研报解读
报告认为,已覆盖至2027年的订单、已承诺的2028年订单及AI驱动的半导体投资,支持进一步扩张EUV产能和价格上行空间。Bernstein维持对ASML.NA的Outperform评级及€2,500目标价。
摘要
Bernstein认为,ASML在2028年规划的110台Low-NA EUV产量是由需求驱动,而非硬性的供给上限。
报告认为,已覆盖至2027年的订单、已承诺的2028年订单及AI驱动的半导体投资,支持进一步扩张EUV产能和价格上行空间。Bernstein维持对ASML.NA的Outperform评级及€2,500目标价。
- Low-NA EUV产能指引为2026年65台、2027年85台和2028年110台,但管理层并不将其视为实际产能上限。
- 2026年收入实际上已由订单覆盖;2027年EUV产能大部分已被预订,DUV产能接近满额分配。
- High-NA采用被视为时点问题:Samsung预计在2028年前后采用,TSMC预计在2030年前后采用,Intel已在部署。
- 未来提价主要预计发生在2027-28年,且不会影响现有已签约订单积压。
- Bernstein对其Q5-8 EPS预测采用40x P/E倍数,得出€2,500目标价。
研报解读
概览
这份会议要点报告呈现了Bernstein在与ASML投资者关系团队会面后的建设性观点。核心结论是,2028年110台Low-NA EUV产量反映当前需求和生产率假设,而非硬性供给限制;强劲的订单承诺、AI相关半导体需求及不断提升的光刻强度支撑Bernstein的Outperform观点。
核心观点
ASML重申Low-NA EUV产能路线图:2026年约65台、2027年85台、2028年110台。管理层强调,这些水平来自当前制造布局、可持续需求假设及下一代系统预期的生产率提升,并非物理产能上限。因此,Bernstein认为,若客户需求被证明具有持续性,尤其是在AI相关投资扩大的背景下,2028年产量可超过110台。供应链协同是产能逻辑的一部分:Zeiss已同意提升产能。2027年,ASML预计系统出货量同比增长约30%,有效晶圆产能增长约45%,受下一代平台生产率推动;2028年单位增长或仍接近30%,但生产率改善预计略低。新的Brainport园区已开工,但预计要到2029年才会对产出作出有意义贡献;Veldhoven仍是EUV制造和研发中心,Brainport则主要支持成熟制程和DUV工具。 订单可见度支持管理层考虑进一步扩产。报告称,2026年收入实际上已被订单覆盖,2027年EUV产能大部分已被预订,DUV产能接近满额分配。ASML也已获得2028年订单,其中包括客户50%的预付款,Bernstein认为这比以往周期提供了更强的承诺信号。管理层目前未看到订单积压中存在重复下单的迹象,但正监控客户需求和交付安排,以维护订单积压质量。 报告将定价视为后周期机会,而非近期订单积压的驱动因素。ASML表示,其基于价值的定价反映了新工具所提供的吞吐量、套刻和精度,并寻求从客户先进半导体制造创造的价值中获得更大份额。提价主要预计在2027-28年,尤其是2028年;合同条款意味着这不会影响现有订单积压。结果仍将取决于客户谈判和订购量。ASML对High-NA采取同样的纪律,认为为加快采用而降价可能削弱未来的定价纪律。 High-NA采用被描述为日益确定、但客户时点不同。ASML预计Samsung将在2028年前后为DRAM采用High-NA,而TSMC可能推迟至2030年前后,因其可从Low-NA获得较强的利用率。Intel已经在推进部署。管理层认为,客户最终将需要High-NA,因为仅凭Low-NA持续缩小制程将显著损害良率;High-NA以单次曝光光刻替代复杂的多重图案化,并可降低制造成本。对ASML而言,High-NA和优化后Low-NA之间的经济差异有限,High-NA在初期相对于Low-NA工具甚至可能略有稀释,但随着出货量上升,盈利能力应显著改善。 ASML仍看好逻辑和存储领域的光刻强度。其指出,在FinFET向GAA转变期间同时改变晶体管架构和缩小节点的难度,并对比TSMC在该转变中暂时暂停缩小制程,与Samsung更具挑战性的同步迁移。在存储领域,管理层反对从6F²转向4F²会降低光刻强度的观点:预计关键DRAM环节将使用更多EUV层,并持续以EUV单次曝光取代DUV多重图案化。由于AI相关存储生产需要大量晶圆产能,存储可能约占未来EUV需求的50%,并可能维持这一占比。 生产率是另一项核心需求和价值驱动因素。ASML、TSMC、Intel和Samsung正在评估High-NA向12英寸掩模过渡的可能性。ASML估计,更大的掩模可通过更高效的芯片布局使生产率提高40%,并缓解部分拼接限制,但光罩台改造仍具技术难度。在更广泛的平台改进下,管理层看到未来系统可由当前Low-NA系统约330 wafers per hour提升至400-500 wafers per hour。较近期的F系统转型预计将在2027年前使F系统成为Low-NA的主导组合;F平台保留3800光学架构,但通过改进的激光配置实现约260 wafers per hour。 报告将AI基础设施与更广泛的半导体需求相联系。管理层认为,AI需求正从最初的受益者TSMC和Hynix扩展至Intel、Samsung和Rapidus。其认为,企业AI而非仅消费级AI,是当前基础设施投资周期的关键支撑,而机器人等实体AI应用提供了进一步的潜在需求来源。