Gigadevice (603986) — Interpretación del informe
La dirección espera que los ASP de DRAM especializado y NAND sigan creciendo trimestre a trimestre, aunque el crecimiento debería moderarse por una base elevada. Goldman Sachs destaca la aceleración de los envíos de SLC NAND en 2027E y mantiene un precio objetivo a 12 meses de Rmb391.
Resumen
La dirección espera que los ASP de DRAM especializado y NAND sigan creciendo trimestre a trimestre, aunque el crecimiento debería moderarse por una base elevada. Goldman Sachs destaca la aceleración de los envíos de SLC NAND en 2027E y mantiene un precio objetivo a 12 meses de Rmb391.
- Se espera que los precios de DDR4 de DRAM especializado sigan aumentando trimestre a trimestre en 3Q y 4Q26, aunque el ritmo de crecimiento se reducirá gradualmente.
- Los ingresos de SLC NAND fueron de aproximadamente Rmb1.5bn en 1H26 frente a aproximadamente Rmb500m en 2025, respaldados por el crecimiento de envíos y ASP.
- La dirección espera un fuerte crecimiento de los envíos de obleas SLC NAND en 2027E conforme los socios locales de fundición amplíen capacidad.
- El margen bruto de 2Q26 subió a 66.6% desde 57.1% en 1Q26; la dirección ve más potencial al alza en 3Q y 4Q26E antes de una estabilización.
- Goldman Sachs mantiene Buy con un precio objetivo de Rmb391, que implica un potencial alcista de 5.3% desde Rmb371.32.
Interpretación del informe
Visión general
Esta nota de China AI Tour resume la perspectiva de la dirección de Gigadevice sobre DRAM especializado, SLC NAND y NOR Flash. Goldman Sachs mantiene Buy, destacando los beneficios de precios y mezcla en productos de memoria, especialmente la aceleración prevista de los envíos de SLC NAND durante 2027E.
Perspectivas principales
Goldman Sachs recibió a la dirección de Gigadevice en Pekín el 10 de septiembre durante su China AI Tour. La dirección se mostró positiva sobre el crecimiento continuado trimestre a trimestre de los ASP de DRAM especializado y NAND, aunque reconoció que el crecimiento se desacelerará por unas comparaciones más exigentes. La discusión se centró en DRAM especializado, SLC NAND y NOR Flash, junto con la contribución a más largo plazo de los proyectos de 3D DRAM de la empresa con clientes de marca. En DRAM especializado, la dirección espera que los precios de DDR4 sigan subiendo trimestre a trimestre en 3Q26 y 4Q26, aunque la tasa de crecimiento debería estrecharse gradualmente. Aproximadamente 30%-35% de los ingresos de DRAM especializado procede de electrónica de consumo y aproximadamente 40% de productos de redes e industriales, por lo que las condiciones de demanda final en electrónica de consumo siguen siendo importantes. La producción mensual a corto plazo puede fluctuar durante la migración a DDR4, pero la dirección espera que la mejora de la mezcla de productos eleve el ASP combinado y los márgenes de DRAM especializado. Se espera que los envíos de obleas crezcan moderadamente en 2027E y después se amplíen gradualmente conforme aumente la capacidad. La dirección señaló que los costes de obleas de DRAM especializado se fijan al completarse la producción, por lo que están más próximos a la tendencia del mercado. SLC NAND fue el área de crecimiento a corto plazo más fuerte analizada. Los ingresos fueron de aproximadamente Rmb1.5bn en 1H26, frente a aproximadamente Rmb500m en 2025, respaldados tanto por mayores envíos como por ASP más altos. La dirección espera un fuerte crecimiento de los envíos de obleas SLC NAND en 2027E, apoyado por la expansión de capacidad de socios locales de fundición. También considera que los precios se mantendrán en niveles elevados en 2027E, ya que competidores globales de primer nivel están pasando de 2D NAND a 3D NAND para atender la demanda de AI. La cobertura de productos SLC NAND de Gigadevice va de 1G a 8G. Para NOR Flash, la dirección espera un crecimiento moderado del ASP, impulsado principalmente por productos NOR Flash de alta densidad. Por separado, Gigadevice continúa trabajando con clientes de marca en proyectos de 3D DRAM; la dirección espera que estos proyectos aporten ingresos más significativos en 2027E y 2028E. La rentabilidad mejoró materialmente en 2Q26, con un margen bruto de 66.6% frente a 57.1% en 1Q26. La dirección ve más potencial al alza para el margen bruto en 3Q26E y 4Q26E a medida que aumentan los precios. Sin embargo, espera que los márgenes se estabilicen gradualmente conforme se desacelere el crecimiento de los ASP y aumenten los costes de fabricación de obleas. Goldman Sachs mantiene Buy y un precio objetivo a 12 meses de Rmb391. La valoración utiliza un múltiplo P/E de 2030E de 35.1x, descontado a 2027E con un coste de capital propio de 12%. Los datos para el coste de capital propio son beta de 1.3, tasa libre de riesgo de 3.5% y prima de riesgo de mercado de 6.5%. El múltiplo objetivo se deriva de la relación entre el P/E de comparables y el crecimiento interanual del beneficio neto, aplicado al crecimiento del beneficio neto de 2031E de la compañía. Al precio de cierre reportado de Rmb371.32 el 11 de septiembre de 2026, el objetivo implica un potencial alcista de 5.3%.
