SK Hynix (000660.KS): Mayores retornos para los accionistas y una escasez prolongada de memoria respaldan a SK Hynix; UBS reitera Compra

Visión general

Este informe resume las principales conclusiones de SK Hynix en la Cumbre UBS Corea 2026, centradas en la política de retorno al accionista, la cobertura de acuerdos a largo plazo, la oferta y demanda de HBM y DRAM, la expansión de capacidad y la valoración. UBS considera que un suelo más claro de retorno de efectivo y una oferta y demanda de memoria persistentemente ajustadas constituyen el principal respaldo para la acción y, por ello, reitera su calificación de Compra y su precio objetivo de Won3,000,000.

Perspectivas principales

Los retornos para los accionistas fueron la información incremental más directa de la reunión. SK Hynix declaró que su plan de recompra de acciones de Won40tn previamente anunciado forma parte de una política general de devolver más del 50% del flujo de caja libre. La redacción de la política cambió de “hasta el 50%” a “más del 50%”, lo que significa que el 50% es el suelo de retorno y no el techo para 2025—2027. La empresa también podría respaldar el precio de sus acciones mediante recompras adicionales dentro del marco de la política cuando sea necesario y proporcionará más detalles durante su conferencia de resultados del 3T26. Respecto a un ADR estadounidense, la empresa avanzará con las aprobaciones regulatorias y podría incrementar gradualmente la liquidez de sus valores cotizados en Estados Unidos. Los acuerdos a largo plazo mejorarán la visibilidad de la demanda y de los volúmenes de ventas. Aunque la empresa no cuantificó la tasa máxima de cobertura, UBS mantiene su opinión de que más del 50% del volumen de bits estará cubierto por acuerdos a largo plazo al cierre del año. El objetivo principal de estos acuerdos es asegurar volúmenes en lugar de establecer suelos o techos de precios. Las negociaciones priorizan a los clientes de nube de hiperescala, aunque también se espera incluir a grandes OEM. Esta estructura puede reducir la incertidumbre sobre los volúmenes de ventas al tiempo que preserva la flexibilidad de precios cuando aumentan los precios al contado y por contrato. La oferta y demanda de HBM y DRAM siguen siendo fundamentales para las perspectivas de beneficios. Dadas las restricciones de suministro, es posible una reducción en las especificaciones de los productos HBM. UBS considera que Nvidia ha pasado de HBM4E 12-Hi a HBM4 8-Hi para VR/R300. Aunque la capacidad de memoria por SiP disminuiría, aumentaría el número de SiP requeridos, por lo que el informe considera que la demanda total no se vería afectada. Se espera que la demanda de HBM siga siendo muy fuerte en 2027, con un suministro potencialmente insuficiente hasta 2030 o más allá. La tasa general de satisfacción de la demanda de DRAM se estima en solo alrededor de 60%—70%, con pedidos no atendidos diferidos a 2027, lo que podría empeorar aún más la escasez del sector. En cuanto a los precios a corto plazo, el precio medio de venta de DRAM de SK Hynix en 2T26 fue inferior al de su competidor. UBS estima su precio en US$1.47 por Gb, frente a US$1.55 de Samsung, y espera que esta brecha se reduzca en 2S26. Por tanto, además del aumento de los precios del sector, la mejora de los precios relativos de la empresa también podría impulsar los ingresos y los beneficios. La expansión de la oferta continuará, pero llevará tiempo que la nueva capacidad entre en funcionamiento. Yongin 1 planea comenzar a instalar equipos en febrero de 2027, con una segunda sala limpia que posiblemente le siga más adelante ese mismo año. La primera fase seguirá enfocada en DRAM. En tecnología de proceso, la empresa podría inicialmente seguir utilizando 6F2. El nodo específico y la compensación frente a 4F2 aún deben confirmarse, tras lo cual podría pasar a 4F2 a lo largo de varios nodos y, finalmente, avanzar hacia DRAM 3D. En NAND, la planta de Dalian podría continuar ampliando la capacidad del proceso de puerta flotante y actualizar gradualmente de 144 y 192 capas a 240 capas. Se espera que el proyecto NAND M17 inicie la producción en masa en 1S29. La expansión de capacidad y la migración tecnológica significan que el gasto de capital permanecerá elevado durante un período prolongado. UBS espera un gasto de capital de Won61tn en 2027, un 30% más interanual, y considera que seguirá siendo alto posteriormente. La fuerte inversión de capital ayudará a satisfacer la demanda de DRAM, HBM y NAND, pero también perpetúa la naturaleza intensiva en capital del sector de memoria y la sensibilidad del flujo de caja a los ciclos de precios. Las previsiones de beneficios de UBS reflejan su visión optimista sobre la oferta, demanda y precios. Sus previsiones para 2026 de ingresos, EBIT y beneficio neto son Won357,816bn, Won280,617bn y Won276,672bn, respectivamente, con un BPA diluido de Won395,021. Las previsiones correspondientes para 2027 ascienden a Won588,667bn, Won483,488bn, Won377,417bn y Won598,302. Las previsiones de BPA de UBS superan el consenso de mercado: Won395,021 frente a Won353,128 en 2026, Won598,302 frente a Won463,642 en 2027 y Won735,840 frente a Won493,869 en 2028. La valoración utiliza un marco de precio sobre valor en libros a plazo de 12 meses. Con base en un ROE a largo plazo de 49.2% y un coste de capital de 11.4%, UBS asigna a SK Hynix un múltiplo P/BV a plazo de 12 meses de 4.32x, correspondiente a un precio objetivo a 12 meses de Won3,000,000, y mantiene su calificación de Compra. Con base en el tipo de cambio más reciente, el precio objetivo del ADR es US$210. En relación con el precio de la acción de Won1,678,000 del 25 de agosto de 2026, el informe indica un potencial alcista previsto de 78.8%, una rentabilidad por dividendo prevista de 2.9% y una rentabilidad total prevista de la acción de 81.7%. Con base en un supuesto de rentabilidad de mercado de 9.2%, la rentabilidad excedente prevista es 72.5%. El cuestionario cuantitativo de corto plazo es direccionalmente coherente con la visión fundamental a 12 meses, aunque ambos utilizan horizontes temporales diferentes. UBS puntúa la estructura del sector para los próximos seis meses con 5 y el entorno regulatorio con 3. Considera que la situación de la empresa ha mejorado significativamente en los últimos 3—6 meses y le asigna una puntuación de 5. La próxima actualización de BPA recibe una puntuación de 5 respecto a las expectativas de consenso, lo que indica sesgo hacia una sorpresa positiva, mientras que la distribución de riesgos respecto a la propia previsión de UBS recibe una puntuación de 3, lo que significa que los riesgos al alza y a la baja están ampliamente equilibrados. El informe identifica un catalizador positivo en los próximos tres meses, alrededor del 18 de septiembre de 2026, relacionado con las ventas finales mensuales de smartphones, la finalización de negociaciones de precios, comentarios de la cadena de suministro de NT sobre la demanda de GPU y una actualización sobre los retornos para los accionistas.

