Global memory technology：BofA Global Research预计全球DRAM和NAND销售额将在2030年达到$2.0tn，形成长期存储器超级周期。

概览

这份全球存储器行业更新认为，AI基础设施正在重塑DRAM和NAND需求，支持更长的定价和盈利周期，而非传统的短暂上行周期。BofA Global Research上调长期市场预测，并继续看好HBM和存储器基本面，尽管预计期间会出现价格正常化。

核心观点

BofA Global Research将2030年全球DRAM加NAND销售额预测从$1.8tn上调至$2.0tn，并将前景描述为长期存储器超级周期。报告指出，该行业此前在2018年达到$0.17tn的峰值，并在2025年上行周期中实现$0.21tn，这使新预测出现显著跃升。其判断依据是3Q26年化销售运行率已超过$1.0tn：季度销售额为$278bn，对应四个季度等值$1.1tn。报告预计DRAM加NAND销售额在2026年达到$0.9tn、2027年达到$1.4tn，之后2027年至2030年四年复合年增长率为21%。报告将此归因于2026年合同价格和ASP同比上涨三至四倍、2026-30年每年高十几位数的bit增长、持续供给紧张，以及HBM、SOCAMM和企业级SSD产品占比提升。按其示意性估值逻辑，$2.0tn销售额、50%营业利润率、25%税率和13x P/E，对应存储器行业$10tn的合理市值。 AI系统是核心需求驱动因素。报告预计服务器，特别是使用HBM的系统，在2026年将占DRAM出货量和销售额的一半以上，因为每台服务器的存储器容量大幅提高。报告不认为新GPU或ASIC会降低存储器规格：其假设Rubin采用288GB至384GB HBM，而Rubin Ultra达到1,000GB。HBM销售额预计在2026年升至$77.4bn、同比增长124%，并在2027年达到$152.8bn；报告预计2026年行业营业利润率约为50%，2027年不会出现下行，因为销量增长和成本降低应能抵消价格下跌。报告预计HBM收入到2030年达到$276.9bn，同时HBM容量在2027年Rubin Ultra中升至1TB，并在2030年Feynman Ultra中超过1.5TB。NVIDIA的GPU路线图、AMD的MI系列、云端ASIC以及超大规模云厂商AI基础设施，被视为推动HBM需求增长的机制。 报告还将存储器需求与超大规模云厂商持续扩张的支出联系起来。其预计Amazon、Microsoft、Alphabet、Meta和Oracle合计资本开支在2025年增长65%后，2026年同比增长约100%至$730bn，2027-28年年度资本开支超过$1tn。云收入预计在2026-28年同比增长35-45%，而AWS营业利润率保持在35%以上、Azure超过40%，Google利润率预计超过35%。这些经济效益支撑持续的AI投资，但报告预计若基础设施支出超过短期现金流增长，多家超大规模云厂商在2026-27年可能暂时出现负自由现金流。 近期价格证据仍然强劲。渠道调研显示，尽管长期协议增加，大多数DRAM产品在3Q环比上涨20-30%，而NAND上涨超过15%；报告预计4Q ASP至少实现个位数增长。据称，新的超大规模云厂商协议为1H27设定了高于4Q26的DRAM ASP。因此，BofA未调整2H预期，但将2027-28年DRAM ASP假设上调8-12%，NAND ASP假设上调2-3%，相应提高收入预测。报告预计DRAM ASP在2026年、2027年和2028年约为每8Gb equivalent $17、$17和$16，NAND ASP约为每256Gb equivalent $9-10。不过，报告仍预计2028年将软着陆：DRAM ASP预计下跌约5%，NAND ASP预计下跌约13%，此后随着更多先进AI芯片使用高端存储器，2029-30年将恢复增长。 供给状况强化了其定价判断。DRAM预计维持紧张且大多满负荷运转，而NAND库存可能持续增加至2027年，但仍处于正常或略高水平。报告区分了与HBM相关的投资和传统供给扩张：因HBM，DRAM设备支出大幅上升，但传统DRAM和NAND支出总体保持克制。DRAM资本开支预计2026年为$97.7bn、2027年为$128.6bn；NAND资本开支分别预计为$33.0bn和$39.2bn，部分反映2025年的低基数。报告认为，供给向HBM和服务器DRAM重新分配，支撑了前所未有的传统DRAM价格，包括16Gb DDR5约为$55、DDR4约为$90，远高于2017年10月约$10的前高。 BofA Memory Indicator仍是报告对超级周期进行高频确认的工具。该指标在7月为180，此前3月和4月达到190，而中周期水平为100、2017-18年的前高为120。该指标汇总ASP、收入、现货价格和出口的同比动能；由于近期出现前所未有的飙升，报告将其上限提高至240。支持数据包括：韩国半导体出口在8月为$47bn、环比增长14%、约为1月$21bn的两倍；韩国半导体出口同比增长209%；Nanya 8月销售额为NT$44.7bn，约为1月NT$15.3bn的三倍；以及中国IC进口在8月达到$65.8bn、同比增长84%。报告指出，DRAM现货价格仍然异常强劲，而NAND现货价格在8月反弹后于9月走软。 就股票而言，报告称存储器股在7-8月因全球不确定性和AI见顶担忧而调整，但在9月初恢复。报告称DRAM相关股票仍是2026年初水平的两到三倍，NAND相关股票为三到四倍。报告认为，由于HBM需求、NVIDIA评论和超大规模云厂商资本开支，基本面仍然强劲，并指出多数DRAM股票按2026-27年EPS计算的估值为4-7x。

