Korean semiconductor equipment and materials supply chain研报解读

概览

HSBC提出韩国半导体设备与材料供应链逻辑：创纪录的设备订单和不断增加的存储晶圆厂安装量，应从2H26e推动盈利加速；随着晶圆生产爬坡，材料需求将随后跟进。报告维持对六家受益公司的买入评级，并重点推荐EO Technics和ISC。

核心观点

HSBC认为，韩国前端半导体工艺设备（SPE）制造商正处于存储周期上行的起点，而非接近周期末端。四家主要前端设备公司的合计订单积压在2Q26达到KRW1.2trn，同比增长181%，为2017年以来最高，并超过此前周期峰值。该机构将其归因于全球存储制造商资本开支计划趋稳，以及韩国本土供应商相对于全球同行竞争力提升；其认为，这正推动份额提升和在先进制程支出中的更深参与。HSBC认为，只要全球存储资本开支保持强劲，积压订单就可继续增加。 下一步是收入转化。设备供应商在设备搬入时确认收入，HSBC预计，三大全球存储制造商加快安装将从2H26e增强韩国供应商的盈利能力，并将业绩可见度延续至2027-28e。其预测DRAM设备搬入量在2H26e约为每季度55-65k wpm，2027e升至约每季度65-100k wpm。预计新增DRAM产能在2026e为185k wpm、2027e为340k wpm、2028e为395k wpm；2026e总量中包括2H26e约120k wpm。HSBC认为，这一产能路径将支持设备和材料未来三年的增长。 材料将以滞后于设备周期的方式受益。HSBC估计，材料需求通常在设备搬入后四至六个月出现拐点，即晶圆开始生产时。其预计，Samsung Electronics和SK Hynix将在2026e末至2027e初爬坡新的国内DRAM晶圆厂，从而提升晶圆投入和耗材需求。对Hansol Chemical而言，过氧化氢用量与加工晶圆量相关，而1c nm DRAM和300层以上NAND会增加清洗步骤及纯度要求。HSBC预计，这些因素将同时提高单片晶圆消耗量和需求量；其预测Hansol 2027e收入增长17%，营业利润增长45%。自2027e起在国内DRAM客户处获得新的前驱体认证，提供了进一步的可选性。 在前端和后端设备中，HSBC首选EO Technics和ISC。对于EO Technics，其预计2026e增长将由激光打标主导，随着芯粒集成使每台器件的打标触点从一至三个增加到七个以上，并推动需求转向更高价值的UV打标，激光打标预计同比增长40%。激光退火和切割在2026e预计分别增长25%和40%。到2027e，HSBC预计制程迁移、HBM4e和AI加速器基板复杂度将扩大增长范围：激光退火预计增长60%，激光切割增长100%，UV钻孔收入增长120%，而打标增长在高基数下回归至10%。这些驱动因素支撑HSBC对EO Technics 2027e营业利润KRW225bn、同比增长59%的预测。 ISC是HSBC首选的后端敞口，因为测试插座随测试量消耗，而不是一次性资本开支采购，且公司直接受益于AI。HSBC预计，AI将在2026e占ISC销售额的80%。更大的GPU封装和中介层预计将提高引脚数量和插座平均售价；该机构还预计，存储和逻辑插座将在3Q26e开始提价，逻辑业务组合将回升至销售额的83%，并开始出货高利润率数据中心连接插座。HSBC预计，在竞争力提升和产能从2025年的KRW270bn扩张至2026年末KRW320bn的支持下，主要客户的钱包份额将从2025年的30%接近2026年末的50%。其预测ISC 2026e营业利润为KRW105bn，同比增长74%，利润率为33%；随着增长从GPU扩大至ASIC和新形态，2027e营业利润为KRW149bn，同比增长42%，利润率为35%。 HSBC维持其重点关注的六家韩国公司买入评级及不变的目标价。其估值采用将目标PE倍数应用于预测EPS的方法，通常以历史平均或周期估值参考为基础。报告列出的风险包括半导体资本开支走弱、产能或设备安装延迟、制程迁移或先进存储采用较慢、市场份额压力，以及汇率、关税、原材料成本和诉讼等公司特定风险。

分析框架

HSBC首先分析已披露的前端设备积压订单和存储资本开支趋势，再将设备搬入与设备收入及经营杠杆相联系。该机构运用设备搬入与晶圆开工之间的时间滞后来评估材料需求，并通过产品敞口、技术转换、产能扩张、客户渗透、盈利预测和基于远期PE的目标价框架来评估个别受益公司。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架供需框架

  存储资本开支、设备积压订单、设备搬入、晶圆产能和晶圆投入需求

  报告追踪更强的存储投资如何形成设备订单、在安装时转化为设备收入，并在晶圆生产开始后进一步提高材料消耗。

• 行业/产业分析框架产业链上中下游传导

  从设备搬入到晶圆开工再到材料需求的传导

  HSBC区分了设备安装的直接受益者和材料供应商，后者预计将在约四至六个月后受益。

• 估值方法PE/PEG 估值

  将目标PE倍数应用于预测EPS

  对所覆盖公司，HSBC通过将通常基于历史平均或上行周期参考的PE倍数应用于预测盈利来推导目标价。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• EO Technics (039030 KQ)

