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Bernstein将ASML列为2026年三季度Best Idea,维持Outperform并给出€2,500目标价

机构
Bernstein
日期
2026-07-30
作者
David Dai, CFA、Carmine Milano, CFA、Juho Hwang
公司
ASML Holding NV
代码
ASML.NA
行业
Semiconductor Equipment & Materials
评级
Outperform
看多/乐观信心弱The report argues ASML has superior growth visibility from a WFE upcycle, rising lithography intensity, DRAM and advanced logic demand, EUV/DUV share gains, pricing upside, and attractive valuation after the share-price correction.
作者David Dai, CFA、Carmine Milano, CFA、Juho Hwang
目标价€2,500
覆盖区域欧洲、其他
资产类别权益/股票
业务部门EUV lithography、DUV lithography、High-NA EUV、DRAM lithography demand、advanced logic lithography demand
研究机构部门/子公司Bernstein(其他)

AI 摘要卡

Bernstein将ASML列为2026年三季度Best Idea,维持Outperform并给出€2,500目标价

报告认为,AI驱动的WFE上行周期、光刻强度提升、DRAM/EUV/DUV需求共振和潜在提价,将支撑ASML收入、利润率和估值重估。

评级:Outperform;目标价:€2,500;收盘价:€1,362.20(2026年7月29日);上行空间:84%。
半导体设备ASMLEUVDUVDRAMHigh-NA EUVAI资本开支提价弹性
  • ASML被列为Bernstein 2026年三季度Best Idea,评级为Outperform,目标价€2,500,对应约84%上行空间。
  • 报告预计混合光刻强度将从24%升至2028年的28%,DRAM在1d节点可能推动光刻强度接近30%,先进逻辑仍维持约32%以上的高水平。
  • DRAM正在成为ASML光刻需求更强的增长引擎:管理层指引2026年memory系统销售同比增长超过75%,近期系统销售中memory占比约从历史30%升至50%。
  • 报告认为DUV不是拖累而是增长点,DRAM中DUV:EUV资本开支比例约为1:1,中国WFE需求预计未来三年复合增速超过15%,到2028年约达US$77bn。
  • 价格与利润率上行仍被低估:Bernstein预计EUV ASP在2027年上涨约10%、2028年再涨约7%,2030年毛利率和营业利润率分别达60%和50%。

研报解读

概览

这是一篇Bernstein关于ASML Holding NV的公司研究报告。报告将ASML列为2026年三季度Best Idea,并维持Outperform评级和€2,500目标价。核心判断是:AI相关半导体资本开支推动WFE上行,先进制程和DRAM迁移带来更高光刻强度,EUV、DUV与High-NA EUV共同扩大ASML可捕获的设备支出份额;同时,产品代际升级和潜在同款提价带来未充分计入的收入与利润率上行。

核心观点

报告的核心观点包括:第一,ASML在半导体设备链中具备最强增长可见度,因为先进逻辑和DRAM的光刻强度显著高于成熟逻辑和NAND,混合光刻强度预计从24%升至2028年的28%。第二,DRAM正从逻辑之后转为ASML更重要的增长驱动,memory系统销售占比近期约升至50%,2026年memory系统销售预计同比增长超过75%。第三,EUV采用仍在推动光刻份额提升,DRAM EUV曝光量未来五年预计增长4.5倍,逻辑EUV曝光量也预计增长超过3倍。第四,DUV需求被低估,DRAM中DUV仍约占光刻支出的50%,中国受EUV限制和本土DUV能力不足影响仍高度依赖DUV。第五,中国本土ArFi竞争担忧被认为过度,ASML的中国收入占比已降至2026年上半年的16%,且国产工具在吞吐量、套刻、良率和稳定性方面尚无证据证明可与ASML竞争。第六,估值风险回报具有吸引力,当前股价约为Bernstein 2028年EPS的20倍,目标价对应约80%以上上行。