Marco de análisis

UBS revisa primero los comentarios de la dirección en la cumbre sobre retornos para los accionistas y acuerdos de ADR; después analiza la demanda y los precios mediante acuerdos a largo plazo, cambios en las especificaciones de HBM, la tasa de satisfacción de la demanda de DRAM y diferenciales de precios frente a pares. Posteriormente evalúa la trayectoria de oferta y gasto de capital basándose en los proyectos Yongin, Dalian y M17, y vincula las previsiones de beneficios, el ROE a largo plazo y el coste de capital con una valoración P/BV a plazo de 12 meses. Finalmente, el informe complementa su análisis con un cuestionario cuantitativo de corto plazo que cubre las perspectivas del sector en los próximos seis meses, sorpresas de beneficios y catalizadores de eventos.

Notas metodológicas

• Metodología de valoraciónValoración P/B

  Valoración P/BV a plazo de 12 meses

  El informe deriva un múltiplo precio sobre valor en libros a plazo de 12 meses de 4.32x a partir de un ROE a largo plazo de 49.2% y un coste de capital de 11.4%, y lo utiliza para calcular un precio objetivo de Won3,000,000.

• Marco de análisis sectorialMarco de oferta y demanda

  Análisis de la brecha entre oferta y demanda de HBM y DRAM

  El informe evalúa la persistencia de la escasez de memoria y su impacto en los precios utilizando la cobertura de acuerdos a largo plazo, la tasa de satisfacción de la demanda de DRAM, los aplazamientos de pedidos, cambios en las especificaciones de HBM y el calendario de nuevas adiciones de capacidad.

• Teoría cuantitativa/de factores/de carteraOtro

  Cuestionario de corto plazo de la Revisión de Investigación Cuantitativa

  UBS convierte las evaluaciones de los analistas sobre la estructura del sector, el entorno regulatorio, tendencias recientes, sorpresas de beneficios y catalizadores en puntuaciones de 1—5 para describir factores de corto plazo. Los resultados utilizan un marco temporal distinto de la calificación de la acción a 12 meses.