ASML还通过与Mistral AI的关系看到内部AI机会,包括利用大型内部数据集、提升研发生产率和优化制造流程;成功采用可随着时间推移降低研发强度并改善产出效率。 在中国问题上,ASML警告称,更严格的出口管制可能加速中国国内光刻能力投资。尽管如此,管理层认为,中国原型发布与高量产制造之间仍有显著差距,并估计中国EUV能力落后当前行业领导者十年以上。公司仍对其竞争地位有信心,理由是技术领先和战略供应商关系,尤其是Zeiss;但同时谨慎指出,包括MATCH Act在内的进一步限制可能强化中国本土研发。 最后,ASML强调不断扩大的已安装设备基础收入。历史出货系统中约95%仍在运行,为服务、软件升级和生产率提升创造了增长机会。EUV按晶圆计费服务收入估计约为系统ASP的5%;High-NA预计具有类似经济性,而领先浸没式系统产生约为ASP的1-2%的经常性收入。管理层认为,随着已安装设备基础扩大,这些收入将结构性增长,尽管升级业务仍具有周期性波动。
分析框架
Bernstein总结其半导体日会议中与管理层的讨论,随后通过产能和供应商准备情况、客户承诺、定价与产品路线图经济性、光刻强度、AI驱动需求、竞争与出口管制动态,以及已安装设备基础服务,来检验投资逻辑。其估值通过将P/E倍数应用于EPS预测来推导目标价。
方法论与常识提炼
P/E倍数估值
Bernstein对其Q5-8 EPS预测采用40x P/E倍数,得出四舍五入后的€2,500目标价。
半导体设备供需分析
报告通过已预订订单、客户预付款、供应商扩产、AI相关需求及预期工具生产率,评估EUV产能能否超过既定的2028年计划。
光刻价值链传导
报告将ASML工具吞吐量和光刻能力与客户制造成本、良率、存储需求、供应商产能及半导体缩小制程需求相联系。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。
- ASML Holding NV (ASML.NA)主要覆盖公司;预计将受益于强劲的EUV和DUV订单可见度、AI相关半导体需求、可扩展的EUV产能、生产率提升及服务收入增长。
- 优势
- 技术领先、2027年前已预订的产能、2028年客户预付款、Zeiss的战略供应支持,以及庞大的已安装设备基础。
- 劣势
- 在出货量扩大前,High-NA相对于优化后的Low-NA工具可能略具稀释性。
- 对比
- TSMC因Low-NA利用率强劲,预计将High-NA推迟至2030年前后;Samsung预计在2028年前后采用,而Intel已在部署High-NA。
- 风险
- EUV商业化成本导致利润率低于预期、中国库存过剩、WFE需求疲弱、技术迁移放缓、长期竞争技术,以及对中国更严格的出口管制。
关键数据
- ASML.NA收盘价€1,387.80收盘日期为2026年9月14日。
- ASML.NA目标价€2,500.00Bernstein目标价,较所述收盘价隐含80%上行空间。
- Low-NA EUV产能路线图65 systems in 2026; 85 in 2027; 110 in 2028管理层称这些是需求驱动的假设,而非硬性的物理供给上限。
- 2027年系统出货增长Approximately 30%预期系统出货量同比增长。
- 2027年有效晶圆产能增长Approximately 45%受下一代平台生产率提升支持。
- 未来EUV需求中来自存储的占比Roughly 50%ASML认为存储可能占未来EUV需求约一半,并维持该占比。
- 未来系统吞吐量400-500 wafers per hour管理层认为可从当前Low-NA系统约330 wafers per hour提升至该水平。
- EUV服务收入Around 5% of system ASP annually估计的按晶圆计费经常性服务收入。
- 收入€32,667m in F25A; €43,973m in F26E; €55,915m in F27EBernstein财务预测;所述CAGR为30.8%。
- EBIT€11,302m in F25A; €17,737m in F26E; €24,280m in F27EBernstein财务预测;所述CAGR为46.6%。
影响与含义
Bernstein的投资逻辑建立在持续客户需求和AI相关投资可使ASML在2028年超过已公布的Low-NA EUV计划之上。报告还将后期定价、平台生产率改善、光刻强度上升及不断增长的已安装设备基础服务收入视为支持因素,而High-NA采用时点影响产品组合的程度大于先进光刻的整体战略需求。
风险
- 由于EUV商业化及向新一代推进的成本可能高于预期,利润率可能低于预期。
- 中国库存过剩可能削弱需求。
- 晶圆厂设备市场可能弱于预期。
- 技术迁移可能慢于预期,其他技术可能成为长期威胁。
- 进一步收紧影响中国客户的出口管制是下行风险。
后续跟踪
- 持续的客户需求是否允许Low-NA EUV产能在2028年超过110台。
- 订单积压质量,包括交付安排以及是否存在重复下单的迹象。
- Samsung、TSMC和Intel采用High-NA的时点,以及High-NA出货量扩大后盈利能力的改善。
- 2027-28年的客户定价谈判和订购量。
- AI基础设施需求,特别是企业AI和AI相关存储需求。
- 包括MATCH Act在内的出口管制进展对中国需求和中国本土光刻投资的影响。