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Everbright Photonics（688048）：Everbright 扩充 EML 和 CW 激光器产能以满足 AI 光网络需求

在董事长交流后，高盛强调 Everbright Photonics 正积极扩充激光器产能并推进产品升级，以应对不断增强的 AI 数据中心光网络需求。该公司仍为未覆盖状态。

机构Goldman Sachs

日期20260907

公司Everbright Photonics

代码688048.SH

行业Optical networking and laser chips

评级Not Covered (NC)

摘要

Not Covered (NC)；未给出目标价

管理层预计，EML 和 CW 激光器月产能将在 3Q26 较 1H26 实现三位数增长，并在 4Q26 较 3Q26 再次实现三位数增长。
Everbright 已量产 100G EML，预计 200G EML 出货将在 2027E 爬坡，前提是客户向 1.6T 模块迁移。
公司表示，尽管 InP 相关设备供应偏紧，其前端设备已获保障；后端产能约三个月即可翻倍。
高盛认为，向高速、低功耗、高密度/高带宽和低延迟规格升级，正支撑光网络需求。

研报解读

概览

本次董事长交流纪要考察了 Everbright Photonics 在光网络、汽车应用和 AI 数据中心激光组件领域的布局。高盛称，管理层积极的需求展望及产能规划与其对行业的建设性观点一致，但 Everbright 本身尚未获覆盖。

核心观点

高盛于 9 月 7 日在中国 AI Tour 期间于苏州接待了 Everbright Photonics 董事长。管理层对光网络终端市场需求保持乐观，并表示持续的客户渗透与产能扩张将有助于公司把握增长机会。高盛称，这与其对光网络的积极看法一致：需求增长以及向更高速、更低功耗、更高密度和带宽、以及更低延迟的技术迁移，正在推动规格升级，并支持其所认为的健康竞争。 Everbright 是一家一体化器件制造商，生产基于 GaAs、GaN 和 InP 的高功率激光芯片。公司正从工业应用拓展至汽车和 AI 数据中心光网络。在汽车领域，GaAs VCSEL 用于 LiDAR，管理层认为智能驾驶的盲区 LiDAR 可能成为 2027E 的关键驱动因素。在光网络领域，公司产品涵盖 EML、CW 激光器和 VCSEL，产能扩张旨在支持 AI 数据中心趋势。管理层介绍了光网络产能的大幅爬坡：EML 和 CW 激光器合计月产能预计在 3Q26 较 1H26 实现三位数增长，随后在 4Q26 较 3Q26 再次实现三位数增长。Everbright 自产 InP 外延片。管理层指出，与后端工序相比，InP 相关前端设备供应更紧张，但表示前期准备已保障所需前端设备。其还称，后端产能扩张更容易且更快，约三个月即可实现产能翻倍。对于 2027E，管理层预计产能将更偏向 EML 而非 CW 激光器，涵盖 100G 和 200G EML，其中 100G 占多数。公司已量产 100G EML；200G EML 出货预计在 2027E 爬坡，取决于客户向 1.6T 光模块迁移的速度。CW 激光器目前主要为 70mW 和 100mW 产品，400mW 产品正在开发。另一方面，100G VCSEL 已开始出货，但其放量取决于客户的 CPO 爬坡，以及客户在短距离连接中对 VCSEL、Micro LED 等材料的选择。

分析框架

该纪要结合董事长交流中的管理层观点与行业供需判断，梳理 AI 数据中心需求和光模块规格升级如何带动激光组件需求，继而评估 Everbright 的产品路线图、制造瓶颈、产能扩张速度及客户采用方面的依赖因素。

方法论与常识提炼

行业/产业分析框架供需框架
将光网络需求与激光器产能及设备可得性相匹配。
报告将不断增长的 AI 数据中心和光网络需求与 Everbright 的 EML、CW 激光器扩产计划相联系，同时考量 InP 相关前端设备的约束。
行业/产业分析框架产业链上中下游传导
从 AI 数据中心和光模块技术迁移到激光组件需求的传导。
报告说明，客户向 1.6T 模块迁移及 CPO 采用，可能如何转化为对 200G EML 和 VCSEL 产品的出货需求。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

Everbright Photonics (688048.SH)
主要研究对象；一家面向工业、汽车及 AI 数据中心光网络需求的激光芯片供应商。
优势
自产 InP 外延片、前端设备已获保障、EML/CW 激光器/VCSEL 产品组合广泛，以及后端产能扩张速度快。
风险
200G EML 出货取决于客户向 1.6T 模块迁移；VCSEL 放量取决于 CPO 爬坡和材料选择。

关键数据

激光器月产能增长Triple digit in 3Q26 vs. 1H26; another triple digit in 4Q26 vs. 3Q26管理层对 EML 和 CW 激光器合计产能的预期。
后端产能扩张时间Around three months管理层表示，该时长可使后端产能翻倍。
EML 产品进展100G mass produced; 200G shipment ramp in 2027E200G 爬坡取决于客户向 1.6T 光模块迁移的速度。
CW 激光器产品70mW and 100mW currently; 400mW under development管理层所述的 CW 激光器产品进展。
VCSEL 产品进展100G already in shipment放量取决于客户的 CPO 爬坡及其对短距离连接材料的选择。

影响与含义

报告认为，Everbright 的产品广度和快速扩产能力，可能有助于其参与不断增长的 AI 数据中心光网络需求。其将这一机会转化为更高销量的 200G EML 和 VCSEL 出货，仍取决于客户技术迁移和采用。

风险

计划中的 200G EML 出货爬坡取决于客户向 1.6T 光模块迁移的速度。
VCSEL 放量取决于客户的 CPO 爬坡及其对短距离连接材料的选择。
InP 相关前端设备供应仍偏紧，尽管管理层称公司自身设备需求已获保障。

后续跟踪

公司能否实现其在 3Q26 和 4Q26 的三位数环比产能增长目标。
客户向 1.6T 光模块迁移的速度及由此产生的 200G EML 需求。
客户 CPO 采用情况及影响 100G VCSEL 出货量的材料选择。