Global memory technology: BofA Global Research prevé un superciclo de memoria de largo plazo, con ventas globales de DRAM y NAND de $2.0tn en 2030.

Visión general

Esta actualización sobre la industria global de memoria sostiene que la infraestructura AI está transformando la demanda de DRAM y NAND, lo que respalda un ciclo de precios y beneficios prolongado en vez de una recuperación convencional y breve. BofA Global Research eleva su previsión de mercado a largo plazo y mantiene una visión constructiva sobre HBM y los fundamentales de memoria, pese a prever periodos de normalización de precios.

Perspectivas principales

BofA Global Research eleva su previsión de ventas globales de DRAM más NAND para 2030 a $2.0tn desde $1.8tn y describe el escenario como un superciclo de memoria de largo plazo. El informe señala que las ventas globales de DRAM más NAND habían alcanzado previamente $0.17tn en 2018 y $0.21tn en el repunte de 2025. Su argumento se apoya en una tasa anualizada de ventas superior a $1.0tn en 3Q26: ventas trimestrales de $278bn equivalen a $1.1tn en cuatro trimestres. Prevé $0.9tn de ventas de DRAM más NAND en 2026 y $1.4tn en 2027, seguido de un CAGR de cuatro años de 21% hasta 2030. Lo atribuye a aumentos de precios contractuales y ASP de tres a cuatro veces interanuales en 2026, crecimiento anual de bits en los altos dígitos de la decena entre 2026-30, oferta restringida y mayor peso de HBM, SOCAMM y SSD empresariales. En su lógica de valoración ilustrativa, $2.0tn de ventas, un margen operativo de 50%, una tasa fiscal de 25% y 13x P/E implican una capitalización bursátil justa de $10tn para la industria. Los sistemas AI son el principal motor de demanda. Los servidores, en especial los sistemas con HBM, deberían superar la mitad de los envíos y ventas totales de DRAM en 2026 debido al mayor contenido de memoria por sistema. El informe no espera una reducción de especificaciones de memoria en nuevos GPU o ASIC: supone 288GB a 384GB para Rubin y 1,000GB para Rubin Ultra. Las ventas de HBM se prevén en $77.4bn en 2026, un aumento interanual de 124%, y en $152.8bn en 2027. Espera un margen operativo sectorial cercano a 50% en 2026 y ninguna caída en 2027, ya que el crecimiento de volumen y las reducciones de costes compensarían los recortes de precios. Los ingresos de HBM podrían alcanzar $276.9bn en 2030; la capacidad HBM llegaría a 1TB con Rubin Ultra en 2027 y a más de 1.5TB con Feynman Ultra en 2030. Las hojas de ruta de NVIDIA, AMD, ASIC de nube e infraestructura AI de hyperscalers son los mecanismos de crecimiento de demanda identificados. El informe vincula la demanda de memoria con el gasto continuado de los hyperscalers. El capex combinado de Amazon, Microsoft, Alphabet, Meta y Oracle crecería cerca de 100% interanual hasta $730bn en 2026, tras crecer 65% en 2025, y superaría $1tn anuales en 2027-28. Los ingresos cloud crecerían 35-45% interanual en 2026-28; el margen operativo de AWS superaría 35%, el de Azure 40% y el de Google 35%. Estas condiciones respaldan la inversión en AI, aunque varios hyperscalers podrían registrar FCF temporalmente negativo en 2026-27 si el gasto en infraestructura supera el crecimiento del flujo de caja a corto plazo. La evidencia de precios a corto plazo sigue siendo sólida. Las comprobaciones de canal indican que la mayoría de productos DRAM aumentó 20-30% intertrimestral en 3Q, mientras NAND subió más de 15%; el informe supone al menos un incremento de ASP de un dígito en 4Q. Nuevos acuerdos de hyperscalers pagarían ASP de DRAM más altos en 1H27 que en 4Q26. Por ello, BofA no modifica las estimaciones de 2H, pero eleva sus supuestos de ASP de DRAM para 2027-28 en 8-12% y los de NAND en 2-3%, aumentando las previsiones de ingresos correspondientes. Prevén ASP de DRAM de alrededor de $17, $17 y $16 por 8Gb equivalent en 2026, 2027 y 2028, y ASP de NAND de alrededor de $9-10 por 256Gb equivalent. Sin embargo, espera un aterrizaje suave en 2028: ASP de DRAM de -5% y NAND de -13%, antes de un crecimiento renovado en 2029-30 por el uso de memoria avanzada en chips AI. Las condiciones de oferta refuerzan la tesis. DRAM debería seguir ajustada y mayormente a plena utilización, mientras los inventarios de NAND podrían subir hasta 2027 pero permanecer en niveles normales o ligeramente superiores. La inversión de equipos DRAM aumenta por HBM, pero el gasto en DRAM convencional y NAND sigue ampliamente disciplinado. El capex de DRAM se proyecta en $97.7bn en 2026 y $128.6bn en 2027; el de NAND, en $33.0bn y $39.2bn. La reasignación de oferta hacia HBM y DRAM de servidores respalda precios convencionales sin precedentes: 16Gb DDR5 cerca de $55 y DDR4 cerca de $90, muy por encima del máximo previo de aproximadamente $10 en octubre de 2017. El BofA Memory Indicator continúa confirmando el superciclo. Alcanzó 180 en julio después de 190 en marzo y abril, frente a 100 en mitad de ciclo y un máximo previo de 120 en 2017-18. Combina el impulso interanual de ASP, ingresos, precios spot y exportaciones; el informe elevó su techo a 240. Entre los datos de respaldo figuran exportaciones coreanas de semiconductores de $47bn en agosto, 14% mensual más y aproximadamente el doble de $21bn en enero; crecimiento interanual de 209% de esas exportaciones; ventas de agosto de Nanya de NT$44.7bn, aproximadamente el triple de NT$15.3bn en enero; e importaciones chinas de IC de $65.8bn en agosto, 84% interanual más. Los precios spot de DRAM siguen excepcionalmente fuertes, mientras los de NAND se suavizaron en septiembre tras la recuperación de agosto. En renta variable, el informe indica que las acciones de memoria corrigieron en julio-agosto por incertidumbre global y preocupaciones sobre un pico de AI, pero se recuperaron a principios de septiembre. Las acciones de DRAM seguían entre dos y tres veces por encima de sus niveles de inicios de 2026, y las de NAND entre tres y cuatro veces. El informe considera sólidos los fundamentales por la demanda de HBM, los comentarios de NVIDIA y el capex de hyperscalers, y señala que la mayoría de acciones DRAM cotiza a 4-7x sobre EPS de 2026-27.

