado da inspeção actínica nas fábricas da TSMC poderia afetar a demanda pelos equipamentos da Lasertec.
• Uma demanda por litografia EUV abaixo do esperado poderia reduzir o crescimento das plataformas de inspeção relacionadas da Lasertec.
• Mudanças no momento da entrada de concorrentes no mercado poderiam afetar a posição competitiva da Lasertec.

Pontos a observar

• Acompanhar o número de projetos de chips em nós avançados e se o crescimento dos tape-outs N2 da TSMC em relação ao N3 pode continuar.
• Monitorar o progresso no aumento das contagens de camadas EUV, de pouco mais de vinte camadas para aproximadamente 30 camadas em 1nm.
• Monitorar a aceleração da produção de máscaras de deslocamento de fase de 2nm e o aumento das contagens de camadas de deslocamento de fase no nó de 1,4nm.
• Monitorar o progresso da adoção da EUV de Alta NA em DRAM e nós de lógica de ponta entre 2027 e 2029.
• Acompanhar se a HOYA pode aproveitar as tecnologias de máscaras de deslocamento de fase e Alta NA para ganhar participação de mercado e aumentar sua penetração na Intel.
• Monitorar potenciais revisões para cima da orientação conservadora da Lasertec e mudanças na demanda pelas plataformas ACTIS e MATRiCS.