Korean semiconductor equipment and materials supply chain — Interpretação do relatório

Visão geral

O HSBC avalia que pedidos recordes de equipamentos e instalações crescentes em fábricas de memória devem acelerar os lucros a partir do 2H26e, seguidos pela demanda de materiais com o aumento da produção de wafers. Mantém Buy para seis beneficiários e destaca EO Technics e ISC.

Visões principais

O HSBC afirma que os fabricantes coreanos de equipamentos de processo de semicondutores front-end (SPE) estão no início, e não no fim, de uma alta do ciclo de memória. A carteira combinada de quatro empresas atingiu KRW1.2trn no 2Q26, +181% em relação ao ano anterior, o maior nível desde 2017 e acima dos picos anteriores. O banco atribui o movimento a planos mais firmes de capex de fabricantes globais de memória e à maior competitividade dos fornecedores coreanos, que apoia ganho de participação e maior presença em processos avançados. Os fornecedores de equipamentos reconhecem receita na instalação. O HSBC espera que instalações aceleradas nos três maiores fabricantes globais de memória fortaleçam a rentabilidade a partir do 2H26e e ampliem a visibilidade até 2027-28e. Estima instalações de DRAM de c55-65k wpm por trimestre no 2H26e e c65-100k em 2027e. As adições de capacidade são estimadas em 185k wpm em 2026e, 340k em 2027e e 395k em 2028e, incluindo aproximadamente 120k wpm no 2H26e. Os materiais devem seguir com defasagem. O HSBC estima que a demanda inflexiona 4-6 meses após a instalação, quando os wafers começam a operar. Espera que Samsung Electronics e SK Hynix ampliem novas fábricas domésticas de DRAM do fim de 2026e ao início de 2027e. Para a Hansol Chemical, o volume de peróxido de hidrogênio cresce com os wafers processados, enquanto 1c nm DRAM e NAND de mais de 300 camadas elevam a intensidade de limpeza. O HSBC prevê crescimento de receita de 17% e de lucro operacional de 45% para a Hansol em 2027e. O HSBC prefere EO Technics e ISC. Para a EO Technics, espera crescimento de 40% em marcação a laser em 2026e, pois a integração de chiplets aumenta os pontos de marcação por dispositivo de 1-3 para mais de 7; recozimento e corte a laser cresceriam 25% e 40%. Em 2027e, prevê crescimento de 60% no recozimento, 100% no corte e 120% na perfuração UV, enquanto a marcação se normaliza para 10%, sustentando lucro operacional de KRW225bn, +59% em relação ao ano anterior. A ISC é a preferida de back-end por sua exposição direta a AI e demanda recorrente de sockets; o HSBC prevê que AI represente 80% das vendas de 2026e e projeta lucro operacional de KRW105bn em 2026e, +74%, e KRW149bn em 2027e, +42%. O HSBC mantém Buy e preços-alvo inalterados para seis empresas. Usa múltiplos PE alvo aplicados ao EPS previsto, normalmente com referência a médias históricas ou ao ciclo. Os riscos incluem capex menor em semicondutores, atrasos de instalação ou capacidade, migração de nós mais lenta, pressão de participação, câmbio, tarifas, custos de matérias-primas e litígios.

Estrutura de análise

O HSBC analisa pedidos em carteira e capex de memória, relaciona instalações a receita e alavancagem operacional, aplica a defasagem entre instalação e início de wafers para materiais e avalia os beneficiários por exposição de produto, transição tecnológica, capacidade, clientes, previsões e PE forward.

Notas metodológicas

• Marco de análise setorialMarco de oferta e demanda

  Capex de memória, pedidos em carteira, instalações, capacidade e demanda de wafers

  O relatório acompanha como maior investimento gera pedidos, receita de equipamentos na instalação e, depois, consumo de materiais.

• Marco de análise setorialTransmissão entre elos da cadeia de valor

  Transmissão das instalações para o início de wafers e a demanda de materiais

  O HSBC distingue os beneficiários imediatos das instalações dos fornecedores de materiais, que devem se beneficiar cerca de 4-6 meses depois.

• Métodos de avaliaçãoAvaliação por P/L e PEG

  Múltiplos PE alvo aplicados ao EPS previsto

  O HSBC deriva preços-alvo aplicando múltiplos PE, geralmente baseados em médias históricas ou referências de ciclo, aos lucros previstos.

Dados principais

• Carteira coreana de SPE front-endKRW1.2trn in 2Q26Carteira combinada de quatro fabricantes; +181% em relação ao ano anterior e recorde desde 2017.
• Instalações de equipamentos DRAMc55-65k wpm per quarter in 2H26e; c65-100k wpm per quarter in 2027eEstimativa do HSBC para os três principais fabricantes globais de memória.
• Novas adições de capacidade DRAM185k wpm in 2026e, 340k wpm in 2027e, 395k wpm in 2028eInclui aproximadamente 120k wpm no 2H26e.
• Previsão 2027e da Hansol ChemicalRevenue +17%; operating profit +45%O HSBC espera suporte do maior volume de wafers e da maior intensidade química por wafer.
• Lucro operacional 2027e da EO TechnicsKRW225bn, +59% year on yearImpulsionado pelo crescimento mais amplo de recozimento, corte e perfuração UV.
• Lucro operacional da ISCKRW105bn in 2026e, +74% year on year; KRW149bn in 2027e, +42%O HSBC prevê margens de 33% em 2026e e 35% em 2027e.

Impacto e implicações

O HSBC espera que a alta da memória se amplie de pedidos e instalações de equipamentos front-end para wafers, consumíveis e sockets de teste back-end. Migração tecnológica, HBM e a complexidade do empacotamento de AI reforçariam o ciclo tradicional de capex de memória e a visibilidade plurianual de lucros.

Riscos

• Uma queda no capex global de memória ou equipamentos pode enfraquecer pedidos, instalações e lucros.
• Atrasos no ramp-up de fábricas, instalações, migração de nós ou adoção de memória avançada podem postergar a conversão de receita.
• Os riscos específicos incluem pressão competitiva, tarifas, câmbio, custos de matérias-primas e litígios.

Pontos a observar

• A continuidade do capex global de memória e das carteiras coreanas.
• As instalações de DRAM no 2H26e e as adições de capacidade até 2028e.
• O ramp-up de novas fábricas de DRAM da Samsung e da SK Hynix.
• A adoção de DRAM avançada, NAND de mais de 300 camadas, HBM4e e processos de empacotamento de AI.
• A participação na carteira de clientes, medidas de preço e expansão de capacidade da ISC.