MICRON TECHNOLOGY INC (MU.O): Escassez de DRAM e HBM acima das expectativas compensa o ruído em NAND, e a rentabilidade da Micron pode passar por uma reprecificação estrutural

Visão geral

O UBS ajustou seu modelo da Micron após suas mais recentes verificações na cadeia de suprimentos: as previsões de curto prazo foram modestamente reduzidas porque a faixa de resultados de preços de NAND entre o fim do ano e C1H27 se ampliou; enquanto isso, a força de oferta-demanda e de preços de HBM4, HBM4E e DDR está melhor do que o esperado anteriormente. O UBS acredita que a durabilidade dos lucros e do fluxo de caixa da Micron está melhorando, apoiada por memória de alta largura de banda, DRAM principal e acordos de longo prazo, e que a empresa pode deixar de ser avaliada como uma ação cíclica tradicional de memória para receber múltiplos de avaliação mais amplos de empresas de semicondutores.

Visões principais

Há três visões principais: primeiro, a oferta de HBM permanece restrita, e as mudanças nas especificações dos produtos não enfraqueceram a demanda total, mas, em vez disso, elevaram ainda mais a previsão de consumo de HBM em C2027; segundo, as premissas de preços de DDR continuam fortes e, mesmo considerando o crescimento da oferta da CXMT, o setor pode permanecer em escassez pelo menos até C2Q28; terceiro, os aumentos de preços de NAND no curto prazo são menores do que o esperado anteriormente, mas a demanda por SSDs de servidores e armazenamento, juntamente com alguma nova capacidade migrando para DRAM, pode prolongar o ciclo de preços de NAND. De modo geral, a revisão para baixo de NAND não é suficiente para alterar a visão de que a estrutura de lucros da Micron no médio e longo prazo está se elevando estruturalmente.

Estrutura de análise

O relatório avalia a rentabilidade da Micron de C2026 a C2029 combinando verificações da cadeia de suprimentos, modelos de oferta e demanda de HBM e DDR, cálculos de especificações de produtos e consumo de bits, premissas de preços fixos e variáveis sob acordos de longo prazo, previsões de receita e lucro por segmento e comparações com expectativas de consenso. A avaliação utiliza aproximadamente 11x P/L dos próximos doze meses aplicado ao EPS C2029E descontado.

Notas metodológicas

• Pesquisa fundamentalistaAnálise de oferta e demanda de chips de memória

  Avaliar os ciclos de DRAM, HBM e NAND por meio da demanda de bits, oferta de capacidade, estoques e preços contratuais.

  O UBS ajusta as premissas de preço e demanda de bits com base em suas mais recentes verificações da cadeia de suprimentos e incorpora explicitamente possíveis mudanças de capacidade na CXMT e na YMTC.

• Previsão de lucrosModelo por segmento

  Prever embarques, preços médios de venda, custos, receita e lucro bruto separadamente para HBM, DRAM não-HBM, NAND e outros negócios.

  O modelo mapeia mudanças em preços e embarques para receita, margens, EPS e fluxo de caixa livre, a fim de identificar a contribuição de cada negócio para as revisões de lucros.

• AvaliaçãoAvaliação por P/L dos próximos doze meses

  Avaliar a rentabilidade ao longo do ciclo em aproximadamente 11x P/L dos próximos doze meses.

  O UBS aplica um múltiplo de P/L de aproximadamente 11x a cerca de US$165 de EPS C2029E e o desconta para C2028 a um custo de capital próprio de aproximadamente 12% para chegar a um preço-alvo de US$1.625.

• Análise de lacuna de expectativasComparação das previsões do UBS com as expectativas de consenso

  Comparar diferenças em receita, EPS, margens e métricas de negócio versus as expectativas de consenso.

  As previsões de EPS da Micron para múltiplos anos estão acima das expectativas de consenso, o que é uma base importante para manter uma recomendação positiva.

Mapeamento e comparação de ativos

Mapeamento estruturado da tese para ativos nomeados (pontos fortes, pontos fracos, pares e riscos).

• MICRON TECHNOLOGY INC (MU.O)

  Ação central coberta e beneficiária direta do ciclo de alta de DRAM, HBM e NAND.

  Pontos fortes

  Oferta restrita de HBM e preços em alta, escassez contínua de DDR, suporte ao piso dos lucros por acordos de longo prazo e fluxo de caixa livre acumulado projetado de mais de US$450B até C2028.

  Pontos fracos

  Os aumentos de preços de NAND no curto prazo são menores do que o esperado anteriormente, e a demanda final por smartphones e PCs permanece fraca.

  Comparação

  As previsões de EPS do UBS para C2026E a C2028E estão, em geral, acima das expectativas de consenso, e o UBS acredita que a durabilidade dos lucros da Micron pode sustentar uma avaliação mais próxima à do setor de semicondutores em geral.

  Riscos

  Reversão no ciclo de preços de memória, deterioração da demanda macroeconômica, expansão de capacidade dos concorrentes, atrasos na migração de processos, mudanças nas especificações dos clientes de HBM e compressão dos múltiplos de avaliação.

