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Memoria de Semiconductores Global: El superciclo de memoria podría extenderse hasta 2027, con un repunte spot de NAND más fuerte que el de DRAM

BofA espera que la demanda de servidores de IA, HBM y SSD empresariales, combinada con una oferta limitada de memoria tradicional, impulse un crecimiento de ingresos cercano a cuatro veces en DRAM y NAND en 2026, con expansión continuando en 2027.

InstituciónBank of America
Fecha2026-08-07
SectorMemoria de Semiconductores Global
CalificaciónDuksan Neolux: Compra; Wonik IPS: Rendimiento inferior

Resumen

BofA espera que la demanda de servidores de IA, HBM y SSD empresariales, combinada con una oferta limitada de memoria tradicional, impulse un crecimiento de ingresos cercano a cuatro veces en DRAM y NAND en 2026, con expansión continuando en 2027.

La visión sobre la industria es positiva; Duksan Neolux se mantiene en Compra con un precio objetivo de W70,000, mientras que Wonik IPS se mantiene en Rendimiento inferior, con el precio objetivo reducido de W95,000 a W85,000.
Superciclo de memoriaAumentos de precios de DRAMRepunte spot de NANDExpansión de capacidad de HBMServidores de IARetornos para accionistas de SamsungSSD empresariales
  • Se espera que los ingresos globales de DRAM crezcan un 328% interanual en 2026, y que los ingresos de NAND crezcan un 341%, impulsados principalmente por fuertes aumentos de los precios de venta promedio.
  • Los precios spot de NAND se fortalecieron notablemente esta semana, con productos de 512Gb a 1Tb subiendo entre 5% y 6%, y productos heredados de 256Gb aumentando más del 10%.
  • El indicador de memoria de BofA registró 183 en junio, significativamente por encima de los niveles de referencia de ciclo medio y ciclo alcista de 100 y 130, y aún cerca de máximos históricos.
  • Los servidores, especialmente los sistemas de IA que utilizan HBM, han contribuido con más de la mitad de la demanda de DRAM, mientras que los SSD para centros de datos e IA también se han convertido en impulsores centrales de la demanda de NAND.
  • Se espera que Samsung Electronics pueda implementar retornos a accionistas a gran escala mediante dividendos especiales, recompras de acciones y dividendos de fin de año.

Interpretación del informe

Visión general

El informe actualiza las previsiones para la industria global de memoria y concluye que, pese a una expansión de ingresos de aproximadamente cuatro veces probable en 2026, las ajustadas condiciones de oferta y demanda y la demanda de infraestructura de IA aún pueden respaldar la extensión del superciclo hasta 2027. El reciente repunte spot de NAND es más fuerte que el de DRAM, lo que refleja el aprovisionamiento de inventarios de temporada alta y la limitada oferta de memoria heredada. El informe también analiza los posibles retornos para accionistas de Samsung Electronics y SK Hynix, y actualiza las calificaciones y los precios objetivo de empresas coreanas de equipos semiconductores y materiales OLED.

Perspectivas principales

La visión central es que este ciclo no está impulsado únicamente por la reposición de inventarios a corto plazo, sino también por el uso de HBM en servidores de IA, el crecimiento de capacidad de SSD empresariales y la limitada oferta de obleas. BofA espera que los precios de venta promedio de DRAM y NAND aumenten 242% y 267% interanual, respectivamente, en 2026, con ingresos de la industria creciendo cerca de cuatro veces; aún se espera que los precios de venta promedio de 2027 estén por encima del promedio de todo 2026. No se espera que las caídas de precios aparezcan hasta 2028, suponiendo que los precios de venta promedio de DRAM y NAND disminuyan 8% y 14%, respectivamente, lo que representaría una corrección saludable desde niveles elevados de beneficios en lugar de un aterrizaje brusco.

Marco de análisis

El informe combina previsiones globales de oferta y demanda de arriba hacia abajo, validación ascendente a partir de los resultados trimestrales de los principales fabricantes, seguimiento de precios spot y contractuales, datos de exportaciones coreanas y ventas de fabricantes, el indicador de memoria de BofA y valoraciones de empresas basadas en ratios precio-beneficio futuros. Las previsiones también incorporan envíos de bits, precios de venta promedio, capacidad de obleas, gastos de capital y mezcla de aplicaciones finales.