Marco de análisis
El informe combina los comentarios de la dirección en China AI Tour con análisis de volumen, precios, mezcla y márgenes por producto. Evalúa el calendario de expansión de capacidad y transiciones de producto en DRAM y NAND, y después valora Gigadevice mediante un múltiplo P/E futuro vinculado a la relación entre el P/E de comparables y el crecimiento del beneficio neto, descontando el valor a 2027E con un coste de capital propio.
Notas metodológicas
Análisis de oferta, capacidad, migración de productos y ASP de productos de memoria
El informe vincula la expansión de capacidad de fundición, la transición de competidores de 2D NAND a 3D NAND, la mezcla de productos y la demanda final con los resultados esperados de envíos, ASP y márgenes de los productos de memoria de Gigadevice.
Valoración mediante P/E futuro ligada a la relación entre P/E de comparables y crecimiento del beneficio neto
Goldman Sachs aplica un múltiplo P/E de 2030E de 35.1x basado en la relación entre el P/E de comparables y el crecimiento interanual del beneficio neto, y después descuenta el valor resultante a 2027E con un coste de capital propio de 12%.
Correspondencia y comparación de activos
Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).
- Gigadevice (603986.SH)Compañía principal cubierta; se espera que se beneficie de la mejora de mezcla en DRAM especializado, el crecimiento continuado de ASP de memoria y el crecimiento de envíos de SLC NAND respaldado por capacidad.
- Fortalezas
- El crecimiento de ingresos de SLC NAND está respaldado por volumen y ASP; amplia cobertura de SLC NAND de 1G-8G; se espera que el ASP combinado y el margen de DRAM especializado se beneficien de la mejora de mezcla.
- Debilidades
- La elevada exposición a electrónica de consumo hace relevante la demanda final; la producción mensual a corto plazo puede fluctuar durante la migración a DDR4.
- Comparación
- La dirección espera que la transición de competidores globales de primer nivel de 2D NAND a 3D NAND por demanda de AI mantenga elevados los precios de SLC NAND en 2027E.
- Riesgos
- Una demanda y precios de MCU más débiles, una expansión de capacidad de NOR Flash más rápida de lo esperado o una competencia más intensa podrían presionar ventas, precios, cuota de mercado y márgenes.
Datos clave
- Ingresos de SLC NAND~Rmb1.5bn in 1H26Frente a ~Rmb500m en 2025; respaldados por el crecimiento de envíos y mayores ASP.
- Mezcla de ingresos de DRAM especializado: electrónica de consumo~30%-35%La demanda final de consumo sigue siendo importante debido a esta exposición.
- Mezcla de ingresos de DRAM especializado: redes e industrial~40%Porción de los ingresos de DRAM especializado señalada por la dirección.
- Margen bruto66.6% in 2Q26Subió desde 57.1% en 1Q26; la dirección ve más potencial al alza en 3Q y 4Q26E.
- Precio objetivoRmb391.00Precio objetivo a 12 meses basado en P/E de 2030E de 35.1x y descontado a 2027E.
- Precio de cierreRmb371.32Al cierre del 11 de septiembre de 2026; el potencial alcista reportado al precio objetivo es 5.3%.
- Previsión de ingresos para 2027ERmb19,903.3mnPrevisión de Goldman Sachs, frente a Rmb16,528.5mn en 2026E.
- Previsión de EPS para 2027ERmb8.92Previsión de Goldman Sachs, frente a Rmb7.56 en 2026E.
Impacto e implicaciones
El informe sostiene que la mejora de mezcla y mayores precios de memoria pueden respaldar la rentabilidad a corto plazo de DRAM especializado, mientras que la expansión de capacidad de fundiciones locales podría convertir a SLC NAND en el principal impulsor de crecimiento de envíos en 2027E. También identifica los proyectos de 3D DRAM como una fuente potencial de ingresos más significativa desde 2027E-28E, aunque espera una estabilización posterior del margen conforme se modere el crecimiento de precios y aumenten los costes de fabricación.
Riesgos
- La demanda y los precios de MCU podrían ser más débiles de lo esperado por Goldman Sachs, causando ventas mucho más lentas y una caída de margen más pronunciada.
- La capacidad de la industria de NOR Flash podría expandirse a un ritmo más rápido de lo esperado, provocando descensos de precios más acelerados y debilidad estructural de precios a largo plazo.
- La competencia podría intensificarse más de lo esperado, provocando pérdida de cuota de mercado y presión sobre los márgenes.
Aspectos que vigilar
- Los precios de DDR4 trimestre a trimestre y si su tasa de crecimiento se estrecha en 3Q26 y 4Q26.
- El avance de la mezcla de productos de DRAM especializado, las fluctuaciones de producción durante la migración a DDR4 y el crecimiento de envíos de obleas en 2027E.
- La expansión de capacidad de socios locales de fundición y el ritmo resultante de envíos de obleas SLC NAND en 2027E.
- Los precios de SLC NAND mientras competidores globales pasan de 2D NAND a 3D NAND por demanda de AI.
- La evolución del margen bruto en 3Q26E y 4Q26E a medida que las ganancias de precios se enfrentan a un menor crecimiento de ASP y mayores costes de fabricación de obleas.
- El calendario y la contribución de ingresos de los proyectos de 3D DRAM con clientes de marca en 2027E y 2028E.