Marco de análisis

El informe combina una previsión descendente de oferta, demanda, crecimiento de bits y ASP de DRAM y NAND con comparaciones ascendentes de resultados trimestrales y planes de capacidad de los principales productores. Contrasta la visión con comprobaciones de canal, precios spot y contractuales, datos de exportación, ventas empresariales, especificaciones de aceleradores AI, capex de hyperscalers y el BofA Memory Indicator.

Notas metodológicas

• Marco de análisis sectorialMarco de oferta y demanda

  Previsión descendente de oferta y demanda de DRAM y NAND, capacidad, crecimiento de bits y ASP.

  El informe estima ingresos combinando la demanda esperada de bits y los precios medios de venta, y luego evalúa si capacidad, inventarios y utilización apuntan a tensión sostenida o normalización.

• Marco de análisis sectorialDescomposición de volumen y precio

  Descomposición de ingresos en crecimiento de envíos/bits y variaciones de ASP.

  El informe atribuye la expansión prevista de ventas de memoria tanto al crecimiento de bits en altos dígitos de la decena como a precios excepcionalmente fuertes; las revisiones de ASP impulsan las subidas de previsiones para 2027-28.

• OtroOtro

  BofA Memory Indicator.

  El indicador agrega el impulso interanual de ASP, ingresos, precios spot y exportaciones para evaluar la fortaleza del ciclo de memoria; el informe lo usa como evidencia indicativa de respaldo, no como benchmark.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• SK Hynix

  Productor principal de HBM con una perspectiva de beneficios HBM que se espera siga siendo más sólida que la de Samsung.

  Fortalezas

  Exitosa rampa de HBM 12-Hi y una elevada base de ejecución en HBM.

  Debilidades

  El crecimiento interanual y la mejora de margen de 2026 podrían ser menos marcados por la elevada base de 2024-25.

  Comparación

  El informe espera que el crecimiento y la mejora de margen HBM de Samsung en 2026 sean más fuertes interanualmente por partir de una base menor, aunque SK Hynix conserva la perspectiva de beneficios HBM globalmente más sólida.