Notas metodológicas

  • Previsión de la industriaModelo de oferta y demanda de arriba hacia abajo

    Proyectar los ingresos globales de DRAM y NAND basándose en precios de venta promedio, demanda de bits, capacidad de obleas y gastos de capital.

    El modelo prevé precios, envíos, capacidad y gastos de capital de forma trimestral y anual, y vincula la demanda final de servidores, teléfonos inteligentes, ordenadores personales, SSD y otras aplicaciones con las ventas de la industria.

  • Validación de empresasComparación ascendente de fabricantes

    Utilizar ventas, precios de venta promedio, envíos y márgenes de los principales fabricantes de DRAM y NAND para validar las hipótesis de la industria.

    El informe compara los resultados trimestrales de los principales fabricantes de memoria y se centra en evaluar la contribución de HBM, SSD empresariales y NAND 3D a la mezcla de productos y los márgenes.

  • Indicador de cicloIndicador de memoria de BofA

    Medir la fortaleza del ciclo de memoria integrando variables como ventas globales, precios de venta promedio, facturación y exportaciones coreanas.

    El indicador fue de 183 en junio, aún cerca de máximos históricos; algunos períodos históricos se basan en pruebas retrospectivas, y el indicador se utiliza solo para señalar tendencias y no constituye una referencia para instrumentos financieros o rendimiento real de inversión.

  • Valoración relativaValoración P/E futura

    Derivar precios objetivo multiplicando las previsiones de beneficios del año objetivo por el ratio P/E aplicable.

    El precio objetivo de Wonik IPS utiliza un múltiplo P/E de 22x sobre el EPS esperado de 2027, mientras que el precio objetivo de Duksan Neolux utiliza un múltiplo P/E de 21x sobre el EPS esperado de 2027.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

