Hybrid bonding in advanced packaging for logic and HBM memory — Interpretación del informe
Bernstein espera que los diseños HBM de 8-hi y las restricciones de oferta retrasen la adopción generalizada de hybrid bonding para HBM más allá de 2027. Las aplicaciones lógicas, los beneficios estructurales de mayores alturas de apilamiento HBM y la sólida demanda de DRAM sustentan su visión constructiva sobre Besi, DISCO, Samsung, SK hynix y Micron.
Resumen
Bernstein espera que los diseños HBM de 8-hi y las restricciones de oferta retrasen la adopción generalizada de hybrid bonding para HBM más allá de 2027. Las aplicaciones lógicas, los beneficios estructurales de mayores alturas de apilamiento HBM y la sólida demanda de DRAM sustentan su visión constructiva sobre Besi, DISCO, Samsung, SK hynix y Micron.
- Es improbable una adopción generalizada de hybrid bonding en HBM durante 2027; Bernstein espera una adopción significativa con HBM5 en 2028.
- La firma prevé un TAM total de hybrid bonder de cerca de $1.4bn en 2028, con $887mn procedentes de lógica y $489mn de HBM.
- La demanda de lógica es el principal compensador: Bernstein prevé 237 envíos de hybrid bonder para lógica en 2028, frente a 103 anteriormente.
- Besi y DISCO tienen Outperform; Samsung, SK hynix y Micron también tienen Outperform, mientras KIOXIA tiene Underperform.
Interpretación del informe
Visión general
El informe reevalúa el calendario de adopción de hybrid bonding en HBM tras el giro hacia menores alturas de apilamiento HBM. Bernstein sostiene que el retraso de corto plazo es temporal: las aplicaciones lógicas y los futuros requisitos de HBM con más capas deberían seguir impulsando una demanda considerable de hybrid bonder para 2028.
Perspectivas principales
Bernstein sostiene que la adopción generalizada de hybrid bonding en HBM es ahora improbable durante 2027. La industria se ha orientado a configuraciones de 8-hi en lugar de 12-hi al menos para HBM4, y probablemente también para HBM4E, lo que aleja los diseños de 16-hi y la necesidad asociada de hybrid bonding. El informe lo atribuye a restricciones de oferta de memoria que obligan a los clientes a repartir memoria entre más XPU, dificultades de algunos proveedores para entregar productos de 12-hi y el alto coste de la memoria. Por ello mantiene su visión anterior de que la adopción generalizada es más probable con HBM5 en 2028. El retraso no cambia la tesis tecnológica de largo plazo. El empaquetado HBM está limitado por el máximo actual de JEDEC de 775μm para la altura total del paquete: añadir capas obliga a reducir el grosor de cada dado DRAM y aumenta los riesgos de rendimiento por deformación y calor. Hybrid bonding elimina los microbumps y el underfill, permitiendo que los dados centrales sean 24% más gruesos; puede reducir el paso TSV/pad a menos de 18µm frente a 20–30µm para MR-MUF, elevando la densidad de interconexión y el ancho de banda; y su interfaz de cobre a cobre/óxido mejora la transferencia térmica, con una resistencia térmica aproximadamente 35% menor a 20 apilamientos. Incluso si JEDEC relaja el límite de altura a unos 900μm, Bernstein considera que ello prolongaría el uso de la tecnología convencional, pero no eliminaría la necesidad final de migrar a hybrid bonding. La hoja de ruta de SK hynix apunta a una adopción parcial desde 16-hi y total desde 20-hi. La lógica sigue siendo el principal motor de crecimiento cercano. Bernstein espera que hybrid bonding se extienda en integración de chiplets, diseños XPU a memoria y óptica coempaquetada, porque ofrece interconexiones más densas y de menor consumo. Prevé un TAM de hybrid bonding lógico de $887mn y 237 envíos en 2028, frente a 103 en su estimación previa, reflejando una adopción más fuerte esperada en TSMC para empaquetado SoIC. La firma modela que la base instalada global de hybrid bonder para lógica crezca 4.5x, desde 137 unidades en 2025 hasta 582 en 2028. TSMC podría pasar de unas 65 unidades a unas 440 y aumentar su capacidad SoIC desde 10kwpm al cierre de 2025 hasta 80kwpm en 2028; para Intel, la previsión es pasar de unas 30 a unas 65 unidades en 2028, con ampliaciones de capacidad retomándose desde 2027. La adopción de hybrid bonding en HBM se modela como más gradual. Las soluciones TCB actuales siguen siendo eficaces, HBM4E probablemente se mantendrá