  受益于制程迁移、HBM相关工艺增加和先进封装的首选韩国前端及后端SPE公司。

  优势

  激光打标、退火和切割提供多重增长驱动；HSBC预计2027e营业利润为KRW225bn，同比增长59%。

  对比

  HSBC将EO Technics称为其首选的韩国SPE标的。

  风险

  半导体制造资本开支下调、地缘政治或消费需求疲软，以及客户设备安装延迟。

• ISC (095340 KQ)

  受益于AI、GPU、ASIC和封装复杂度提升的首选后端测试插座公司。

  优势

  与测试量挂钩的经常性需求、预期的定价和产品组合改善、客户钱包份额提升及产能扩张。

  劣势

  由于大量销售以美元计价而生产主要在越南和韩国，存在汇率敞口。

  对比

  HSBC将ISC称为其首选后端标的，也是其覆盖范围内最直接的AI测试敞口。

  风险

  韩元升值、美国关税变化，以及存储或逻辑晶圆厂需求走弱导致插座销售下降。

• Hansol Chemical (014680 KP)

  受益于存储晶圆开工增长以及先进DRAM和NAND节点提高清洗强度的首选材料敞口。

  优势

  过氧化氢需求随晶圆加工量增长；先进节点提高单片晶圆消耗量，且自2027e起有前驱体可选性。

  对比

  HSBC将Hansol认定为其所覆盖材料公司中最直接的受益者。

  风险

  量子点电视需求疲软、3D NAND产能爬坡慢于预期、新产品份额提升延迟及原材料成本上升。

• HPSP (403870 KQ)

  受益于先进节点投资的所覆盖前端设备公司。

  优势

  受益于先进半导体节点技术敞口和预期的客户产能扩张。

  对比

  以具备先进节点敞口的全球半导体设备同行为估值参照。

  风险

  全球半导体设备资本开支下降、新竞争者出现、节点扩张放缓、出货延迟及专利诉讼。

• Wonik IPS (240810 KQ)

  受益于DRAM、NAND和晶圆代工投资的所覆盖沉积设备公司。

  优势

  HSBC提到其进入关键V9 NAND工艺步骤，并存在先进NAND带来的销售机会。

  劣势

  依赖核心客户的投资模式。

  对比

  与全球同行一起被列为韩国设备受益者。

  风险

  3D NAND迁移放缓、交付延迟、客户投资弱于预期，以及EUV商业化加快而减少沉积和刻蚀步骤。

• Park Systems (140860 KQ)

  受益于更广泛晶圆设备搬入和先进应用的所覆盖半导体计量公司。

  优势

  HSBC预计，AFM在半导体客户中的应用将增强，且领先工艺应用将带来更多设备搬入。

  对比

  纳入HSBC的韩国设备受益者名单。

  风险

  全球晶圆设备资本开支下降、竞争导致份额流失，以及前端节点扩张放缓导致出货延迟。

关键数据

• 韩国前端SPE积压订单KRW1.2trn in 2Q26四家主要制造商的合计积压订单；同比增长181%，并创2017年以来新高。
• DRAM设备搬入量c55-65k wpm per quarter in 2H26e; c65-100k wpm per quarter in 2027eHSBC对三大全球存储制造商的预测。
• 新增DRAM产能185k wpm in 2026e, 340k wpm in 2027e, 395k wpm in 2028e包括2H26e约120k wpm。
• Hansol Chemical 2027e预测Revenue +17%; operating profit +45%HSBC预计，晶圆开工增长和每片晶圆更高的化学品使用强度将支撑增长。
• EO Technics 2027e营业利润KRW225bn, +59% year on year由更广泛的退火、切割和UV钻孔增长驱动。
• ISC营业利润KRW105bn in 2026e, +74% year on year; KRW149bn in 2027e, +42%HSBC预测2026e利润率为33%，2027e为35%。

影响与含义

HSBC认为，存储上行周期将从前端设备订单和安装扩展至晶圆投入、耗材和后端测试插座。该机构预计，技术迁移、HBM和AI相关封装复杂度将强化传统存储资本开支周期，为选定的韩国供应商提供多年盈利可见度。

风险

• 全球存储或半导体设备资本开支下降可能削弱积压订单增长、设备安装和盈利。
• 晶圆厂爬坡、客户设备安装、节点迁移或先进存储采用延迟，可能推迟收入转化。
• 报告列出的公司特定风险包括竞争份额压力、关税、汇率变动、原材料成本和诉讼。

后续跟踪

• 全球存储资本开支和韩国前端设备积压订单是否继续增长。
• 2H26e的DRAM设备搬入，以及至2028e的晶圆产能增加速度。
• Samsung和SK Hynix从2026e末至2027e初进行国内DRAM晶圆厂爬坡的时点。
• 先进DRAM、300层以上NAND、HBM4e和AI相关封装工艺的采用情况。
• ISC的客户钱包份额进展、提价行动及至2026年末达到KRW320bn的产能爬坡。