存储与先进制程代工走强，高盛显著上调2026—2028年WFE预测

概览

报告根据二季度业绩季中更积极的半导体资本开支信号，全面更新2026—2028年晶圆厂设备支出预测。高盛认为，DRAM和先进制程代工构成近期增长主轴，NAND、逻辑及其他应用将在中期接力，因此继续看好全球半导体资本设备股。

核心观点

高盛将2026/2027/2028年全球晶圆厂设备支出（WFE）预测由此前的$141/$186/$208 bn上调至$150/$218/$281 bn。报告正文对应列示的新预测增速为+36%/+45%/+29%，此前为+28%/+32%/+12%；Exhibit 1另称2026年WFE增速预测为45%，高于此前的32%。本轮上调依据是二季度业绩季出现的积极资本开支数据、主要半导体厂商显著提高投资计划，以及半导体生产设备供应商给出更具建设性的展望。高盛判断，近期增长主要由DRAM及先进制程晶圆代工推动，中期动力则扩展至NAND和逻辑及其他领域，其中包括Terafab贡献；制程节点迁移、HBM4升级和新增产能共同支撑设备需求。 晶圆代工方面，高盛把2026/2027/2028年WFE预测由$52/$68/$78 bn上调至$58/$84/$109 bn，对应同比增速由+30%/+30%/+16%提高至+45%/+45%/+30%。自上次更新以来，高盛将TSMC在2026—2028年每一年的资本开支预测均提高$8 bn，理由是N2工艺的资本强度上升以及客户需求持续。随着N2在未来数个季度进入规模量产，先进制程逻辑预计继续带动强劲的代工设备支出。 DRAM方面，2026/2027/2028年WFE预测由$46/$67/$74 bn提高至$48/$72/$97 bn，对应同比增速由+45%/+45%/+10%调整为+50%/+50%/+35%。报告引用的更新显示，Samsung和SK Hynix在2026—2028年的平均DRAM资本开支预测分别提高22%和19%。尽管支出增加，高盛仍认为行业产能约束将延续至2028年，意味着HBM4迁移、制程升级与扩产需求会继续支撑设备投入，而新增投资尚不足以迅速消除供给瓶颈。 NAND方面，高盛将2026/2027/2028年WFE预测由$11/$17/$20 bn调整为$11/$15/$22 bn，对应同比增速由+40%/+50%/+15%调整为+35%/+35%/+50%。这并非各年份一致上调：2026年金额不变、2027年下调、2028年上调。报告预计近期新增开支大部分用于现有产能和技术节点升级，而非大规模扩产，因此NAND供应偏紧状态预计延续至2027年，较强的设备支出增长更多向2028年后移。 逻辑及其他方面，2026/2027/2028年WFE预测从$32/$35/$37 bn上调至$34/$47/$53 bn，对应同比增速由+5%/+9%/+6%提高至+11%/+40%/+12%。上调主要来自两项因素：Intel需求好于预期，带动其资本开支预测提高；成熟制程和模拟芯片市场开始复苏，为中期设备需求提供额外支撑。 Terafab也是逻辑及其他预测上调的重要来源。报告称SpaceX与Tesla已承诺为Terafab初始阶段投入约$16.8 bn，高盛已将相关贡献计入逻辑及其他WFE预测，而非单独列为新的WFE应用类别。 基于上述分应用预测，高盛继续明确看好半导体资本设备股，并在全球范围内偏好买入评级的Applied Materials、Lam Research、ASML、Tokyo Electron、ASMI、BESI、Lasertec和Ebara。报告的行业判断建立在2026—2028年设备支出持续扩张之上，但未在研究正文中进一步区分八家公司各自的受益幅度，也未提供新的个股目标价或预期上涨空间。

分析框架

高盛先汇总二季度业绩季中芯片制造商的资本开支调整和设备供应商展望，再按晶圆代工、DRAM、NAND、逻辑及其他四类应用重建2026—2028年WFE预测，并逐项与此前预测比较。随后，报告将预测变化对应到N2量产、HBM4迁移、技术升级、产能扩张、成熟制程复苏及Terafab投资等具体驱动因素，最后据此形成对全球半导体设备股的方向性观点和偏好名单。

方法论与常识提炼

• 行业/产业分析框架

  按应用拆分并汇总WFE预测

  报告把全球晶圆厂设备支出拆分为晶圆代工、DRAM、NAND以及逻辑及其他，分别更新各应用在2026—2028年的金额和同比增速，再汇总形成整体WFE判断。

• 行业/产业分析框架产业链上中下游传导

  芯片制造商资本开支向设备需求传导

  报告以TSMC、Samsung、SK Hynix、Intel等制造商的资本开支变化为起点，并结合设备供应商展望，判断这些投资如何转化为晶圆厂设备市场需求。

• 行业/产业分析框架供需框架

  资本开支、产能投放与供应紧张程度分析

  报告不仅考察设备投资规模，也判断新增投资能否缓解芯片供应约束；其结论是DRAM即使提高支出仍可能受限至2028年，而以升级为主的NAND支出将使供应偏紧延续至2027年。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Applied Materials Inc.

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• Lam Research Corp.

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• ASML Holding（ASML）

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• Tokyo Electron

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• ASM International（ASMI）

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• BE Semiconductor Industries（BESI）

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• Lasertec

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

• Ebara

  被高盛列为全球范围内继续偏好的买入评级半导体设备股之一。

  优势

  买入评级并进入报告的全球偏好名单。

关键数据

• 2026—2028年整体WFE新预测$150/$218/$281 bn报告正文列示增速为+36%/+45%/+29%。
• 2026—2028年整体WFE原预测$141/$186/$208 bn原预测对应增速为+28%/+32%/+12%。
• Exhibit 1所列2026年WFE增速45%图表文字称此前预测为32%，增长由晶圆代工和DRAM驱动。
• 晶圆代工WFE新预测$58/$84/$109 bn对应2026/2027/2028年同比+45%/+45%/+30%；原预测为$52/$68/$78 bn及+30%/+30%/+16%。
• TSMC资本开支预测修订2026—2028年每年上调$8 bn反映N2资本强度提高和客户需求持续。
• DRAM WFE新预测$48/$72/$97 bn对应同比+50%/+50%/+35%；原预测为$46/$67/$74 bn及+45%/+45%/+10%。
• DRAM资本开支修订Samsung +22%；SK Hynix +19%为2026—2028年平均资本开支预测较上次更新的增幅。
• NAND WFE新预测$11/$15/$22 bn对应同比+35%/+35%/+50%；原预测为$11/$17/$20 bn及+40%/+50%/+15%。
• 逻辑及其他WFE新预测$34/$47/$53 bn对应同比+11%/+40%/+12%；原预测为$32/$35/$37 bn及+5%/+9%/+6%。
• Terafab初始阶段承诺投入约$16.8 bn由SpaceX与Tesla承诺投入，已计入逻辑及其他WFE预测。
• 供应约束时间判断DRAM延续至2028年；NAND偏紧至2027年DRAM增加支出后仍受产能约束，NAND近期增量支出主要用于升级。

影响与含义

高盛认为，全球WFE增长不再仅依赖单一应用：先进制程代工和DRAM提供近期动力，NAND、成熟制程、模拟芯片及Terafab投资则增强中期延续性。更高的芯片制造资本开支和持续的产能约束共同支撑设备需求，因此报告维持对全球半导体资本设备股的看多立场，并继续偏好八只买入评级标的。