AI ASIC设计扩散与EUV技术升级共同推高掩模版需求，HOYA和Lasertec有望受益

概览

报告研究AI ASIC设计扩散和先进制程升级如何推动日本EUV掩模版产业增长，并分析HOYA与Lasertec的受益路径。Bernstein认为，芯片设计数量和EUV层数增加将扩大掩模版用量，相移掩模及High-NA EUV则将提升单价和技术壁垒；HOYA凭借市场份额及下一代技术优势直接受益，Lasertec则受益于更严格的掩模检测要求。

核心观点

报告首先将EUV掩模版的增长拆分为用量和单价两条主线。随着云服务商和AI公司自行开发GPU、CPU及各类AI加速器，每一种芯片设计都需要多套昂贵的EUV掩模及掩模版。Bernstein预计，采用7nm及以下先进逻辑节点的芯片设计数量在2025—2028年以21%的复合增速增长。台积电的流片数据印证了设计生态的扩张：2025年12月，其N2节点在可比开发阶段的流片量约为N3的2倍，到2026年6月已升至约4倍。与此同时，除台积电由3nm转向2nm时因GAA架构切换而未增加EUV层数外，先进节点的EUV层数总体仍在上升，由当前二十层出头增加至A10（1nm）约30层。设计数量和单个设计所需层数共同推动EUV掩模版出货量由2025年的1.75万片增至2028年的3万片，复合增速19%。 EUV掩模版已经超过DUV产品，约占整体掩模版市场的三分之二。报告预计，EUV掩模版市场在2025—2028年以25%的复合增速扩张；合并EUV与DUV后，掩模版市场规模预计由2025年的13.3亿美元增至2028年的22.3亿美元，复合增速19%。Bernstein认为，2028年以后结构性用量增长仍将延续，而High-NA掩模的采用将成为新驱动因素。 单价提升来自掩模结构不断复杂化。单片EUV掩模版的平均售价接近50万美元，约为售价500美元的DUV掩模版的100倍。EUV曝光采用反射光学，掩模版需要约50层镀膜组成多层反射镜，其层间周期约为7纳米，并依靠布拉格定律形成建设性干涉；复杂镀膜、极严的缺陷控制和制造精度构成较高壁垒。随着线宽缩小，相邻反射光的干涉会降低图形对比度，因此产业从2nm开始采用相移掩模，通过额外相移层使反射光相位改变180度，以改善对比度和图形保真度。2nm可能需要约5层相移层，1.4nm可能升至约10层。相移掩模的平均售价预计比传统二元EUV掩模高20%—30%，且已随2nm量产开始导入，为供应商带来近期增量。详细正文预计，在相移掩模升级和High-NA采用推动下，2025—2028年EUV掩模版平均售价将以高个位数百分比的复合增速增长。 下一阶段是High-NA EUV，其数值孔径由当前0.33提高到0.55，预计在2027—2029年间用于DRAM和尖端逻辑节点。报告称其分辨率可提高约70%，能够以更少的多重图形化步骤实现更精细的特征尺寸。对掩模供应商而言，High-NA要求新的吸收层材料和设计、更严格的缺陷控制、更高的掩模精度及更复杂的多层沉积工艺，因此单价预计高于相移掩模。更长期的变形照明High-NA掩模尺寸可能由当前6×6英寸扩大到12×6英寸，平均售价有可能达到现有掩模版的两倍以上。 HOYA是最直接的受益者。EUV掩模版市场由HOYA与AGC双寡头主导，HOYA份额超过70%，并被报告认为在台积电、三星和SK海力士处占据主要份额；AGC过去在英特尔占据优势。Bernstein判断，随着相移掩模和High-NA产品占比提高，技术路线将更有利于HOYA，其下一代产品能力可能帮助公司进一步提高市场份额并扩大在英特尔的渗透率。报告预计HOYA的EUV掩模版收入在2025—2028年以26.2%的复合增速增长，快于整体市场；在更新的公司模型中，FY26/3—FY29/3E的EUV掩模版增长预测由此前21%上调至28%。 掩模版业务对HOYA利润的影响高于其收入占比。FY26/3，该业务占HOYA IT业务收入的40%、IT业务利润的51%，并贡献公司整体利润的33%。由于其增速和利润率均高于其他业务，Bernstein预计其占IT业务利润的比重将在FY29/3E升至55%。据此，报告将HOYA FY28/3E—FY29/3E总收入预测上调4%—5%，营业利润预测上调4%—7%。DUV掩模版仍是正向驱动，但重要性较低：受产能限制，HOYA主要依靠中个位数百分比的单价增长，而非明显的销量增长。由于其掩模版收入约65%已经来自EUV相关产品，整体增长将越来越接近增速更高的EUV市场。 Bernstein维持HOYA的Outperform评级，并沿用35倍Q5—Q8远期市盈率，将¥1,013的远期EPS预测用于估值，目标价由¥34,800上调至¥35,500。报告明确列出的下行风险包括EUV技术迁移放缓或竞争格局变化、周期性HDD需求转弱，以及不利汇率变动对收入的影响。 Lasertec的受益路径来自检测要求随掩模复杂度同步提高。公司是领先掩模版检测系统ABiCS的唯一供应商，并推出E120与E320平台，以支持先进节点及未来High-NA EUV需求；在图形化EUV掩模的光化检测领域，公司也凭ACTIS处于独家供应地位。不过，当前EUV掩模版检测对收入的贡献仍有限，Bernstein认为更主要的上行空间来自图形化掩模检测平台ACTIS和MATRiCS，并预计公司偏保守的业绩指引将逐步上修。报告维持Lasertec的Outperform评级及¥54,000目标价，估值采用40倍Q5—Q8远期市盈率。其下行风险包括台积电晶圆厂采用光化检测的速度较慢、EUV光刻需求弱于预期、竞争对手市场进入相关的不确定性，以及不利汇率对收入和利润率的影响。

