存储器超级周期或延续至2027年，NAND现货反弹强于DRAM

概览

报告更新全球存储器行业预测，判断尽管2026年收入可能出现约四倍扩张，供需紧张和AI基础设施需求仍可支持超级周期延续至2027年。近期NAND现货反弹强于DRAM，反映旺季备货与传统存储供应偏紧。报告同时分析三星电子及SK Hynix潜在股东回报，并更新韩国半导体设备和OLED材料公司的评级与目标价。

核心观点

核心判断是本轮周期不仅来自短期库存补充，更由AI服务器的HBM用量、企业级SSD容量增长及有限晶圆供给共同推动。美银预计2026年DRAM和NAND平均售价分别同比上涨242%和267%，行业收入接近四倍增长；2027年平均售价仍高于2026年全年均值。价格下跌预计到2028年才会显现，假设DRAM与NAND平均售价分别下降8%和14%，属于高利润水平下的健康修正而非硬着陆。

分析框架

报告结合全球供需自上而下预测、主要厂商季度业绩自下而上验证、现货与合约价格跟踪、韩国出口及厂商销售数据、美银存储器指标，以及基于远期市盈率的公司估值。预测同时纳入位元出货量、平均售价、晶圆产能、资本开支和终端应用结构。

方法论与常识提炼

• 行业预测自上而下供需模型

  以平均售价、位元需求、晶圆产能和资本开支推演全球DRAM与NAND收入。

  模型按季度和年度预测价格、出货量、产能及资本开支，并将服务器、智能手机、个人电脑和SSD等终端需求映射至行业销售。

• 公司验证自下而上厂商比较

  利用主要DRAM和NAND厂商的销售、平均售价、出货量及利润率验证行业假设。

  报告对主要存储器厂商季度业绩进行比较，并重点评估HBM、企业级SSD和3D NAND对产品组合及利润率的贡献。

• 周期指标美银存储器指标

  综合全球销售、平均售价、账单及韩国出口等变量衡量存储器周期强弱。

  该指标6月为183，仍接近历史高位；部分历史区间为回测结果，指标仅用于趋势指示，不构成金融工具基准或实际投资业绩。

• 相对估值远期市盈率估值

  将目标年度盈利预测乘以适用市盈率得到目标价。

  Wonik IPS目标价采用2027年预期每股收益的22倍市盈率，Duksan Neolux目标价采用2027年预期每股收益的21倍市盈率。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• 全球DRAM行业

