Korean semiconductor equipment and materials supply chain — Interpretación del informe

Visión general

HSBC considera que los pedidos récord de equipos y las crecientes instalaciones de fábricas de memoria impulsarán una aceleración de beneficios desde 2H26e, seguida por la demanda de materiales al aumentar la producción de obleas. Mantiene Buy en seis beneficiarios y destaca EO Technics e ISC.

Perspectivas principales

HSBC afirma que los fabricantes coreanos de equipos de proceso de semiconductores front-end (SPE) están al inicio, no al final, de un ciclo alcista de memoria. La cartera conjunta de cuatro compañías alcanzó KRW1.2trn en 2Q26, +181% interanual, máximo desde 2017 y superior a picos previos. Lo atribuye a planes de capex más firmes de fabricantes globales de memoria y a la mayor competitividad de proveedores coreanos, que impulsa ganancias de cuota y una participación más profunda en procesos avanzados. Los proveedores de equipos reconocen ingresos al instalar herramientas. HSBC espera que instalaciones aceleradas en los tres principales fabricantes mundiales de memoria eleven la rentabilidad desde 2H26e y extiendan la visibilidad hasta 2027-28e. Estima instalaciones DRAM de c55-65k wpm por trimestre en 2H26e y c65-100k en 2027e. Las adiciones de capacidad se estiman en 185k wpm en 2026e, 340k en 2027e y 395k en 2028e, incluidos aproximadamente 120k wpm en 2H26e. Los materiales deberían seguir con retraso: HSBC estima que la demanda inflexiona 4-6 meses después de la instalación, cuando las obleas comienzan a operar. Espera que Samsung Electronics y SK Hynix aumenten nuevas fábricas nacionales de DRAM desde finales de 2026e hasta comienzos de 2027e. Para Hansol Chemical, el volumen de peróxido de hidrógeno escala con las obleas procesadas, mientras 1c nm DRAM y NAND de más de 300 capas elevan la intensidad de limpieza. HSBC pronostica para 2027e crecimiento de ingresos de 17% y de beneficio operativo de 45%. HSBC prefiere EO Technics e ISC. Para EO Technics, espera que el marcado láser crezca 40% en 2026e al aumentar los puntos de marcado por dispositivo de 1-3 a más de 7; el recocido y corte láser crecerían 25% y 40%. En 2027e prevé crecimiento de 60% en recocido, 100% en corte y 120% en perforación UV, mientras el marcado se normaliza a 10%; ello sostiene un beneficio operativo de KRW225bn, +59% interanual. ISC es la preferida de back-end por su exposición directa a AI y demanda recurrente de sockets; HSBC prevé que AI alcance 80% de sus ventas de 2026e y proyecta beneficio operativo de KRW105bn en 2026e, +74%, y KRW149bn en 2027e, +42%. HSBC mantiene Buy y precios objetivo sin cambios para seis nombres. Utiliza múltiplos PE objetivo sobre EPS previsto, normalmente con referencias históricas. Los riesgos incluyen menor capex de semiconductores, retrasos de instalación o capacidad, migración de nodos más lenta, presión de cuota, divisas, aranceles, costes de materias primas y litigios.

Marco de análisis

HSBC analiza carteras de pedidos y capex de memoria, vincula las instalaciones con ingresos y apalancamiento operativo, aplica el desfase entre instalación y arranque de obleas para materiales, y evalúa a los beneficiarios por exposición de producto, transición tecnológica, capacidad, clientes, previsiones y PE forward.

Notas metodológicas

• Marco de análisis sectorialMarco de oferta y demanda

  Capex de memoria, cartera de pedidos, instalaciones, capacidad y demanda de obleas

  El informe sigue cómo una mayor inversión genera pedidos, ingresos de equipos al instalarse y posteriormente consumo de materiales.

• Marco de análisis sectorialTransmisión entre tramos de la cadena de valor

  Transmisión desde la instalación hasta la producción de obleas y la demanda de materiales

  HSBC distingue a los beneficiarios inmediatos de las instalaciones de los proveedores de materiales que se benefician unos 4-6 meses después.

• Métodos de valoraciónValoración por P/E y PEG

  Múltiplos PE objetivo aplicados al EPS previsto

  HSBC deriva los precios objetivo aplicando múltiplos PE, generalmente basados en promedios históricos o referencias de ciclo, a los beneficios previstos.

Datos clave

• Cartera coreana de SPE front-endKRW1.2trn in 2Q26Cartera combinada de cuatro fabricantes; +181% interanual y récord desde 2017.
• Instalaciones de equipos DRAMc55-65k wpm per quarter in 2H26e; c65-100k wpm per quarter in 2027eEstimación de HSBC para los tres principales fabricantes globales de memoria.
• Nuevas adiciones de capacidad DRAM185k wpm in 2026e, 340k wpm in 2027e, 395k wpm in 2028eIncluye aproximadamente 120k wpm en 2H26e.
• Previsión 2027e de Hansol ChemicalRevenue +17%; operating profit +45%HSBC espera apoyo del mayor volumen de obleas y de mayor intensidad química por oblea.
• Beneficio operativo 2027e de EO TechnicsKRW225bn, +59% year on yearImpulsado por mayor crecimiento de recocido, corte y perforación UV.
• Beneficio operativo de ISCKRW105bn in 2026e, +74% year on year; KRW149bn in 2027e, +42%HSBC prevé márgenes de 33% en 2026e y 35% en 2027e.

Impacto e implicaciones

HSBC prevé que el ciclo de memoria se amplíe desde pedidos e instalaciones de equipos front-end hasta obleas, consumibles y sockets de prueba back-end. La migración tecnológica, HBM y la complejidad del empaquetado AI reforzarían el ciclo tradicional de capex de memoria y la visibilidad plurianual de beneficios.

Riesgos

• Un descenso del capex global de memoria o equipos podría debilitar pedidos, instalaciones y beneficios.
• Retrasos en ramp-ups de fábricas, instalaciones, migración de nodos o adopción de memoria avanzada podrían aplazar la conversión de ingresos.
• Los riesgos específicos incluyen presión competitiva, aranceles, divisas, costes de materias primas y litigios.

Aspectos que vigilar

• La continuidad del capex global de memoria y de las carteras coreanas.
• Las instalaciones DRAM en 2H26e y las adiciones de capacidad hasta 2028e.
• El ramp-up de nuevas fábricas DRAM de Samsung y SK Hynix.
• La adopción de DRAM avanzada, NAND de más de 300 capas, HBM4e y procesos de empaquetado AI.
• La cuota de cartera de clientes, precios y expansión de capacidad de ISC.