分析框架

报告先从AI芯片设计数量和先进节点EUV层数估算掩模版用量，再依据相移掩模、High-NA及未来变形照明掩模的技术迁移判断平均售价变化，由此形成EUV及整体掩模版市场预测。随后，报告结合市场份额、客户结构、技术路线与业务利润贡献，将行业增长映射至HOYA的收入和营业利润预测；对Lasertec则沿着掩模复杂度提升至检测要求趋严的链条分析设备需求。最后，报告使用Q5—Q8远期EPS及目标市盈率确定两家公司的目标价。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架量价拆分

  掩模版销量与平均售价拆分

  报告分别用先进芯片设计数量和EUV层数解释出货量增长，再用相移掩模及High-NA等高价值产品的渗透解释平均售价增长，进而推导市场规模。

• 行业/产业分析框架产业链上中下游传导

  从AI芯片设计到掩模版及检测设备的需求传导

  报告将云服务商和AI公司的芯片设计扩散传导至流片、EUV掩模版用量，再将掩模复杂度提高传导至Lasertec检测设备需求。

• 行业/产业分析框架行业集中度分析

  EUV掩模版双寡头及份额变化分析

  报告比较HOYA和AGC的份额、客户基础及下一代技术能力，用以判断HOYA能否在相移掩模和High-NA迁移过程中继续提升份额。

• 估值方法PE/PEG 估值

  Q5—Q8远期市盈率估值

  HOYA目标价采用35倍Q5—Q8远期市盈率和¥1,013的远期EPS；Lasertec目标价采用40倍Q5—Q8远期市盈率。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• HOYA（7741.JP）