分析框架

报告采用自上而下与自下而上结合的方法:先从AI驱动的WFE周期和先进制程迁移判断半导体设备总需求,再拆解DRAM、先进逻辑、成熟逻辑和NAND的光刻强度差异;随后按EUV、DUV、High-NA EUV技术路径评估ASML系统需求、产能扩张、价格提升和利润率弹性;最后通过与LRCX、AMAT、TEL、KLAC等WFE同业的收入增速、EPS增速和远期P/E估值对比来判断风险回报。

方法论与常识提炼

  • 行业周期分析WFE upcycle and lithography intensity analysis

    将WFE总量增长与光刻强度提升结合,估算ASML可捕获的设备支出份额。

    报告认为AI相关先进逻辑和DRAM投资推动WFE上行,而这些领域的光刻强度显著高于成熟逻辑和NAND,因此ASML增长可超过整体WFE。

  • 技术路线分析EUV/DUV/HNA adoption roadmap

    按DRAM和逻辑节点迁移评估EUV层数、DUV配套需求和High-NA EUV导入节奏。

    报告跟踪1a、1b、1c、1d、0a/0b等DRAM节点以及10nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm、1nm等逻辑节点,判断EUV曝光、DUV需求和HNA采用如何改变光刻资本开支。

  • 估值与盈利预测Peer relative valuation and earnings upside

    比较ASML与WFE同业的收入增速、EPS增速、远期P/E和历史估值溢价。

    报告认为ASML增长显著快于同业,但当前估值溢价基本消失,1年远期P/E约31x、2年远期P/E约23.5x,风险回报具备吸引力。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • ASML Holding NV
    核心覆盖公司和推荐标的
    优势
    在EUV和高端光刻领域具备独特市场地位,受益于AI驱动WFE上行、DRAM和先进逻辑光刻强度提升、DUV结构性需求、High-NA EUV采用以及潜在提价。
    劣势
    短期受市场对中国DUV竞争、WFE周期波动、产能瓶颈和估值波动担忧影响。
    对比
    报告预计ASML 2025-2028年收入CAGR为30%,高于LRCX的26%、AMAT的25%、TEL的23%和KLAC的21%;但其估值溢价已基本消失,1年远期P/E略低于WFE平均。
    风险
    AI资本开支放缓、DRAM扩产不及预期、High-NA EUV采用延迟、DUV竞争或出口限制变化、提价落地不及预期。
  • WFE peers: LRCX, AMAT, TEL, KLAC
    估值和增长对比对象
    优势
    同样受益于半导体资本开支上行。
    劣势
    报告认为其收入和EPS增长低于ASML,且缺少ASML在关键光刻环节的稀缺性。
    对比
    ASML预计收入CAGR和EPS增长均显著领先WFE同业,但当前远期P/E并未体现历史上约60%的同业溢价。
    风险
    若非光刻设备需求增速更快,或ASML光刻强度假设偏乐观,ASML相对优势可能收窄。
  • Chinese DUV lithography vendors
    潜在竞争变量
    优势
    受本土化政策支持,并可能在成熟DUV领域逐步增加供给。
    劣势
    报告认为国产ArFi工具在吞吐量、关键尺寸、分辨率、套刻精度、正常运行时间和量产一致性方面尚难与ASML竞争。
    对比
    报告将其与Nikon在ArFi领域长期未能缩小与ASML差距进行类比,认为短期对ASML威胁有限。
    风险
    若国产DUV工具性能快速提升并获得大规模量产验证,可能压制ASML中国DUV需求和长期份额。

