Semicondutores: Os resultados do primeiro semestre da UNT validam a recuperação dos semicondutores de potência, com a demanda por SiC e infraestrutura de IA sustentando o crescimento
O Morgan Stanley acredita que os fornecedores chineses de SiC estão posicionados para continuar ganhando participação global, enquanto os semicondutores de potência devem manter forte impulso no 2S26, apoiados por alta utilização, aumentos de preços e demanda de infraestrutura de IA.
Resumo
O Morgan Stanley acredita que os fornecedores chineses de SiC estão posicionados para continuar ganhando participação global, enquanto os semicondutores de potência devem manter forte impulso no 2S26, apoiados por alta utilização, aumentos de preços e demanda de infraestrutura de IA.
- A UNT planeja elevar os preços de dispositivos analógicos, IGBT, MOSFET e SiC em 15%-25%; o aumento efetivamente acordado com clientes é de aproximadamente 15% e deve se refletir nas demonstrações financeiras a partir do fim do 3T26.
- A administração espera que o aumento de preço de aproximadamente 15% seja parcialmente compensado por cerca de 5% de inflação de custos, com probabilidade de melhoria da margem bruta em um percentual alto de um dígito.
- A UNT elevou sua orientação de crescimento da receita de dispositivos SiC para 2026 para aproximadamente 100%, ou cerca de Rmb3,0 bilhões, com aproximadamente 70%-80% impulsionados pelo crescimento de volume e o restante por ASPs mais altos.
- A localização automotiva continua em curso, enquanto a infraestrutura de IA começou a gerar crescimento incremental para empresas de semicondutores de potência.
Interpretação do relatório
Visão geral
Com base nos resultados do 1S26 da UNT e nas informações da teleconferência de resultados, este relatório fornece uma checagem cruzada do setor de semicondutores de potência da Grande China. O Morgan Stanley acredita que o setor manterá forte impulso no 2S26, apoiado por alta utilização e elevação de preços; a orientação de crescimento dos fornecedores chineses de dispositivos SiC excede a dos pares globais, e espera-se que sua participação de mercado continue aumentando.
Visões principais
As principais conclusões são: primeiro, aumentos de preços e alta utilização devem melhorar a rentabilidade das empresas de semicondutores de potência; segundo, a orientação elevada de receita de SiC da UNT indica que a expansão de volume é o principal impulsionador; terceiro, além da localização automotiva, a infraestrutura de IA está se tornando uma nova fonte de crescimento para empresas de semicondutores de potência; e quarto, plataformas tecnológicas de interconexão óptica e a produção em massa de chips de fotônica de silício oferecem vias adicionais para expansão dos negócios.
Estrutura de análise
O relatório aplica uma abordagem de checagem cruzada do setor com base em informações de teleconferências de resultados, avaliando as implicações para o setor de semicondutores de potência da Grande China por meio de preços, custos, utilização, orientação de receita de SiC, demanda de mercados finais e progresso tecnológico.
Notas metodológicas
Uso dos resultados e da orientação da administração da UNT como amostra de validação das condições do setor
Informações em nível de empresa sobre aumentos de preços, margens, receita e demanda são mapeadas para as cadeias de suprimentos de semicondutores de potência e SiC para avaliar as tendências do setor.
Mapeamento e comparação de ativos
Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).
- UNT (688469.SS)Amostra de checagem cruzada de resultados; não coberta
- Pontos fortes
- Orientação elevada de receita de dispositivos SiC, execução de aumentos de preços e progresso em plataformas tecnológicas de interconexão óptica.
- Pontos fracos
- A inflação de custos de aproximadamente 5% compensará parcialmente a melhoria de margem decorrente dos aumentos de preços.
- Comparação
- Sua orientação de crescimento de SiC apoia a visão de que os fornecedores chineses de SiC podem crescer mais rapidamente do que os pares globais.
- Riscos
- Persistem incertezas em torno da execução dos aumentos de preços, negociações com clientes, inflação de custos e cumprimento da orientação de receita.
- Empresas chinesas de dispositivos SiCBeneficiário do setor
- Pontos fortes
- A orientação de crescimento supera a dos pares globais, oferecendo potencial para ganhar participação no mercado global.
- Pontos fracos
- Dependem da manutenção de alta utilização, tendências favoráveis de preços e demanda dos mercados finais.
- Comparação
- O relatório espera que seu crescimento supere o dos pares globais.
- Riscos
- Concorrência global, reversão das tendências de preços, desaceleração da demanda e menor utilização da capacidade.
- Setor de semicondutores de potênciaDireção de alocação setorial
- Pontos fortes
- Apoiado por alta utilização, preços favoráveis, localização automotiva e demanda de infraestrutura de IA.
- Pontos fracos
- A melhoria de margem permanece limitada pelo aumento dos custos.
- Comparação
- O relatório atribui uma visão Atrativa ao setor.
- Riscos
- Falha na implementação dos aumentos de preços, demanda de mercados finais abaixo do esperado, pressão de custos e mudanças na dinâmica de oferta e demanda do setor.
Dados principais
- Aumento de preço proposto15%-25%Abrange dispositivos analógicos, IGBT, MOSFET e SiC; o aumento efetivamente acordado com clientes é de aproximadamente 15%.
- Momento do impacto financeiro dos aumentos de preçosFim do 3T26A administração espera que o impacto comece a aparecer nas demonstrações financeiras então.
- Melhoria esperada da margem brutaAlto dígito únicoEspera-se que o aumento de preço de aproximadamente 15% seja parcialmente compensado por cerca de 5% de inflação de custos.
- Orientação de receita de dispositivos SiC para 2026Aproximadamente Rmb3,0 bilhões, alta de cerca de 100% em relação ao ano anteriorAnteriormente, a orientação era de crescimento superior a 50% durante a teleconferência de resultados do 1T26.
- Composição do crescimento da receita de SiCAproximadamente 70%-80% de crescimento de volumeO crescimento restante vem de ASPs mais altos.
- Visão do setorAtrativaAplica-se ao universo de cobertura de Semicondutores de Tecnologia da Grande China.
Impacto e implicações
Se os aumentos de preços forem implementados conforme planejado e a utilização permanecer alta, tanto a receita quanto a rentabilidade das empresas de semicondutores de potência poderão melhorar. O crescimento da demanda por SiC é impulsionado principalmente por volume, ressaltando a importância da penetração nos mercados finais e da utilização da capacidade; a demanda por infraestrutura de IA pode ampliar as fontes de crescimento para além da demanda automotiva tradicional do setor.
Riscos
- A magnitude ou o momento dos aumentos de preços pode ficar aquém das expectativas.
- A inflação de custos pode exceder as expectativas da administração, reduzindo a melhoria da margem bruta.
- A orientação de crescimento de volume, ASP ou receita de SiC pode não ser alcançada.
- O crescimento da localização automotiva e da demanda por infraestrutura de IA pode desacelerar.
- A alta utilização e as tendências favoráveis de preços podem não se sustentar.
Pontos a observar
- O impacto efetivo dos aumentos de preços sobre a receita e a margem bruta a partir do fim do 3T26.
- O progresso em direção à meta de receita de dispositivos SiC de aproximadamente Rmb3,0 bilhões, bem como a composição da contribuição de volumes e ASPs.
- Taxas de utilização e mudanças de preços no setor de semicondutores de potência.
- Contribuições incrementais de demanda da infraestrutura de IA para empresas de semicondutores de potência, como Yangjie e SICC.
- Progresso na comercialização de chips de fotônica de silício produzidos em massa e de outras plataformas tecnológicas de interconexão óptica.