  • Industria global de DRAM
    Beneficiario directo
    Fortalezas
    Fuerte demanda de servidores de IA y HBM, oferta limitada de DRAM heredada y precios de venta promedio en máximos históricos.
    Debilidades
    Los precios elevados pueden suprimir la demanda de teléfonos inteligentes y ordenadores personales, y se espera que los gastos de capital aumenten significativamente en 2026.
    Comparación
    Las ganancias de precios spot a corto plazo son más débiles que las de NAND, pero la escala de ingresos de 2026 y la demanda estructural de HBM son más fuertes.
    Riesgos
    Se espera que los precios de venta promedio disminuyan 8% en 2028, y la entrada de nueva capacidad puede acelerar la caída del ciclo.
  • Industria global de NAND
    Beneficiario directo
    Fortalezas
    Fuerte repunte de precios spot, con una participación creciente de la demanda de centros de datos, IA y SSD empresariales.
    Debilidades
    Parte del incremento proviene de pedidos urgentes antes de la temporada alta, y aún debe verificarse su sostenibilidad.
    Comparación
    La recuperación de precios a principios de agosto fue más fuerte que la de DRAM, y el informe elevó las previsiones de ingresos para 2026 a 2028 entre 10% y 15%.
    Riesgos
    Se espera que los precios de venta promedio disminuyan 14% en 2028, y los gastos de capital y el crecimiento de capacidad pueden aliviar la limitada oferta.
  • Samsung Electronics
    Doble beneficiario del ciclo de memoria y de los retornos para accionistas
    Fortalezas
    Fuerte potencial de crecimiento de HBM y mejora de márgenes en 2026, y la empresa puede implementar dividendos especiales y recompras de acciones a gran escala.
    Debilidades
    Su negocio de HBM se ha rezagado anteriormente frente a SK Hynix, y el progreso de ejecución sigue siendo clave.
    Comparación
    SK Hynix ha establecido una base de HBM más alta, mientras que Samsung Electronics puede tener mayor potencial de crecimiento interanual y mejora de márgenes en 2026.
    Riesgos
    La calificación y producción en masa de HBM pueden no cumplir las expectativas, o la escala y el calendario de retornos para accionistas pueden ser inferiores a lo esperado.
  • SK Hynix
    Beneficiario de HBM y del aumento de precios de memoria
    Fortalezas
    Líder en la producción en masa de HBM de 12 capas, se espera que aumente los envíos de HBM4 y puede asignar aproximadamente 50% del flujo de caja libre a retornos para accionistas.
    Debilidades
    Una base más alta limita el crecimiento interanual de 2026, y el crecimiento de los precios de venta promedio de DRAM del segundo trimestre fue inferior al de sus pares.
    Comparación
    La ejecución de HBM lidera a Samsung Electronics, pero Samsung Electronics puede tener mayor apalancamiento de mejora en 2026.
    Riesgos
    La recuperación de los precios de venta promedio puede no cumplir las expectativas, la competencia en HBM puede intensificarse y los gastos de capital pueden aumentar.
  • Kioxia
    Beneficiario del aumento de precios de NAND
    Fortalezas
    La guía de ingresos del tercer trimestre implica un crecimiento trimestral de 35% y aumentos de precios de venta promedio de NAND cercanos a 20%.
    Debilidades
    El negocio tiene una alta dependencia del ciclo de NAND.
    Comparación
    Los aumentos de precios implícitos están por encima del promedio de la industria, de porcentajes bajos a medios de dos dígitos.
    Riesgos
    El repunte spot puede no trasladarse a los precios contractuales, o la demanda final puede debilitarse.
  • Duksan Neolux
    Positivo
    Fortalezas
    Los negocios de materiales OLED y turbomaquinaria tuvieron un desempeño estable, y el tema de crecimiento está respaldado por los resultados del segundo trimestre.
    Debilidades
    La valoración depende de la materialización de los beneficios de 2027.
    Comparación
    Las tendencias fundamentales son mejores que las de Wonik IPS, afectada por la competencia y beneficios inferiores a las expectativas.
    Riesgos
    La demanda de OLED, los márgenes o los beneficios de 2027 pueden no cumplir las expectativas.
  • Wonik IPS
    Negativo
    Fortalezas
    Tiene exposición al ciclo de gastos de capital de semiconductores coreanos.
    Debilidades
    Las ventas de CVD del segundo trimestre fueron débiles, la empresa enfrenta presión de competidores estadounidenses y japoneses, y la previsión de EPS de 2027 se redujo 10%.
    Comparación
    En comparación con Duksan Neolux, el impulso reciente de beneficios y la visibilidad de crecimiento son más débiles.
    Riesgos
    La cuota de mercado puede seguir disminuyendo, el crecimiento de ingresos puede no cumplir las expectativas y los múltiplos de valoración pueden contraerse aún más.

Datos clave

  • Crecimiento de los ingresos globales de DRAM en 2026Aumento del 328% interanualImpulsado principalmente por un aumento interanual del 242% en los precios de venta promedio.
  • Crecimiento de los ingresos globales de NAND en 2026Aumento del 341% interanualImpulsado principalmente por un aumento interanual del 267% en los precios de venta promedio.
  • Previsión de ingresos globales de DRAMUS$134bn/US$573bn/US$847bn/US$917bn en 2025/2026/2027/2028, respectivamenteLas previsiones para 2027 a 2028 se elevaron ligeramente en aproximadamente 2% frente a estimaciones previas.
  • Previsión del tamaño del mercado de HBMUS$77bn/US$153bn en 2026/2027, respectivamenteSe espera que B300, Rubin y Rubin Ultra impulsen un crecimiento significativo del contenido de HBM.
  • Indicador de memoria de BofA183Lectura de junio; abril y mayo fueron 189 y 186, respectivamente; los niveles de referencia de ciclo medio y ciclo alcista son 100 y 130, respectivamente.
  • Rendimiento semanal spot de NAND1Tb subió 6%, 512Gb subió 5%, 256Gb subió 16%El repunte puede estar relacionado con el aprovisionamiento urgente de inventarios por fabricantes de segundo nivel y de marca blanca para la temporada alta de septiembre y el cuarto trimestre.
  • Precios spot de DRAM16Gb DDR5 a US$51.3, 16Gb DDR4 a US$86.7Aumentaron 1% y 2% semana a semana, respectivamente, y 733% y 911% interanual, respectivamente.
  • Ventas de julio de Nanya TechNT$44bnAumentaron 49% mes a mes y 720% interanual.
  • Exportaciones coreanas de semiconductoresUS$42bnBajaron 9% mes a mes, pero aún aumentaron 179% interanual.
  • Posibles retornos para accionistas de Samsung ElectronicsDividendos especiales de más de W30tn, recompras de acciones de más de W40tn, dividendos de fin de año de W30tnPotencialmente se implementarían en el tercer o cuarto trimestre de 2026, el primer semestre de 2027 y alrededor de abril de 2027, respectivamente.