mayoritariamente en 8/12-hi y Samsung y SK hynix están desarrollando formas alternativas de disipar calor. Aun así, Bernstein espera que Samsung lidere la adopción, seguida de SK hynix y Micron, comenzando en 2028 para HBM5 de 16-hi, mientras TCB seguiría siendo la tecnología predominante hasta entonces. Su previsión para HBM asume una penetración combinada de hybrid bonding de 15% sobre 1,202kwpm de capacidad HBM, lo que implica $489mn de ingresos de hybrid bonding y $1.8bn de ingresos totales de bonding HBM incluyendo TCB. HBM representa 36% del TAM total estimado de hybrid bonder de $1.4bn en 2028. Para Besi, Bernstein estima cerca de $1.1bn de ingresos de hybrid bonding en 2028, con unas 281 unidades y un ASP de $3.75mn por unidad, asumiendo una cuota de mercado de 76%: 80% en lógica y 70% en HBM. La firma considera que el aplazamiento de HBM no es permanente, ya que Besi sigue beneficiándose de hybrid bonding lógico y del empaquetado convencional. Para DISCO, sostiene que el fuerte consumo total de obleas DRAM debería sostener la demanda de corte y rectificado, con independencia de que la memoria se destine a HBM o a empaquetado convencional; el bonding NAND de oblea a oblea, BSPDN y el potencial al alza de silicon photonics son otros impulsores. En acciones de memoria, Bernstein espera que la oferta siga escasa en 2027 y que los márgenes al salir de 2028 continúen muy saludables aun si la memoria se normaliza en 2028. Esto respalda Outperform para Samsung, SK hynix y Micron; mantiene Underperform para KIOXIA por la amenaza de largo plazo de China.
Marco de análisis
Bernstein parte de la hoja de ruta revisada de alturas de apilamiento HBM y de las limitaciones tecnológicas de hybrid bonding, y después separa la demanda entre aplicaciones lógicas y HBM. A continuación prevé capacidad instalada, envíos de equipos, tamaño de mercado, cuota de mercado por proveedor, precio unitario e ingresos de las compañías, antes de vincular los resultados con calificaciones y precios objetivo.
Notas metodológicas
Restricciones de oferta de memoria, configuraciones de apilamiento HBM y ampliaciones de capacidad
El informe vincula la actual escasez de memoria y la elección de alturas de apilamiento menores con el retraso de la adopción de hybrid bonding en HBM, y modela la adopción conforme evolucionan la oferta y las necesidades de apilamiento.
Transmisión de la adopción de empaquetado avanzado a la demanda de equipos
Bernstein sigue la demanda desde las hojas de ruta de empaquetado de chiplets y HBM, pasando por las necesidades de capacidad de fundiciones y memoria, hasta los equipos de hybrid bonder, corte y rectificado.
Valoración mediante múltiplo de EPS futuro
Los precios objetivo se derivan aplicando múltiplos P/E indicados a estimaciones de EPS futuro, generalmente para los periodos futuros Q5–Q8.
Correspondencia y comparación de activos
Correspondencia estructurada entre la tesis y activos concretos (fortalezas, debilidades, pares y riesgos).
- BesiBeneficiario de equipos de hybrid bonding pese al retraso de adopción en HBM
- Fortalezas
- Hybrid bonding lógico y empaquetado convencional siguen siendo impulsores de demanda; Bernstein modela cerca de $1.1bn de ingresos HB en 2028.
- Debilidades
- La adopción de hybrid bonding HBM a corto plazo se retrasa.
- Comparación
- La estimación de envíos de Bernstein para 2028 está entre los casos medio y alto de Besi.
- Riesgos
- Adopción retrasada, recuperación prolongada del mercado principal de ensamblaje, pérdida de cuota en hybrid bonding o poca adopción de la oferta TCB de Besi.
- DISCOBeneficiario de equipos de procesamiento de obleas DRAM
- Fortalezas
- El fuerte consumo de obleas DRAM sostiene la demanda de corte y rectificado; el bonding NAND W2W, BSPDN y silicon photonics son impulsores adicionales.
- Riesgos
- Exceso de capacidad de producción de GPU y HBM relacionados con AI, competencia y movimientos desfavorables de divisas.
- Samsung ElectronicsPosible adoptante temprano de hybrid bonding HBM
- Fortalezas
- Bernstein espera que Samsung lidere la adopción de hybrid bonding HBM, posiblemente desde HBM5 de 16-hi en 2028.
- Debilidades
- Se espera que HBM4E se mantenga en gran parte en TCB convencional de 8/12-hi.
- Comparación
- Se espera que lidere la adopción por delante de SK hynix y Micron.