  EUV掩模版市场扩张、相移掩模与High-NA升级直接推动其收入、利润及潜在市场份额增长。

  优势

  拥有超过70%的EUV掩模版份额，在相移掩模和High-NA领域具有技术领先优势；掩模版业务利润率及增速高于公司其他业务。

  劣势

  DUV掩模版业务受产能限制，增长主要依赖单价；公司部分业务仍受周期性HDD需求影响。

  对比

  EUV掩模版市场由HOYA与AGC双寡头主导；报告认为HOYA在台积电、三星和SK海力士处占据主要份额，而AGC过去在英特尔更具优势。

  风险

  EUV技术迁移慢于预期、竞争格局变化、HDD需求转弱及不利汇率波动。

• Lasertec（6920.JP）

  EUV掩模及掩模版复杂度提高带来更严格的检测要求，支持其检测设备的长期需求。

  优势

  是ABiCS掩模版检测系统的唯一供应商，并凭ACTIS在光化图形化掩模检测领域保持独家供应地位；E120和E320可支持先进节点及未来High-NA需求。

  劣势

  当前EUV掩模版检测的收入贡献仍有限，主要上行空间依赖ACTIS和MATRiCS图形化掩模检测平台。

  对比

  报告强调公司在ABiCS及ACTIS领域的独家供应地位，未提供量化同业比较。

  风险

  台积电采用光化检测的速度较慢、EUV光刻需求弱于预期、竞争对手进入市场相关的不确定性，以及不利汇率对收入和利润率的影响。

关键数据

• EUV掩模版市场增速2025—2028年复合增速25%由设计数量、EUV层数和高价值产品渗透共同推动
• 整体掩模版市场规模2025年13.3亿美元；2028E 22.3亿美元EUV与DUV合计，预计复合增速19%
• 先进节点芯片设计数量2025—2028年复合增速21%涵盖7nm及以下节点
• 台积电N2流片数量约为同期N3的4倍2025年12月约为2倍，到2026年6月升至约4倍
• 先进节点EUV层数由二十层出头增至A10（1nm）约30层层数上升增加每个芯片设计所需的掩模版数量
• EUV掩模版出货量2025年1.75万片；2028E 3万片预计复合增速19%
• EUV掩模版单价接近50万美元/片约为DUV掩模版500美元单价的100倍
• 相移掩模单价溢价20%—30%相对于传统二元EUV掩模
• EUV掩模版平均售价增速2025—2028E高个位数百分比复合增速详细正文预测，主要由相移掩模和High-NA升级驱动
• High-NA参数与分辨率0.55 NA，对比当前0.33 NA；分辨率提高约70%预计在2027—2029年间支持DRAM和尖端逻辑节点
• HOYA EUV掩模版份额超过70%与AGC构成双寡头市场
• HOYA EUV掩模版收入增速2025—2028E复合增速26.2%预计快于EUV掩模版整体市场
• HOYA更新后增长预测FY26/3—FY29/3E复合增速28%此前预测为21%
• HOYA估计调整收入上调4%—5%；营业利润上调4%—7%适用于FY28/3E—FY29/3E
• HOYA掩模版业务贡献FY26/3占IT收入40%、IT利润51%、整体利润33%预计FY29/3E占IT利润的比重升至55%
• HOYA目标价¥35,500原目标价¥34,800；采用35倍Q5—Q8市盈率及¥1,013远期EPS
• Lasertec目标价¥54,000采用40倍Q5—Q8远期市盈率

影响与含义

报告认为，AI ASIC设计扩散不仅增加先进制程流片数量，还通过更多EUV层数放大每种设计的掩模需求；相移掩模和High-NA则使增长从单纯扩量延伸至单价与技术壁垒提升。HOYA凭借超过70%的份额、较强的下一代技术能力和较高的掩模版利润贡献，预计将获得超过行业的增长；Lasertec则受益于缺陷控制与图形保真度要求提高，但其短期业绩增量更多取决于ACTIS和MATRiCS图形化掩模检测平台。

风险

• EUV技术迁移放缓可能削弱掩模版需求，并改变HOYA所处的竞争格局。
• 周期性HDD需求变化可能对HOYA构成下行压力。
• 不利汇率波动可能压低HOYA的收入，并影响Lasertec的收入和利润率。
• 台积电晶圆厂采用光化检测的速度若慢于预期，可能影响Lasertec设备需求。
• EUV光刻需求弱于预期可能压低Lasertec相关检测平台的增长。
• 竞争对手进入市场的时间变化可能影响Lasertec的竞争地位。

后续跟踪

• 跟踪先进节点芯片设计数量，以及台积电N2相对N3的流片增长能否延续。
• 关注EUV层数由二十层出头向1nm约30层提升的进度。
• 关注2nm相移掩模量产爬坡及1.4nm节点相移层数增加情况。
• 关注High-NA EUV在2027—2029年的DRAM和尖端逻辑节点导入进度。
• 跟踪HOYA能否凭借相移掩模和High-NA技术扩大份额，并提高在英特尔的渗透率。
• 关注Lasertec对保守指引的潜在上修，以及ACTIS和MATRiCS平台需求变化。