  Riesgos

  Los precios y volúmenes de HBM dependen de la continuidad de la demanda de aceleradores AI.

• Samsung

  Productor principal de DRAM, NAND y HBM con potencial alcista en HBM.

  Fortalezas

  Potencial de normalización de precios HBM y asociaciones con NVIDIA e hyperscalers.

  Debilidades

  Su posición HBM quedó por detrás de la exitosa rampa de 12-Hi de SK Hynix en 2025.

  Comparación

  El informe espera un crecimiento interanual HBM y una mejora de margen más fuertes en 2026 que para SK Hynix, dado que Samsung parte de una base menor.

  Riesgos

  Las preocupaciones sobre un pico de AI y la dinámica de precios HBM podrían afectar la perspectiva.

• NVIDIA

  Empresa clave de aceleradores AI aguas abajo que impulsa la demanda de HBM.

  Fortalezas

  Su hoja de ruta B300, Rubin y Rubin Ultra aumenta materialmente el contenido HBM por sistema.

  Comparación

  El informe también identifica las GPU de AMD y los ASIC de nube como impulsores adicionales de demanda HBM.

  Riesgos

  Los supuestos de demanda de memoria dependen del ritmo de despliegue de GPU y sistemas AI.

• AMD

  Fuente adicional de demanda HBM mediante aceleradores AI.

  Fortalezas

  El informe prevé un crecimiento de 10-30% del contenido HBM en GPU de AMD, liderado por MI350X y MI400.

  Comparación

  La hoja de ruta de AMD se considera junto con NVIDIA y los programas ASIC de hyperscalers.

  Riesgos

  La demanda depende de la adopción de sus plataformas de aceleradores AI.

Datos clave

• Previsión de ventas globales de DRAM más NAND para 2030US$2.0tnElevada desde US$1.8tn.
• Tasa anualizada de ventas de memoria en 3Q26US$1.1tnBasada en ventas de 3Q26 de US$278bn.
• Revisión de previsión de ingresos DRAM para 2027-28+8-12%Impulsada principalmente por supuestos de ASP más altos.
• Revisión de previsión de ingresos NAND para 2027-28+2-3%Impulsada por expectativas de ASP más firmes.
• Previsión de ventas HBM para 2026US$77.4bn+124% interanual.
• Previsión de ventas HBM para 2027US$152.8bnEl informe prevé crecimiento continuado, no una caída.
• BofA Memory Indicator180 in July 2026Nivel récord frente a 100 de mitad de ciclo y un máximo previo de 120.
• Capex de hyperscalers principales en 2026US$730bnCrecimiento previsto de alrededor de 100% interanual para Amazon, Microsoft, Alphabet, Meta y Oracle en conjunto.

Impacto e implicaciones

El informe concluye que el crecimiento del contenido de memoria impulsado por AI, en particular HBM y SSD empresariales, está cambiando tanto la mezcla de demanda como el poder de fijación de precios del sector. Espera que la tensión de DRAM y la disciplina de oferta convencional sostengan los beneficios, aunque identifica una fase de precios más suave en 2028 antes de un crecimiento renovado en 2029-30.

Riesgos

• El informe prevé que el ASP de DRAM caiga alrededor de 5% y el de NAND alrededor de 13% en 2028, al entrar el mercado en un aterrizaje suave.
• Los precios spot de NAND se esperaban más débiles en septiembre y 4Q26 tras la recuperación de agosto.
• Se supone que la producción de smartphones y PC caerá en 2026-27 por la escasez de memoria y el elevado coste de materiales.
• El gasto récord en infraestructura AI podría llevar a varios hyperscalers a FCF negativo temporalmente en 2026-27.

Aspectos que vigilar

• Precios spot y contractuales de DRAM y NAND, especialmente si DRAM permanece ajustada y si persiste la debilidad de NAND.
• Evolución de ASP de memoria en 3Q y 4Q, y precios DRAM más altos para 1H27 bajo acuerdos de hyperscalers.
• Demanda HBM y rampas de B300, Rubin y Rubin Ultra de NVIDIA, la serie MI de AMD y ASIC de hyperscalers.
• Capex AI de hyperscalers, crecimiento de ingresos cloud y márgenes operativos cloud.
• BofA Memory Indicator, exportaciones coreanas de semiconductores, ventas de Nanya e importaciones chinas de IC.