- Riesgos
- Fin más temprano del entorno favorable de precios de memoria, menor demanda o mayor oferta, sentimiento de valoración y avances de China en memoria.
- SK Hynix IncProveedor de HBM y posible adoptante de hybrid bonding en 2028
- Fortalezas
- Su hoja de ruta de empaquetado destaca los beneficios de capacidad, rendimiento y térmicos de hybrid bonding.
- Debilidades
- Se espera que TCB siga siendo la tecnología principal hasta 2028.
- Comparación
- Se espera que siga a Samsung en la adopción de hybrid bonding HBM.
- Riesgos
- Fin más temprano del entorno favorable de precios de memoria, menor demanda o mayor oferta, sentimiento de valoración y avances de China en memoria.
- Micron Technology IncProveedor de memoria y posible adoptante de hybrid bonding en 2028
- Fortalezas
- Bernstein espera adopción para HBM5 en 2028 y mantiene la calificación Outperform.
- Debilidades
- TCB sigue siendo la tecnología predominante hasta 2028.
- Comparación
- Se espera que siga a Samsung en la adopción de hybrid bonding HBM.
- Riesgos
- Fin más temprano del entorno favorable de precios de memoria, menor demanda o mayor oferta, sentimiento de valoración y avances de China en memoria.
- KIOXIA Holdings CorpProveedor de memoria NAND
- Fortalezas
- Una demanda NAND más fuerte, subsidios japoneses a capex y reducción de costes son posibles factores alcistas.
- Debilidades
- Bernstein mantiene Underperform por la amenaza de largo plazo de China.
- Riesgos
- Avances de China en memoria, especialmente NAND; y un final del entorno favorable de precios por menor demanda o mayor oferta.
Datos clave
- TAM de hybrid bonder en 2028c. $1.4bnPrevisión combinada del mercado de equipos de hybrid bonding para lógica y HBM.
- TAM de hybrid bonding lógico en 2028$887mnPrevisión de crecimiento de ocho veces frente a 2025.
- TAM de hybrid bonding HBM en 2028$489mnBasado en una penetración combinada de 15% sobre 1,202kwpm de capacidad HBM.
- Envíos de hybrid bonder en 2028367 units24% por encima del caso medio de Besi y 8% por debajo de su caso alto.
- Base instalada de lógica582 units in 2028 versus 137 in 2025Previsión de Bernstein para la base instalada global de hybrid bonder lógico.
- Ingresos de hybrid bonding de Besi en 2028c. $1.1bnAsume una cuota de mercado global de 76%, unas 281 unidades y un ASP de $3.75mn.
- Resistencia térmica HBM~35% lower at 20 stacksVentaja de hybrid bonding frente al enfoque actual de soldadura/underfill indicada en el informe.
Impacto e implicaciones
El informe considera los hallazgos como un reajuste de calendario, no como una ruptura estructural de la demanda de hybrid bonding. La adopción en lógica aporta la mayor parte de la base de demanda de 2027, mientras mayores recuentos de capas HBM y requisitos de I/O respaldan una migración posterior; ello sustenta la visión constructiva de Bernstein sobre Besi, DISCO y proveedores de memoria seleccionados.
Riesgos
- Para Besi, hybrid bonding podría adoptarse menos de lo esperado o con retraso, la recuperación del mercado principal de ensamblaje podría prolongarse, o la empresa podría perder cuota o tener una aceptación limitada de TCB.
- Para DISCO, el exceso de capacidad de GPU y HBM vinculados a AI podría perjudicar beneficios y valoración; la competencia y los movimientos de divisas son riesgos adicionales.
- Para los proveedores de memoria, una menor demanda o mayor oferta podría terminar antes de lo previsto con el entorno favorable de precios; el sentimiento de los inversores y los avances de China en memoria, especialmente NAND, también son riesgos.
- KIOXIA también afronta riesgo de menor demanda NAND, aunque el informe señala una demanda NAND más fuerte, subsidios japoneses a capex y reducción de costes como factores alcistas.
Aspectos que vigilar
- Si HBM4 y HBM4E siguen concentrados en diseños de 8-hi/12-hi o pasan a apilamientos de 16-hi.
- El calendario de una posible relajación de JEDEC de las especificaciones de altura de paquete HBM desde 775μm hasta cerca de 900μm.
- La expansión de capacidad SoIC y de hybrid bonding de TSMC, incluida la adopción por AMD, Apple, Google TPU, Groq y Nvidia.
- El momento de adopción de hybrid bonding para HBM5 en 2028 por Samsung, SK hynix y Micron.
- La tensión de oferta de memoria en 2027, la demanda de AI en 2028 y la trayectoria resultante de márgenes y precios de memoria.