Dados principais

• Preço-alvo de 12 mesesUS$1.625Mantido inalterado, com base em aproximadamente 11x P/L dos próximos doze meses.
• Preço de referência da açãoUS$877,57Em 7 de agosto de 2026, implicando potencial de valorização de aproximadamente 85,2%.
• Previsões de EPS da MicronC2026E US$74,13; C2027E US$184,89; C2028E US$265,65Os anos de curto prazo foram ajustados ligeiramente, mas, em geral, permanecem materialmente acima das expectativas de consenso.
• Fluxo de caixa livre acumuladoMais de US$450B até C2028Utilizado para apoiar a avaliação da durabilidade dos lucros e da reprecificação da avaliação.
• Consumo de HBM do setor em C202761,5B GbA previsão anterior era de 58,7B Gb; o consumo total aumenta após o ajuste de especificação do VR300.
• Crescimento do ASP combinado de HBM do setor em C2027aproximadamente +79% YoYA previsão anterior era de aproximadamente +67%; a precificação de HBM4E poderia superar US$30/GB.
• Crescimento do ASP de HBM da Micron em C2027aproximadamente +72% YoYA previsão anterior era de aproximadamente +61%; os embarques de bits de HBM da Micron em C2027 são aproximadamente 11,65B Gb.
• Preços contratuais de DDR em C3Q26aproximadamente +20% QoQEspera-se que o ASP de DDR da Micron suba 20% QoQ em C3Q26 e mais 11% em C4Q26.
• Ponto de inflexão de oferta e demanda de DRAMescassez pelo menos até C2Q28A previsão incorporou a participação da CXMT na oferta de bits subindo de aproximadamente 7% em C2025 para aproximadamente 9% em C2027.
• Preços contratuais de NAND em C3Q26setor aproximadamente +20% QoQ; Micron aproximadamente +23% QoQAbaixo das previsões anteriores de aproximadamente +28% e aproximadamente +35%, respectivamente.
• Crescimento da demanda de bits de NANDaproximadamente +23% em C2026; aproximadamente +26% em C2027A demanda por SSDs de servidores e armazenamento compensa a fraca demanda de smartphones e PCs.

Impacto e implicações

Para a Micron, as revisões para cima nos preços e na oferta-demanda de HBM e DDR mais do que compensam o impacto negativo da revisão para baixo de NAND no curto prazo, melhorando a visibilidade de receita, margens e fluxo de caixa nos próximos anos. Se os acordos de longo prazo puderem sustentar o piso dos lucros em uma desaceleração, o mercado poderá reduzir o desconto aplicado à volatilidade tradicional do ciclo de memória e atribuir um múltiplo de avaliação mais próximo ao de empresas de semicondutores em geral; inversamente, se os preços de NAND forem mais fracos do que o esperado ou a nova oferta de DRAM for liberada rapidamente, o espaço para reprecificação dos lucros e da avaliação diminuirá.

Riscos

• O setor de memória é altamente cíclico; se os ASPs de DRAM ou NAND caírem mais rapidamente do que o esperado, a receita e as margens serão significativamente afetadas.
• Uma desaceleração econômica global poderia enfraquecer a demanda dos mercados finais de servidores, PCs, smartphones, automotivo e industrial.
• Se a expansão de capacidade por fabricantes como a CXMT for mais rápida do que o esperado, poderá encurtar o ciclo de suboferta de DRAM.
• A faixa de resultados de preços de NAND entre o fim do ano e C1H27 é ampla, e os aumentos reais de preços podem continuar abaixo das expectativas.
• As migrações de processos de DRAM e NAND são complexas, e rendimentos ou progresso tecnológico abaixo das expectativas podem restringir a oferta, aumentar custos ou afetar a participação de mercado.
• As premissas de demanda e preços de HBM dependem das implementações de servidores de IA, do cronograma de produtos dos clientes e das especificações da plataforma NVDA; mudanças relacionadas podem causar desvios nas previsões.
• Se o mercado não reconhecer a melhora estrutural dos lucros, a estrutura de avaliação de aproximadamente 11x P/L dos próximos doze meses poderá sofrer compressão.

Pontos a observar

• Os preços contratuais efetivos de DDR e NAND em C3Q26 e C4Q26 e a execução dos acordos de longo prazo.
• Oferta, rendimentos e preços de HBM4 e HBM4E, especialmente se HBM4E pode atingir mais de US$30/GB.
• As configurações de 384GB HBM4 e 512GB HBM4E das diferentes versões do NVDA VR300 e seus cronogramas de produção em massa.
• Se o consumo total de HBM em C2027 pode alcançar 61,5B Gb e se a premissa de embarques da Micron de aproximadamente 11,65B Gb será realizada.
• Instalação de capacidade da CXMT, rendimentos, defasagem tecnológica e mudanças na participação na oferta de bits de DRAM.
• A alocação efetiva da nova capacidade da YMTC entre DRAM e NAND e se a precificação de NAND pode continuar até atingir o pico em C4Q27.
• Se a demanda por SSDs de servidores e armazenamento pode continuar compensando a fraca demanda de smartphones e PCs.
• Em que medida o fluxo de caixa livre, a margem bruta e o EPS da Micron superam ou ficam abaixo das previsões do UBS e das expectativas de consenso.