• Teoría cuantitativa/de factores/de carteraOtro

  Rentabilidad prevista de la acción y supuesto de rentabilidad de mercado

  La rentabilidad prevista de la acción equivale a la apreciación de precio esperada durante los próximos 12 meses más la rentabilidad total por dividendos. El supuesto de rentabilidad de mercado equivale a la tasa de interés del mercado local a un año más 5%, y la diferencia entre ambas constituye la rentabilidad excedente prevista.

Correspondencia y comparación de activos

Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).

• SK Hynix (000660.KS)

  El informe considera que la empresa se beneficiará de persistentes escaseces de suministro de HBM y DRAM, una mayor cobertura de acuerdos a largo plazo, una mejora de precios relativos y mayores retornos de flujo de caja libre.

  Fortalezas

  Segunda a nivel mundial por ingresos de DRAM y tercera por ingresos de NAND; fuerte demanda de HBM; los acuerdos a largo plazo mejoran la visibilidad de los volúmenes de ventas; suelo de retorno de flujo de caja libre superior al 50% para 2025—2027.

  Debilidades

  El negocio está concentrado en productos de memoria cíclicos, el gasto de capital es alto, la consolidación del sector NAND es más débil que en DRAM y el flujo de caja es sensible a cambios en los precios por contrato.

  Comparación

  Se estima que el ASP de DRAM de la empresa en 2T26 es US$1.47/Gb, inferior a los US$1.55/Gb de Samsung, pero UBS espera que la brecha se reduzca en 2S26.

  Riesgos

  La demanda de smartphones y tabletas, la mezcla de productos, el gasto empresarial, el ciclo de precios de memoria, la migración tecnológica y la elevada inversión de capital pueden afectar los beneficios y el flujo de caja.

Datos clave

• Calificación y precio objetivoCompra; precio objetivo a 12 meses Won3,000,000; precio objetivo ADR US$210UBS reitera su calificación; el precio objetivo del ADR se calcula utilizando el tipo de cambio más reciente
• Precio actual y rentabilidad previstaWon1,678,000; potencial alcista 78.8%; rentabilidad por dividendo 2.9%; rentabilidad total 81.7%Precio actual al 25 de agosto de 2026; el horizonte previsto es de 12 meses
• Rentabilidad de mercado y excedenteSupuesto de rentabilidad de mercado 9.2%; rentabilidad excedente prevista 72.5%El supuesto de rentabilidad de mercado es la tasa de interés del mercado local a un año más 5%
• Política de retorno al accionistaRecompra de acciones de Won40tn; retorno de más del 50% del flujo de caja libreEl 50% se considera el suelo de retorno para 2025—2027
• Cobertura de acuerdos a largo plazoMás del 50% del volumen de bits al cierre del añoEvaluación de UBS; los acuerdos se centran en la visibilidad de volúmenes y no establecen suelos ni techos de precios
• Oferta, demanda y precios de DRAMTasa de satisfacción de la demanda de alrededor de 60%—70%; ASP de 2T26 de US$1.47/GbEl ASP de Samsung fue US$1.55/Gb durante el mismo período; UBS espera que la brecha se reduzca en 2S26
• Horizonte de oferta y demanda de HBMDemanda muy fuerte en 2027; la escasez puede persistir hasta 2030 o más alláUBS considera que los ajustes de especificaciones no debilitarán la demanda total
• Gasto de capital de 2027Won61tn, un 30% más interanualUBS espera que el gasto de capital permanezca elevado posteriormente
• Parámetros de valoración4.32x P/BV a plazo de 12 meses; ROE a largo plazo 49.2%; coste de capital 11.4%Utilizado para derivar el precio objetivo a 12 meses
• Mezcla de negociosDRAM representó el 78% de las ventas de 2025; NAND representó el 21%La empresa es un fabricante especializado en semiconductores de memoria
• Posición en el sectorSegunda a nivel mundial por ingresos de DRAM y tercera por ingresos de NANDLa empresa tiene operaciones de producción en Corea del Sur y en Wuxi y Dalian, China
• Previsiones de ingresos12/23—12/30E: 32,766; 66,193; 97,147; 357,816; 588,667; 653,374; 554,525; 632,395 WonbCorrespondientes secuencialmente de 2023 a 2030
• Previsiones de EBIT12/23—12/30E: (7,730); 23,467; 47,206; 280,617; 483,488; 520,424; 401,284; 456,759 WonbPrevisiones de UBS, correspondientes secuencialmente de 2023 a 2030
• Previsiones de beneficio neto12/23—12/30E: (9,138); 19,797; 42,948; 276,672; 377,417; 406,411; 313,635; 357,000 WonbPrevisiones de UBS, correspondientes secuencialmente de 2023 a 2030
• Previsiones de BPA diluido12/23—12/30E: (12,552); 27,193; 58,994; 395,021; 598,302; 735,840; 651,661; 870,468 WonPrevisiones de UBS, correspondientes secuencialmente de 2023 a 2030
• Previsiones de dividendo neto por acción12/23—12/30E: 1,200; 2,205; 3,000; 48,125; 68,125; 87,125; 76,125; 89,125 WonCorrespondientes secuencialmente de 2023 a 2030
• Deuda neta o efectivo neto12/23—12/30E: (20,548); (8,527); 12,694; 131,109; 275,439; 462,160; 601,460; 766,043 WonbLas cifras negativas indican deuda neta; las cifras positivas indican efectivo neto
• BPA de UBS frente al consenso2026E: 395,021 frente a 353,128; 2027E: 598,302 frente a 463,642; 2028E: 735,840 frente a 493,869 WonLas previsiones de UBS están por encima de las estimaciones de consenso mostradas en la tabla para todos los períodos
• Puntuaciones cuantitativas de corto plazoEstructura del sector 5; entorno regulatorio 3; tendencia durante los últimos 3—6 meses 5; sorpresa de BPA frente al consenso 5; sesgo de riesgo frente a previsión de UBS 31 indica deterioro o condiciones negativas, 3 indica condiciones sin cambios o equilibradas, y 5 indica mejora o condiciones positivas
• Fecha del catalizador de corto plazoAlrededor del 18 de septiembre de 2026La fecha es aproximada y el catalizador se evalúa como positivo