Impacto e implicaciones

Los productores de memoria pueden seguir beneficiándose de los aumentos de precios, las mejoras en la mezcla de productos y los altos márgenes, con un impulso particularmente fuerte en HBM, SSD empresariales y cadenas de suministro de equipos de proceso avanzados. Los retornos de capital a gran escala de Samsung Electronics y SK Hynix también pueden mejorar los retornos para accionistas. Sin embargo, los elevados costes de memoria afectarán la producción de teléfonos inteligentes y ordenadores personales en 2026 a 2027, mientras que la expansión de gastos de capital de la industria y las mejoras de oferta en 2028 podrían terminar el ciclo alcista de precios. A nivel de acciones individuales, el tema de crecimiento de materiales OLED es más atractivo que el de equipos CVD, donde la competencia se está intensificando y los beneficios están bajo presión.

Riesgos

  • Los fuertes aumentos de precios en 2026 pueden hacer que los clientes retrasen compras, reduzcan especificaciones o recorten la producción de teléfonos inteligentes y ordenadores personales.
  • Los gastos de capital de los fabricantes y la expansión de capacidad de obleas pueden ser más rápidos de lo esperado, terminando potencialmente con la limitada oferta antes de lo previsto.
  • Parte del aumento spot de NAND procede de pedidos urgentes de fabricantes de segundo nivel y de marca blanca antes de la temporada alta, lo que crea un riesgo de impulso a corto plazo.
  • Se espera que los precios de venta promedio de DRAM y NAND disminuyan 8% y 14%, respectivamente, en 2028, y el punto de inflexión del ciclo puede llegar antes de lo previsto.
  • Los cambios en la calificación, el rendimiento, las iteraciones de producto o la cuota de clientes de HBM pueden provocar una divergencia significativa en el desempeño de los fabricantes.
  • Wonik IPS enfrenta presión sobre cuota y beneficios de competidores estadounidenses y japoneses de equipos.
  • La institución de análisis puede tener potenciales relaciones comerciales con los emisores cubiertos, y los inversores deben utilizar este informe como solo un factor en su toma de decisiones.

Aspectos que vigilar

  • Si los precios contractuales de DRAM y NAND en el tercer y cuarto trimestre de 2026 pueden continuar subiendo junto con los precios spot.
  • Si se puede lograr la guía de Kioxia de crecimiento de ingresos de 35% en el tercer trimestre y aumento de precios de venta promedio de NAND cercano a 20%.
  • Los envíos de HBM4 de SK Hynix y el crecimiento, la calificación y la mejora de márgenes de HBM de Samsung Electronics.
  • La escala final y el calendario de implementación de los dividendos especiales, recompras de acciones y dividendos de fin de año de Samsung Electronics.
  • Si las exportaciones coreanas de semiconductores, las ventas mensuales de Nanya Tech y el indicador de memoria de BofA continúan manteniéndose en niveles elevados.
  • Si los gastos de capital de 2027 y la expansión de capacidad de obleas conducen a una corrección de precios más temprana en 2028.
  • El grado real en que los elevados costes de memoria suprimen los envíos de teléfonos inteligentes y ordenadores personales.
  • La materialización del crecimiento de Duksan Neolux y los pedidos CVD y panorama competitivo de Wonik IPS.

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