Global memory technology: A BofA Global Research prevê um superciclo de memória de longo prazo, com vendas globais de DRAM e NAND atingindo $2.0tn em 2030.

Visão geral

Esta atualização da indústria global de memória argumenta que a infraestrutura de AI está remodelando a demanda por DRAM e NAND, sustentando um ciclo mais longo de preços e lucros em vez de uma recuperação convencional e breve. A BofA Global Research elevou sua previsão de longo prazo e mantém visão construtiva sobre HBM e os fundamentos de memória, apesar de esperar períodos de normalização de preços.

Visões principais

A BofA Global Research elevou sua previsão de vendas globais de DRAM mais NAND em 2030 para $2.0tn, ante $1.8tn, e descreve a perspectiva como um superciclo de memória de longo prazo. O relatório observa que o setor havia atingido $0.17tn em 2018 e gerou $0.21tn na alta de 2025. A tese se baseia numa taxa anualizada de vendas acima de $1.0tn em 3Q26: vendas trimestrais de $278bn equivalem a $1.1tn em quatro trimestres. Prevê vendas de DRAM mais NAND de $0.9tn em 2026 e $1.4tn em 2027, seguidas por CAGR de quatro anos de 21% até 2030. A explicação inclui aumentos de preços contratuais e ASP de três a quatro vezes em base anual em 2026, crescimento anual de bits nos altos dígitos de dezenas em 2026-30, oferta restrita e melhor mix de HBM, SOCAMM e SSD empresarial. Em sua lógica ilustrativa de valuation, $2.0tn de vendas, margem operacional de 50%, alíquota de 25% e 13x P/E implicam uma capitalização de mercado justa de $10tn para a indústria de memória. Os sistemas de AI são o principal motor da demanda. Servidores, especialmente sistemas que usam HBM, devem representar mais da metade dos embarques e vendas totais de DRAM em 2026, devido ao maior conteúdo de memória por sistema. O relatório não espera redução de especificações de memória nos novos GPU ou ASIC: assume 288GB a 384GB para Rubin e 1,000GB para Rubin Ultra. As vendas de HBM são projetadas em $77.4bn em 2026, alta anual de 124%, e $152.8bn em 2027. O relatório espera margem operacional média do setor próxima a 50% em 2026 e nenhuma queda em 2027, pois crescimento de volume e redução de custos compensariam cortes de preços. A receita de HBM poderia chegar a $276.9bn em 2030, com capacidade HBM de 1TB no Rubin Ultra em 2027 e mais de 1.5TB no Feynman Ultra em 2030. Os roteiros de GPU da NVIDIA, a série MI da AMD, ASICs de nuvem e a infraestrutura AI dos hyperscalers são apresentados como os mecanismos de aumento da demanda por HBM. O relatório também relaciona a demanda de memória ao investimento contínuo dos hyperscalers. O capex combinado de Amazon, Microsoft, Alphabet, Meta e Oracle cresceria cerca de 100% em base anual para $730bn em 2026, após crescimento de 65% em 2025, e alcançaria mais de $1tn por ano em 2027-28. A receita de nuvem cresceria 35-45% ao ano em 2026-28, enquanto a margem operacional de AWS ficaria acima de 35%, Azure acima de 40% e a margem do Google ultrapassaria 35%. Essas condições sustentam o investimento em AI, embora diversos hyperscalers possam registrar FCF temporariamente negativo em 2026-27 porque o gasto em infraestrutura supera o crescimento de caixa no curto prazo. As evidências de preços de curto prazo permanecem fortes. Checagens de canal indicam que a maioria dos produtos DRAM subiu 20-30% trimestre a trimestre em 3Q, apesar do aumento dos acordos de longo prazo, enquanto NAND avançou mais de 15%; o relatório assume ao menos aumento de ASP de um dígito em 4Q. Novos acordos de hyperscalers pagariam ASP de DRAM maior em 1H27 do que em 4Q26. Assim, a BofA não alterou suas estimativas para 2H, mas aumentou as premissas de ASP de DRAM para 2027-28 em 8-12% e as de NAND em 2-3%, elevando as previsões de receita. Prevê ASP de DRAM de aproximadamente $17, $17 e $16 por 8Gb equivalent em 2026, 2027 e 2028, e ASP de NAND de aproximadamente $9-10 por 256Gb equivalent. Ainda assim, espera um pouso suave em 2028: ASP de DRAM cairia cerca de 5% e NAND cerca de 13%, antes de novo crescimento em 2029-30 com maior uso de memória de alto desempenho em chips AI. As condições de oferta reforçam a visão de preços. DRAM deve permanecer restrita e majoritariamente em plena utilização, enquanto os estoques de NAND podem aumentar até 2027, mas permanecer em níveis normais ou um pouco acima. O investimento em equipamentos DRAM cresce com HBM, mas os gastos em DRAM convencional e NAND permanecem amplamente disciplinados. O capex de DRAM é previsto em $97.7bn em 2026 e $128.6bn em 2027; o de NAND, em $33.0bn e $39.2bn. A realocação de oferta para HBM e DRAM de servidores sustentou preços sem precedentes para DRAM convencional, incluindo 16Gb DDR5 perto de $55 e DDR4 perto de $90, muito acima do pico anterior de aproximadamente $10 em outubro de 2017. O BofA Memory Indicator continua sendo a confirmação de alta frequência do superciclo. Ficou em 180 em julho, após atingir 190 em março e abril, comparado a 100 em meio de ciclo e ao pico anterior de 120 em 2017-18. O indicador combina o impulso anual de ASP, receita, preços spot e exportações; o relatório elevou seu teto a 240. Dados de apoio incluem exportações coreanas de semicondutores de $47bn em agosto, alta de 14% mensal e aproximadamente o dobro dos $21bn de janeiro; crescimento anual de 209% nas exportações coreanas de semicondutores; vendas de agosto da Nanya de NT$44.7bn, aproximadamente três vezes NT$15.3bn em janeiro; e importações chinesas de IC de $65.8bn em agosto, alta anual de 84%. Os preços spot de DRAM continuam excepcionalmente fortes, enquanto os de NAND enfraqueceram em setembro após a recuperação de agosto. Em ações, o relatório afirma que as empresas de memória corrigiram em julho-agosto devido à incerteza global e preocupações com pico de AI, mas se recuperaram no início de setembro. As ações de DRAM ainda estavam entre duas e três vezes acima do nível do início de 2026, e as de NAND entre três e quatro vezes. O relatório considera os fundamentos fortes por causa da demanda de HBM, dos comentários da NVIDIA e do capex dos hyperscalers, observando que a maioria das ações de DRAM negocia a 4-7x com base no EPS de 2026-27.