Impacto e implicaciones

El informe considera que un suelo más claro para los retornos de flujo de caja libre mejora la visibilidad de los retornos para los accionistas, mientras que los acuerdos a largo plazo aumentan la certeza de los volúmenes de ventas sin limitar los precios. La insuficiente oferta de HBM y DRAM, una reducción de la brecha de ASP entre SK Hynix y su competidor, y previsiones de beneficios superiores al consenso respaldan conjuntamente las perspectivas de beneficios. Al mismo tiempo, el elevado gasto de capital y la lenta incorporación de nueva capacidad implican que la escasez podría persistir, pero también dejan a la empresa expuesta al ciclo de memoria intensivo en capital.

Riesgos

• Aunque el riesgo de un ciclo prolongado de DRAM ha disminuido, la memoria sigue siendo una materia prima y las correcciones cíclicas continuarán ocurriendo.
• El grado de consolidación del sector NAND es inferior al de DRAM y, por tanto, la disciplina de suministro y la estabilidad de beneficios podrían ser más débiles.
• Tanto DRAM como NAND son sensibles a la demanda y mezcla de productos de smartphones y tabletas y, en menor medida, al gasto en SSD empresariales y servidores.
• El sector es intensivo en capital y los precios por contrato se negocian cada dos semanas a tres meses. Los cambios de precios pueden afectar rápidamente al flujo de caja, lo que hace necesario contar con suficiente capital.
• A largo plazo, el sector podría necesitar adoptar nuevas tecnologías de memoria para complementar o incluso reemplazar las arquitecturas existentes de Flash y RAM basadas en silicio.

Aspectos que vigilar

• Supervisar más detalles sobre retornos de flujo de caja libre, recompras de acciones y acuerdos de ADR durante la conferencia de resultados del 3T26.
• Supervisar si los acuerdos a largo plazo cubren más del 50% del volumen de bits al cierre del año y el progreso en la inclusión de grandes OEM.
• Supervisar si la brecha de ASP de DRAM entre SK Hynix y Samsung se reduce según lo esperado en 2S26.
• Supervisar los datos mensuales de ventas finales de smartphones y la finalización de negociaciones de precios alrededor del 18 de septiembre de 2026.
• Supervisar los comentarios de la cadena de suministro de NT sobre la demanda de GPU y nueva información sobre retornos para los accionistas.
• Supervisar la instalación de equipos en Yongin 1 en febrero de 2027, el progreso de la segunda sala limpia y el plan de gasto de capital de Won61tn para 2027.