  直接受益

  优势

  AI服务器与HBM需求强劲、传统DRAM供给偏紧、平均售价处于历史高位。

  劣势

  高价格可能抑制智能手机和个人电脑需求，2026年资本开支预计大幅增加。

  对比

  现货短期涨幅弱于NAND，但2026年收入规模和HBM结构性需求更强。

  风险

  2028年平均售价预计下降8%，新增产能释放可能加快周期回落。

• 全球NAND行业

  直接受益

  优势

  现货价格反弹强劲，数据中心、AI和企业级SSD需求占比提升。

  劣势

  部分上涨源于旺季前紧急订单，持续性仍需验证。

  对比

  8月初价格恢复强于DRAM，报告对2026至2028年收入预测上调10%至15%。

  风险

  2028年平均售价预计下降14%，资本开支及产能增长可能缓解供给紧张。

• Samsung Electronics

  存储器周期与股东回报双重受益

  优势

  2026年HBM增长及利润率改善潜力较强，并可能实施大规模特别股息和股份回购。

  劣势

  HBM业务此前相对SK Hynix落后，执行进度仍是关键。

  对比

  SK Hynix已建立较高HBM基数，而三星电子2026年的同比增长和利润率改善空间可能更大。

  风险

  HBM认证与量产不及预期，或股东回报规模及时间低于预期。

• SK Hynix

  HBM与存储器价格上涨受益

  优势

  12层HBM量产领先，预计增加HBM4出货，并可能将约50%自由现金流用于股东回报。

  劣势

  较高基数限制2026年同比增速，第二季度DRAM平均售价增幅低于同行。

  对比

  HBM执行领先三星电子，但三星电子2026年改善弹性可能更高。

  风险

  平均售价恢复不及预期、HBM竞争加剧及资本开支上升。

• Kioxia

  NAND价格上行受益

  优势

  第三季度收入指引环比增长35%，隐含NAND平均售价上涨接近20%。

  劣势

  业务对NAND周期的依赖度较高。

  对比

  隐含价格涨幅高于行业低双位数至中双位数的平均水平。

  风险

  现货反弹无法传导至合约价格或终端需求转弱。

• Duksan Neolux

  正面

  优势

  OLED材料和涡轮机械业务表现稳健，增长主题获得第二季度业绩支持。

  劣势

  估值依赖2027年盈利兑现。

  对比

  基本面趋势优于受竞争及业绩不及预期影响的Wonik IPS。

  风险

  OLED需求、利润率或2027年盈利低于预期。

• Wonik IPS

  负面

  优势

  具备韩国半导体资本开支周期敞口。

  劣势

  第二季度CVD销售疲弱，面临美国和日本竞争对手压力，2027年每股收益预测下调10%。

  对比

  相较Duksan Neolux，近期业绩动能和增长可见度较弱。

  风险

  市场份额继续下滑、收入增长不及预期及估值倍数进一步收缩。

关键数据

• 2026年全球DRAM收入增速同比增长328%主要由平均售价同比上涨242%推动。
• 2026年全球NAND收入增速同比增长341%主要由平均售价同比上涨267%推动。
• 全球DRAM收入预测2025/2026/2027/2028年分别为US$134bn/US$573bn/US$847bn/US$917bn2027至2028年预测较此前略上调约2%。
• HBM市场规模预测2026/2027年分别为US$77bn/US$153bnB300、Rubin和Rubin Ultra预计推动HBM含量显著增长。
• 美银存储器指标1836月读数，4月和5月分别为189和186；中周期及上行周期参考水平分别为100和130。
• NAND现货周度表现1Tb上涨6%，512Gb上涨5%，256Gb上涨16%反弹可能与二线及白牌厂商为9月和第四季度旺季进行紧急备货有关。
• DRAM现货价格16Gb DDR5为US$51.3，16Gb DDR4为US$86.7周环比分别上涨1%和2%，同比分别上涨733%和911%。
• Nanya Tech 7月销售NT$44bn环比增长49%，同比增长720%。
• 韩国半导体出口US$42bn环比下降9%，但同比仍增长179%。
• 三星电子潜在股东回报特别股息W30tn以上、股份回购W40tn以上、年末股息W30tn分别可能在2026年第三或第四季度、2027年上半年及2027年4月前后实施。

影响与含义

存储器生产商可继续受益于价格上涨、产品组合升级和高利润率，HBM、企业级SSD及先进制程设备供应链的景气度尤其突出。三星电子和SK Hynix的大规模资本回报亦可能改善股东收益。不过，高昂的存储器成本将压制2026至2027年智能手机和个人电脑产量，行业资本开支扩张及2028年供给改善可能终结价格上行阶段。个股层面，OLED材料增长主题优于竞争加剧且业绩承压的CVD设备。

风险

• 2026年价格急升可能导致客户延迟采购、降低配置或削减智能手机与个人电脑产量。
• 厂商资本开支及晶圆产能扩张快于预期，可能提前结束供给紧张。
• NAND现货上涨部分来自二线及白牌厂商旺季前紧急订单，存在短期脉冲风险。
• 2028年DRAM和NAND平均售价分别预计下降8%和14%，周期拐点可能早于预测。
• HBM认证、良率、产品迭代或客户份额变化可能导致厂商表现明显分化。
• Wonik IPS面临美国和日本设备竞争者带来的份额及盈利压力。
• 研究机构与覆盖发行人存在潜在业务关系，投资者应将本报告仅作为决策因素之一。

后续跟踪

• 2026年第三及第四季度DRAM与NAND合约价格能否跟随现货继续上涨。
• Kioxia第三季度收入增长35%的指引及接近20%的NAND平均售价涨幅能否兑现。
• SK Hynix的HBM4出货以及Samsung Electronics的HBM增长、认证和利润率改善。
• Samsung Electronics特别股息、股份回购及年末股息的最终规模和实施时间。
• 韩国半导体出口、Nanya Tech月度销售及美银存储器指标是否继续维持高位。
• 2027年资本开支和晶圆产能扩张是否导致2028年价格修正提前。
• 高存储器成本对智能手机和个人电脑出货量的实际压制程度。
• Duksan Neolux增长兑现情况以及Wonik IPS的CVD订单和竞争格局。