存储价格预测全面上调，重申三星与SK海力士买入

概览

本报告为高盛发布的韩国科技行业存储价格月度追踪报告。核心内容在于更新并对比了第三方调研机构TrendForce对2026年第二季度（2Q26）DRAM和NAND闪存价格的最新预测与高盛内部预期（GSe）。数据显示，TrendForce全面上调了各类存储产品的价格涨幅预测，且多数品类预测值高于高盛内部模型。基于此强劲的定价趋势，高盛重申对三星电子（Samsung Electronics）和SK海力士（SK Hynix）的“买入”评级。

核心观点

DRAM市场方面，各细分领域价格预测均呈现上修态势。PC DRAM方面，TrendForce将2Q26价格环比涨幅预测从+40-45%上调至+43-48%，略高于高盛预期的+40-43%。4月数据显示，DDR4 8GB和DDR5 8GB价格分别环比上涨40%和45%，导致DDR5相对DDR4的溢价收窄4个百分点至8%。 服务器DRAM方面，2Q26价格环比涨幅预测从+43-48%上调至+45-50%，同样高于高盛预期的+43-45%。4月DDR4 64GB模组价格环比大涨53%至1,127美元，DDR5 64GB模组环比涨44%至1,223美元，使得DDR5相对DDR4的溢价从3月的15%降至9%。TrendForce指出这些估计存在上行风险。 移动DRAM表现最为强劲，尽管1Q26 LPDDR5X价格已环比上涨58-63%，但TrendForce预计2Q26价格涨幅将加速至环比+93-98%，显著高于高盛预期。这主要源于供应商试图缩小移动DRAM与其他DRAM产品的价差，以及主要移动客户为确保产能而愿意支付更高价格。 NAND闪存方面，2Q26 eMMC/UFS 256GB合约价格环比上涨约80%，远高于高盛对整体NAND价格+45-55%的预期。现货市场方面，DDR5 16Gb现货较最新合约价有10%溢价，而DDR4 8Gb现货溢价高达64%，显示现货市场紧张程度远超合约市场。

分析框架

本报告采用典型的“高频数据追踪+预期差比较”分析方法。首先，引用第三方权威机构TrendForce的最新月度价格预测数据作为行业景气度的客观代理变量；其次，将这些外部预测与高盛内部分析师模型（GSe）进行逐项对比，识别出“预期差”（即外部预测高于内部预期的部分），以此验证行业基本面是否比机构原本判断的更为强劲；最后，结合估值模型（PB、EV/EBITDA等）维持或调整对覆盖标的的投资评级。这种通过高频价格数据修正中期盈利预期的逻辑，是周期股研究中的核心范式。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架量价拆分

  存储芯片行业分析中，将收入驱动因素拆分为“出货量（量）”和“平均售价（价）”，在产能相对刚性的短期窗口内，价格波动往往主导业绩弹性。

  研报重点追踪DRAM和NAND的合约价与现货价变化，因为对于重资产的存储厂商而言，价格上涨直接转化为利润率的扩张，是判断周期拐点最敏感的指标。

• 事件博弈与行为金融预期差/预期管理

  通过对比第三方机构（TrendForce）预测与卖方内部预测（GSe）的差异，寻找市场共识与机构观点之间的偏差。

  当外部独立数据源的预测持续高于卖方内部模型时，通常意味着行业景气度可能超出了机构的保守估计，这构成了维持或上调评级的有力证据，即“正向预期差”。

• 估值方法PB 估值

  针对强周期性行业（如半导体存储），在盈利波动剧烈时，使用市净率（P/B）而非市盈率（P/E）作为主要估值锚。

  研报对SK海力士采用2.9倍目标P/B进行估值，这是因为在周期底部或盈利剧变期，净资产价值比当期盈利更能反映公司的长期重置成本和清算价值。

• 估值方法EV/EBITDA 估值

  企业价值倍数法，剔除资本结构和折旧摊销影响，适合重资产、高折旧的制造业巨头。

  研报对三星电子采用SOTP（分部加总）法，其中核心半导体业务使用EV/EBITDA估值，以更纯粹地反映其经营性现金流创造能力，避免巨额折旧对净利润的扭曲。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• SK海力士 (000660.KS)

  受益标的，作为全球领先的DRAM供应商，直接受益于DRAM价格全面上涨，尤其是HBM和高带宽内存领域的优势。

  优势

  HBM业务进展顺利，技术迁移能力强，DRAM价格弹性大。

  对比

  相比三星，SK海力士在DRAM领域的纯度更高，业绩对DRAM价格波动更敏感。

  风险

  内存供需恶化，技术迁移延迟，AI相关资本支出降低影响HBM需求。

• 三星电子 (005930.KS)

  受益标的，全球存储龙头，涵盖DRAM和NAND全产品线，受益于两大品类价格双升。

  优势

  全产业链布局，NAND市场份额领先，移动OLED和代工业务提供多元化支撑。

  劣势

  业务庞杂，存储价格波动对整体利润的弹性略低于纯存储厂商。

  对比

  估值相对稳健，SOTP估值法下半导体业务价值重估空间大。

  风险

  内存供需恶化，智能手机利润率大幅收缩，移动OLED市场份额流失。

关键数据

• PC DRAM 2Q26价格预测+43-48% qoqTrendForce上调预测，高于高盛预期的+40-43%
• 服务器DRAM 2Q26价格预测+45-50% qoqTrendForce上调预测，高于高盛预期的+43-45%
• 移动DRAM 2Q26价格预测+93-98% qoq大幅加速，显著高于高盛预期
• NAND (eMMC/UFS) 2Q26价格预测+80% qoq高于高盛整体NAND预期的+45-55%
• DDR5 vs DDR4 溢价 (4月)8-9%较3月的15%明显收窄，但绝对价格仍在上涨
• SK海力士目标价1,800,000 韩元基于2026/27年平均P/B 2.9倍
• 三星电子普通股目标价320,000 韩元基于SOTP及EV/EBITDA法

影响与含义

研报认为，存储价格的全面超预期上涨将直接改善三星电子和SK海力士的二季度营收与毛利率表现。特别是移动DRAM和NAND的强劲涨价，有助于抵消部分传统需求疲软的影响。DDR5溢价的收窄虽然看似不利，但伴随着绝对价格的快速上升和渗透率的提高，整体有利于产品结构的升级和利润空间的打开。维持买入评级意味着机构认为当前股价尚未完全反映这一轮价格上涨带来的盈利修复潜力。

风险

• 内存市场供需关系发生重大恶化
• 技术迁移进程延迟
• 智能手机、PC和服务器需求疲软，影响传统存储需求
• 三星HBM业务进展不及预期，影响收入和利润
• AI相关资本支出降低，影响整体HBM需求
• 智能手机利润率大幅收缩
• 移动OLED市场份额流失

后续跟踪

• 2Q26 DRAM和NAND实际合约价落地情况
• DDR5相对于DDR4的溢价变化趋势
• 主要移动客户对移动DRAM的采购量与价格接受度
• AI服务器对HBM需求的持续性