SICC (688234) — Interpretação do relatório

Visão geral

Este relatório de destaques da conferência analisa a perspectiva da administração da SICC para substratos de carbeto de silício. O Goldman Sachs continua construtivo quanto aos fatores de crescimento operacional da empresa, mas mantém Neutral porque considera o valuation justo.

Visões principais

O Goldman Sachs recebeu a administração da SICC em sua Asia Leaders Conference em Hong Kong, de 31 de agosto a 2 de setembro de 2026. A administração permaneceu positiva quanto ao crescimento dos lucros, citando a adoção contínua de materiais de carbeto de silício (SiC) em veículos elétricos e data centers de IA (AIDC), juntamente com uma migração para substratos de SiC de 8 e 12 polegadas. O relatório espera que essa melhoria no mix de produtos eleve os preços médios de venda combinados e as margens brutas, pois wafers maiores têm margens mais altas. A oportunidade em EVs baseia-se na crescente adoção de SiC em uma gama mais ampla de modelos de veículos, incluindo modelos mais acessíveis, nos quais o SiC é associado à capacidade de carregamento rápido. A administração também identificou o maior uso de semicondutores de potência de SiC em data centers de IA como uma oportunidade adicional de crescimento, juntamente com potenciais aplicações em óculos de IA. Espera-se que o crescimento da receita venha principalmente do aumento dos embarques de substratos de SiC, e não de aumentos de preços, apoiando maior penetração em mercados finais diversificados. O Goldman Sachs projeta que o lucro líquido da SICC cresça a um CAGR de 87% em 2026-28E. Seu raciocínio baseia-se em quatro fatores interligados: maior adoção de SiC nos mercados finais; migração para wafers de 8 e 12 polegadas; expansão de participação de mercado sustentada por P&D e expansão contínua de capacidade; e melhora da margem bruta por um mix de produtos melhor e rendimentos mais altos. A tabela de projeções mostra a receita subindo de Rmb1,464.9 million em 2025 para Rmb2,851.1 million em 2026E, Rmb4,088.3 million em 2027E e Rmb5,683.6 million em 2028E; o EBITDA deve aumentar de Rmb147.5 million para Rmb880.0 million, Rmb1,476.3 million e Rmb2,368.4 million, respectivamente. O EPS é projetado para passar de uma perda de Rmb0.43 em 2025 para Rmb0.99, Rmb2.01 e Rmb3.49 em 2026E-28E. Apesar da perspectiva operacional, o Goldman Sachs mantém Neutral com base em valuation justo. Seu preço-alvo de 12 meses de Rmb104 é baseado em 32.2x o P/E de 2029E, derivado da relação média dos pares entre P/E negociado e fundamentos futuros, especificamente o crescimento ano a ano do EPS e a margem de lucro operacional. O relatório lista riscos relacionados ao ritmo da expansão de substratos de 12 polegadas, às quedas de preços de substratos de SiC de 6 e 8 polegadas e ao ritmo de melhora da margem bruta.

Estrutura de análise

O Goldman Sachs combina os comentários da administração na conferência com projeções de embarques, mix de produtos, margens e lucros. A instituição avalia a SICC por meio de um framework de P/E futuro derivado de pares, que relaciona múltiplos de valuation ao crescimento esperado de EPS e aos fundamentos de margem de lucro operacional.

Notas metodológicas

• Métodos de avaliaçãoAvaliação por P/L e PEG

  Valuation por P/E futuro baseado em múltiplos negociados de pares e em crescimento futuro de EPS e margem de lucro operacional.

  O relatório aplica um múltiplo de 32.2x P/E de 2029E para chegar ao seu preço-alvo de Rmb104, calibrando o múltiplo em relação ao valuation dos pares em comparação com fundamentos futuros de crescimento e margem.

• Marco de análise setorialDecomposição de volume e preço

  Separação entre o crescimento do volume de embarques e os preços como motores de receita.

  A administração espera que o crescimento da receita venha principalmente de maiores embarques de substratos de SiC, e não de aumentos de preços, enquanto o mix de wafers maiores deve apoiar preços e margens.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• SICC (688234.SS)

  Empresa primária coberta; espera-se que se beneficie da adoção de SiC em EVs e data centers de IA e da transição para substratos maiores.

  Pontos fortes

  P&D forte, expansão contínua de capacidade, mercados finais em expansão e mix de produtos de 8 e 12 polegadas com margens mais elevadas.

  Pontos fracos

  O relatório mantém Neutral devido ao valuation justo, apesar da perspectiva de crescimento dos lucros.

  Comparação

  O múltiplo-alvo de P/E é derivado da relação média dos pares entre P/E negociado e crescimento futuro de EPS e margem de lucro operacional.

  Riscos

  Execução da expansão de 12 polegadas, pressão de preços de substratos e melhora mais lenta que o esperado da margem bruta.

Dados principais

• Preço-alvo de 12 mesesRmb104.00Baseado em 32.2x o P/E de 2029E.
• Preço atualRmb101.20Preço de fechamento em 2 de setembro de 2026.
• Potencial de alta implícito2.8%Preço-alvo versus preço atual.
• Crescimento do lucro líquido+87% CAGR in 2026-28EExpectativa do Goldman Sachs.
• Projeção de receitaRmb2,851.1mn / Rmb4,088.3mn / Rmb5,683.6mn2026E / 2027E / 2028E, versus Rmb1,464.9mn em 2025.
• Projeção de EBITDARmb880.0mn / Rmb1,476.3mn / Rmb2,368.4mn2026E / 2027E / 2028E, versus Rmb147.5mn em 2025.
• Projeção de EPSRmb0.99 / Rmb2.01 / Rmb3.492026E / 2027E / 2028E, versus Rmb0.43 negativo em 2025.

Impacto e implicações

O relatório argumenta que a expansão das aplicações de SiC e a transição para wafers maiores podem impulsionar os embarques, melhorar o mix de produtos e expandir as margens. No entanto, o Goldman Sachs considera essas tendências operacionais favoráveis refletidas em seu framework de valuation e, portanto, mantém Neutral.

Riscos

• A expansão de substratos de SiC de 12 polegadas pode ser mais lenta que o esperado.
• As quedas de preços de substratos de SiC de 6 e 8 polegadas podem ser maiores que o esperado.
• A melhora da margem bruta pode ser mais lenta que o esperado.

Pontos a observar

• O ritmo de adoção de SiC em EVs, incluindo a penetração em modelos de veículos de menor preço.
• O crescimento da demanda por semicondutores de potência de SiC em data centers de IA.
• O crescimento dos embarques, a mudança de mix para wafers de 8 e 12 polegadas e a melhora de margem impulsionada por rendimentos.