Estrutura de análise

O relatório combina previsão top-down de oferta, demanda, crescimento de bits e ASP de DRAM e NAND com comparações bottom-up de resultados trimestrais e planos de capacidade dos principais produtores de memória. A perspectiva é confrontada com checagens de canal, preços spot e contratuais, dados de exportação, vendas das empresas, especificações de memória de aceleradores AI, capex de hyperscalers e o BofA Memory Indicator.

Notas metodológicas

• Marco de análise setorialMarco de oferta e demanda

  Previsão top-down de oferta e demanda de DRAM e NAND, capacidade, crescimento de bits e ASP.

  O relatório estima receita combinando a demanda esperada de bits e os preços médios de venda e, em seguida, avalia se capacidade, estoques e utilização indicam aperto sustentado ou normalização.

• Marco de análise setorialDecomposição de volume e preço

  Decomposição da receita entre crescimento de embarques/bits e mudanças de ASP.

  O relatório atribui a expansão prevista das vendas de memória tanto ao crescimento de bits nos altos dígitos de dezenas quanto a preços excepcionalmente fortes; as revisões de ASP impulsionam as elevações de projeções para 2027-28.

• OutroOutro

  BofA Memory Indicator.

  O indicador agrega o impulso anual de ASP, receita, preços spot e exportações para avaliar a força do ciclo de memória; o relatório o utiliza como evidência indicativa de apoio, não como benchmark.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• SK Hynix

  Grande produtor de HBM cuja perspectiva de lucros em HBM deve permanecer mais forte que a da Samsung.

  Pontos fortes

  Rampa bem-sucedida de HBM 12-Hi e forte histórico de execução em HBM.

  Pontos fracos

  O crescimento anual e a melhora de margem em 2026 podem ser menos pronunciados devido à base elevada de 2024-25.

  Comparação

  O relatório espera que o crescimento anual e a melhora de margem de HBM da Samsung em 2026 sejam mais fortes devido à base menor, mas considera que SK Hynix mantém a perspectiva geral de lucros em HBM mais forte.