分析框架

报告采用自上而下的方法，对DRAM和NAND供给、需求、bit增长和ASP进行预测，并结合主要存储器厂商季度业绩和长期产能计划的自下而上比较。其以渠道调研、现货和合约价格、出口数据、公司销售额、AI加速器存储器规格、超大规模云厂商资本开支以及BofA Memory Indicator交叉验证前景。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架供需框架

  对DRAM和NAND供需、产能、bit增长和ASP进行自上而下预测。

  报告通过预期bit需求和平均售价估算收入，再根据产能、库存和产能利用率检验供给紧张是否会持续或市场是否会正常化。

• 行业/产业分析框架量价拆分

  将收入拆分为出货量/bit增长和ASP变动。

  报告将预期存储器销售扩张归因于高十几位数的bit增长和异常强劲的定价，且ASP修正推动2027-28年预测上调。

• 其他

  BofA Memory Indicator。

  该指标汇总ASP、收入、现货价格和出口的同比动能，以评估存储器周期强度；报告将其用作佐证性、指示性证据，而非基准。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• SK Hynix

  主要HBM生产商，预计其HBM盈利前景仍强于Samsung。

  优势

  12-Hi HBM爬坡成功，并拥有较高的HBM执行基数。

  劣势

  由于2024-25年基数较高，2026年同比增长和利润率改善可能不那么显著。

  对比

  报告预计Samsung在2026年的HBM同比增长和利润率改善将更强，原因是Samsung的基数较低；但SK Hynix仍拥有更强的整体HBM盈利前景。

  风险

  HBM定价和销量取决于AI加速器需求能否延续。

• Samsung

  主要DRAM、NAND和HBM生产商，具备HBM上行潜力。

  优势

  HBM定价正常化的潜力，以及与NVIDIA和超大规模云厂商的合作。

  劣势

  其HBM定位在2025年落后于SK Hynix成功的12-Hi爬坡。

  对比

  报告预计Samsung在2026年的HBM同比增长和利润率改善将强于SK Hynix，因其起点较低。

  风险

  AI见顶担忧和HBM定价动态可能影响前景。

• NVIDIA

  推动HBM需求的关键下游AI加速器厂商。

  优势

  其B300、Rubin和Rubin Ultra路线图显著提高每套系统的HBM容量。

  对比

  报告还将AMD GPU和云端ASIC认定为额外的HBM需求驱动因素。

  风险

  存储器需求假设取决于GPU和AI系统部署节奏。

• AMD

  AI加速器带来的额外HBM需求来源。

  优势

  报告预计AMD GPU的HBM容量增长10-30%，主要由MI350X和MI400带动。

  对比

  AMD路线图与NVIDIA和超大规模云厂商ASIC项目一并被评估。

  风险

  需求取决于其AI加速器平台的采用情况。

关键数据

• 2030年全球DRAM加NAND销售额预测US$2.0tn从US$1.8tn上调。
• 3Q26年化存储器销售运行率US$1.1tn基于3Q26销售额US$278bn。
• 2027-28年DRAM收入预测修正+8-12%主要由更高的ASP假设推动。
• 2027-28年NAND收入预测修正+2-3%由更强的ASP预期推动。
• 2026年HBM销售额预测US$77.4bn同比+124%。
• 2027年HBM销售额预测US$152.8bn报告预计将继续增长而非出现下行。
• BofA Memory Indicator180 in July 2026创纪录水平，相比中周期100和此前峰值120。
• 头部超大规模云厂商2026年资本开支US$730bnAmazon、Microsoft、Alphabet、Meta和Oracle合计资本开支预计同比增长约100%。

影响与含义

报告认为，AI驱动的存储器容量增长，特别是HBM和企业级SSD，正在改变行业需求结构和定价能力。其预计DRAM紧张及传统供给的纪律性将支撑盈利，但也指出2028年将出现较温和的定价阶段，之后在2029-30年恢复增长。

风险

• 报告预计2028年DRAM ASP下跌约5%、NAND ASP下跌约13%，市场进入软着陆。
• NAND现货价格在8月反弹后，预计于9月和4Q26走软。
• 由于存储器短缺及物料成本高昂，报告假设智能手机和PC产量在2026-27年下降。
• 创纪录的AI基础设施支出可能使多家超大规模云厂商在2026-27年暂时出现负自由现金流。

后续跟踪

• DRAM和NAND现货及合约价格，尤其是DRAM能否维持紧张以及NAND走软是否持续。
• 3Q和4Q存储器ASP走势，以及超大规模云厂商协议下1H27更高的DRAM定价。
• NVIDIA B300、Rubin和Rubin Ultra、AMD MI系列以及超大规模云厂商ASIC的HBM需求和产品爬坡。
• 超大规模云厂商AI资本开支、云收入增长和云业务营业利润率。
• BofA Memory Indicator、韩国半导体出口、Nanya销售额和中国IC进口数据。