高盛维持斯达半导中性评级，目标价121.2元

概览

高盛在2026年5月22日上海科技之旅中访问了斯达半导管理层。尽管公司2025年及2026年一季度业绩出现下滑，但管理层对长期毛利率改善保持乐观。高盛认可公司产品线扩张及进入AI数据中心等新市场的潜力，但考虑到功率半导体整体定价压力及当前估值相对合理，维持“中性”评级，目标价121.2元。

核心观点

业绩下滑原因与短期挑战：管理层指出，2025年及2026年一季度的业绩下滑主要源于三方面因素。首先，中国电动汽车市场增速低于预期，特别是2025年下半年政府补贴减少，而汽车业务仍占公司总收入的约50%。其次，公司持续加大在新器件研发及功率半导体迁移上的投入（如IGBT升级至第8代、SiC MOSFET升级至第3代、车规级MCU等），增加了研发负担。最后，2025年公司从Fabless模式转向Fabless-lite模式，导致原材料成本及折旧上升，对毛利率造成压力，尽管功率半导体价格降幅已有所收窄。 长期增长驱动力与毛利率修复：展望后续，高盛认为有几个积极因素支持毛利率恢复。一是随着出货量攀升，产能利用率提高将直接支撑毛利率改善。二是碳化硅（SiC）在储能和AI数据中心领域的应用日益广泛，有助于公司减少对竞争激烈的汽车市场的依赖，实现终端市场多元化。三是公司在SiC MOSFET和硅基功率半导体领域的持续产品组合升级，将增强其在高附加值市场的竞争力。

分析框架

高盛采用了自上而下与自下相结合的分析思路。首先通过管理层访谈获取一手信息，定性分析业绩波动的原因（需求端补贴退坡、供给端模式转型成本）。其次，结合行业趋势（AI数据中心电源需求、储能爆发）评估公司新产品（SiC、MCU）的市场渗透潜力。最后，基于分部估值逻辑中的市盈率相对盈利增长比率（PEG）思路，参考板块P/E与EPS增速的相关性确定目标倍数，从而得出目标价。

方法论与常识提炼

• 估值方法PE/PEG 估值

  基于板块P/E与EPS同比增长相关性的目标市盈率倍数

  研报通过观察行业内市盈率（P/E）与每股收益增速（EPS YoY）的历史相关性，推导出一合理的目标P/E倍数（31.0倍），再乘以预测的2026年EPS得出目标价。这种方法常用于成长型制造业，旨在将估值与成长性挂钩。

• 公司基本面与财务框架

  Fabless到Fabless-lite模式转型的成本结构分析

  研报关注公司从轻资产（Fabless）向部分自有产能（Fabless-lite）转型过程中，折旧和原材料成本上升对短期毛利率的挤压效应，这是评估半导体设计公司盈利质量变化的关键视角。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• 斯达半导 (603290.SS)

  受益逻辑：SiC和MCU产品线扩展至AI数据中心和储能领域，长期毛利率有望随利用率提升而改善。

  优势

  产品线丰富（IGBT Gen-8, SiC Gen-3），终端市场多元化能力增强。

  劣势

  短期受电动车补贴退坡影响大，Fabless-lite转型带来折旧压力。

  风险

  功率半导体定价压力，新产品设计赢单速度不及预期。

关键数据

• 12个月目标价121.2 元基于31.0倍2026年预期市盈率
• 当前股价131.75 元截至2026年5月22日收盘
• 隐含涨跌幅-8.0%下行空间
• 2026年预期市盈率31.0x目标估值倍数
• 汽车业务营收占比~50%公司主要收入来源

影响与含义

研报认为，虽然短期面临电动车市场放缓和转型成本压力，但斯达半导通过拓展AI数据中心电源和储能市场，能够有效分散单一行业风险。产品组合向高毛利的SiC和新一代IGBT升级，将在中长期修复盈利能力。对于投资者而言，需关注其在新非车领域的订单落地情况及产能利用率的爬坡速度。

风险

• IGBT市场增长强于或弱于预期
• 新设计赢单及市场份额获取速度快于或慢于预期
• 新产品开发进度快于或慢于预期
• 市场竞争加剧或缓解程度不确定

后续跟踪

• SiC在储能和AI数据中心领域的渗透率及订单情况
• 产能利用率提升对毛利率的实际改善效果
• 车规级MCU及新一代IGBT/SiC产品的量产进度