关键数据

  • 评级OutperformBernstein维持ASML Outperform评级,并称其为EU Semi首选。
  • 目标价€2,500目标价相对2026年7月29日收盘价€1,362.20对应约84%上行空间。
  • 收盘价€1,362.20表格披露的ASML.NA 2026年7月29日收盘价。
  • 光刻强度预测24%至2028年28%报告预计混合光刻强度继续上行,受DRAM和先进逻辑占比提升推动。
  • DRAM光刻强度1c约26%,1d约30%DRAM EUV曝光层数上升和1d节点双重图形化EUV或HNA导入推动光刻强度提升。
  • 逻辑光刻强度2nm约32%尽管从3nm到2nm因GAA引入而下降,但仍维持高位,未来HNA和1nm节点可能再度提升。
  • 2026年memory系统销售增长>75% YoYASML管理层指引memory系统销售增长显著快于advanced logic/foundry的约25%。
  • memory系统销售占比约50%近期季度memory占系统销售比例从历史约30%升至约50%。
  • DRAM EUV曝光量增长未来五年4.5倍报告预计DRAM总EUV曝光量从2025年约3.4 MWPM升至2030年26.3 MWPM。
  • DUV:EUV资本开支比例约1:1报告认为混合口径下每US$1bn EUV支出约对应US$1bn DUV资本开支。
  • 中国WFE需求2028年约US$77bn报告预计中国WFE未来三年复合增速超过15%。
  • ASML中国收入占比2026年上半年16%报告称这是WFE同业中最低水平,2026全年管理层预计约20%。
  • 产能扩张EUV 65台至2028年约110台;ArFi 130台至约220台ASML计划到2028年EUV和浸没式DUV产能每年约扩张30%,HNA产能2027/28年约20台。
  • EUV ASP假设2027年约+10%,2028年约+7%报告认为生产率改善和新一代EUV系统迁移推动价格上行,未包含广泛like-for-like提价。
  • 2030年利润率预测毛利率60%,营业利润率50%高于一致预期的毛利率59.1%和营业利润率46.7%。
  • EPS相对一致预期2029年高22%,2030年高41%Bernstein认为市场仍低估ASML长期盈利弹性。
  • 收入预测2025年€32.7bn至2028年€71.9bn对应约30% CAGR,高于LRCX、AMAT、TEL和KLAC等WFE同业。

影响与含义

如果报告判断兑现,ASML将不仅受益于AI带来的整体WFE扩张,还会因先进逻辑和DRAM的光刻强度提升而获得高于行业的收入增长;EUV、DUV和High-NA EUV的组合需求将增强中期订单与产能可见度;产品升级和潜在提价则可能进一步推升毛利率、营业利润率和EPS。对投资者而言,报告强调当前估值未充分反映ASML的增长质量和定价权,股价修正后风险回报更具吸引力。

风险

  • AI相关半导体资本开支或WFE上行周期弱于预期。
  • DRAM扩产、HBM建设或先进节点迁移不及预期,导致光刻强度提升放缓。
  • High-NA EUV在DRAM或逻辑客户中的采用节奏推迟,削弱中长期需求弹性。
  • ASML产能扩张无法匹配EUV、DUV和HNA需求,或供应链约束导致交付延迟。
  • EUV ASP提升和like-for-like提价落地不及预期,限制利润率上行。
  • 中国本土DUV工具进步快于报告预期,或出口管制政策变化影响ASML对华收入。
  • 估值重估未发生,市场继续以WFE周期股框架定价ASML。

后续跟踪

  • 2026年memory系统销售增长是否接近或超过管理层指引的75% YoY。
  • DRAM 1c、1d节点渗透和EUV曝光层数是否按报告假设提升。
  • SK hynix、Samsung、Intel和TSMC的High-NA EUV导入节奏与订单信号。
  • ASML EUV、ArFi和HNA产能扩张目标能否兑现,尤其是2027和2028年产能爬坡。
  • EUV 3800E向F代迁移带来的ASP提升,以及是否出现更广泛的like-for-like提价。
  • 中国WFE需求、国产ArFi工具量产表现,以及ASML中国收入占比是否维持在较低水平。
  • ASML相对WFE同业的远期P/E溢价是否恢复。
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