  Riscos

  Preços e volumes de HBM dependem da continuidade da demanda por aceleradores AI.

• Samsung

  Grande produtor de DRAM, NAND e HBM com potencial de alta em HBM.

  Pontos fortes

  Possível normalização de preços de HBM e parcerias com NVIDIA e hyperscalers.

  Pontos fracos

  Sua posição em HBM ficou atrás da bem-sucedida rampa de 12-Hi da SK Hynix em 2025.

  Comparação

  O relatório espera crescimento anual de HBM e melhora de margem mais fortes em 2026 do que na SK Hynix, pois a Samsung parte de uma base menor.

  Riscos

  Preocupações com pico de AI e a dinâmica de preços de HBM podem afetar a perspectiva.

• NVIDIA

  Empresa chave de aceleradores AI a jusante que impulsiona a demanda por HBM.

  Pontos fortes

  Seu roteiro B300, Rubin e Rubin Ultra aumenta materialmente o conteúdo de HBM por sistema.

  Comparação

  O relatório também identifica GPUs da AMD e ASICs de nuvem como impulsionadores adicionais da demanda por HBM.

  Riscos

  As premissas de demanda de memória dependem do ritmo de implantação de GPUs e sistemas AI.

• AMD

  Fonte adicional de demanda por HBM por meio de aceleradores AI.

  Pontos fortes

  O relatório prevê crescimento de 10-30% no conteúdo de HBM em GPUs AMD, liderado por MI350X e MI400.

  Comparação

  O roteiro da AMD é considerado ao lado da NVIDIA e dos programas de ASIC dos hyperscalers.

  Riscos

  A demanda depende da adoção de suas plataformas de aceleradores AI.

Dados principais

• Previsão de vendas globais de DRAM mais NAND para 2030US$2.0tnElevada de US$1.8tn.
• Taxa anualizada de vendas de memória em 3Q26US$1.1tnBaseada em vendas de 3Q26 de US$278bn.
• Revisão da previsão de receita de DRAM para 2027-28+8-12%Impulsionada principalmente por premissas de ASP mais altas.
• Revisão da previsão de receita de NAND para 2027-28+2-3%Impulsionada por expectativas de ASP mais fortes.
• Previsão de vendas de HBM para 2026US$77.4bn+124% em base anual.
• Previsão de vendas de HBM para 2027US$152.8bnO relatório espera crescimento contínuo, não queda.
• BofA Memory Indicator180 in July 2026Nível recorde frente a 100 no meio do ciclo e pico anterior de 120.
• Capex dos principais hyperscalers em 2026US$730bnCrescimento previsto de aproximadamente 100% em base anual para Amazon, Microsoft, Alphabet, Meta e Oracle combinadas.

Impacto e implicações

O relatório conclui que o crescimento do conteúdo de memória impulsionado por AI, sobretudo HBM e SSD empresarial, está mudando tanto o mix de demanda quanto o poder de precificação do setor. Espera que a restrição de DRAM e a disciplina na oferta convencional sustentem os lucros, mas identifica uma fase de preços mais fraca em 2028 antes de novo crescimento em 2029-30.

Riscos

• O relatório espera queda de cerca de 5% no ASP de DRAM e de cerca de 13% no ASP de NAND em 2028, quando o mercado entraria em pouso suave.
• Os preços spot de NAND deveriam enfraquecer em setembro e 4Q26 após a recuperação de agosto.
• A produção de smartphones e PCs é projetada para cair em 2026-27 devido à escassez de chips de memória e ao alto custo de materiais.
• O gasto recorde em infraestrutura AI pode levar diversos hyperscalers a FCF temporariamente negativo em 2026-27.

Pontos a observar

• Preços spot e contratuais de DRAM e NAND, especialmente se DRAM permanece restrita e se a fraqueza de NAND persiste.
• Evolução de ASP de memória em 3Q e 4Q e preços mais altos de DRAM para 1H27 em contratos de hyperscalers.
• Demanda por HBM e rampas de B300, Rubin e Rubin Ultra da NVIDIA, série MI da AMD e ASICs de hyperscalers.
• Capex em AI dos hyperscalers, crescimento de receita de nuvem e margens operacionais de nuvem.
• BofA Memory Indicator, exportações coreanas de semicondutores, vendas da Nanya e dados de importação chinesa de IC.