6月韩国HBM出口创高，Samsung表现显著强于预期

概览

本报告是Bernstein的全球存储器行业数据追踪，核心使用韩国海关6月多芯片存储器出口数据，推断Samsung和SK hynix在2026年二季度的HBM收入走势。报告认为，整体HBM出口非常强劲，其中Samsung的表现显著强于预期，并出现HBM4持续爬坡迹象；SK hynix仍保持健康增长，但增速低于Samsung且大体符合模型预期。

核心观点

核心观点包括：第一，6月韩国对中国台湾和马来西亚的多芯片存储器出口创历史新高，验证HBM需求进入2Q26仍在加速；第二，Samsung的S. Chungcheong出口和单位重量价值同时大幅上行，说明其HBM收入可能超预期且HBM4出货正在放量；第三，SK hynix出口增长稳健但更平衡，预测收入与Bernstein原有预期一致；第四，传统存储器涨价和2027年HBM价格重定价可能支撑存储器股价和盈利上修；第五，报告继续看好Samsung、SK hynix和Micron，但对KIOXIA保持结构性负面。

分析框架

报告以韩国海关出口数据为领先指标，将韩国不同地区的多芯片存储器出口映射到不同公司：S. Chungcheong被用作Samsung HBM封装和出口代理变量，N. Chungcheong加Icheon被用作SK hynix代理变量；目的地方面，中国台湾和马来西亚被视为主要HBM出口目的地。报告进一步用历史出口数据与公司HBM收入之间的回归关系估算2Q26收入，并用单位重量出口价值判断HBM4组合改善或价格变化。

方法论与常识提炼

• 出口代理指标韩国多芯片存储器出口追踪

  用韩国海关多芯片存储器出口作为HBM收入领先指标

  报告认为韩国特定多芯片存储器出口数据与Samsung和SK hynix同季度HBM收入高度相关，因此按月追踪出口额、目的地和来源地区，以提前判断HBM收入趋势。

• 公司映射地区来源映射

  S. Chungcheong对应Samsung，N. Chungcheong和Icheon对应SK hynix

  S. Chungcheong是Samsung后道工厂和HBM封装所在地；N. Chungcheong和Icheon被识别为SK hynix HBM出口的主要来源地，因此报告用这些地区出口变化推断两家公司HBM收入。

• 回归估算出口额与HBM收入回归

  用Apr-Jun出口数据估算2Q26 HBM收入

  回归结果显示Samsung 2Q26 HBM收入约US$6.7B、环比增长89%，高于Bernstein模型；SK hynix 2Q26 HBM收入约US$7.6B、环比增长25%，与预期一致。

• 价格与产品组合分析单位重量出口价值

  用出口价值除以重量方向性观察HBM ASP和HBM4组合

  报告强调该指标只能方向性参考，不能精确估算价格。Samsung相关单位重量价值6月继续大幅上升，更可能来自HBM4出货占比提高，而非HBM行业价格全面上涨。

• 方法限制出口数据覆盖限制

  海外封装或韩国本土消耗的HBM可能不被捕捉

  如果Samsung或SK hynix将HBM封装转移到韩国以外，或HBM在韩国本土被封装进其他产品，韩国出口数据将无法完整反映这些出货。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• Samsung Electronics

  HBM增长和HBM4爬坡的主要受益者

  优势

  6月S. Chungcheong出口翻倍，2Q26出口环比增长75%，回归估算HBM收入显著高于模型；单位重量出口价值继续上升，指向HBM4组合改善。

  劣势

  2Q26出口明显后置于6月，报告提示需要观察3Q26是否延续类似季节性；HBM价格本身并未明显全面上涨。

  对比

  相对SK hynix，Samsung在2Q26出口增长更快、超预期程度更高，报告认为其HBM4和份额改善动能更强。

  风险

  若HBM封装迁出韩国或需求弱于预期，出口代理指标和收入兑现都可能低于报告判断。

• SK hynix

  HBM龙头之一，增长稳健但本期低于Samsung

  优势

  N. Chungcheong和Icheon出口6月环比恢复，2Q26出口环比增长19%；回归估算US$7.6B HBM收入，与预测一致。

  劣势

  单位重量出口价值趋势大体持平或走弱，报告未看到类似Samsung的HBM4出货信号。

  对比

  SK hynix的出口季节性更均衡，但2Q26增长速度明显慢于Samsung。

  风险

  若HBM4进展落后或2027年价格谈判不及预期，盈利上修空间可能受限。

• Micron

  全球存储器周期和HBM/DRAM景气受益者

  优势

  报告维持Outperform，并认为传统存储器涨价与HBM价格重定价有利于存储器股整体盈利上修。

  劣势

  本报告的韩国出口数据主要直接映射Samsung和SK hynix，对Micron的直接验证较少。

  对比

  Micron作为全球存储器标的受行业周期支撑，但本篇数据证据不如韩国厂商直接。

  风险

  传统存储器周期提前结束、需求转弱或供给上升会压制盈利和估值。

• KIOXIA

  报告维持负面观点的NAND相关标的

  优势

  潜在上行风险包括NAND需求强于预期、日本政府政策支持和成本下降好于预期。

  劣势

  报告认为KIOXIA估值偏高，并面临中国NAND竞争的结构性压力。

  对比

  相对Samsung、SK hynix和Micron，报告对KIOXIA立场明显更谨慎。

  风险

  NAND技术和产能竞争加剧，尤其是中国厂商无需EUV即可推进NAND技术与产能。

关键数据

• 6月中国台湾和马来西亚多芯片存储器出口US$6.2B环比增长45%，相对3月增长46%，同比增长119%，创历史新高。
• 2Q26整体HBM相关出口+39% QoQ报告将中国台湾和马来西亚相关多芯片存储器出口视作HBM收入的紧密代理变量。
• Samsung相关S. Chungcheong出口6月约US$3.4B；2Q26 +75% QoQ6月出口较5月翻倍，单月出口首次超过SK hynix相关出口。
• Samsung 2Q26 HBM收入回归估算US$6.7B；+89% QoQ高于Bernstein原模型US$5.4B约25%。
• SK hynix相关N. Chungcheong和Icheon出口6月 +11% MoM；2Q26 +19% QoQ与报告当前预测的2Q26 HBM收入增长25%较为接近。
• SK hynix 2Q26 HBM收入回归估算US$7.6B；+25% QoQ报告称与原有预测完全一致。
• Samsung单位重量出口价值6月 +30% MoM；较4月 +70%报告认为该变化很可能反映HBM4出货增加。
• 韩国全部目的地多芯片存储器出口US$12.7B6月环比增长32%，相对3月增长48%，受HBM增长和传统存储器涨价共同推动。
• 中国台湾和马来西亚占全部多芯片存储器出口比例48%较3月49%略降，因为其他目的地传统存储器出口价值增长更快。
• 马来西亚出口约US$1.1B；+231% MoM报告认为主要由Samsung恢复推动，可能与季节性和EMIB相关需求有关，仍需继续观察。

影响与含义

对投资含义而言，报告认为HBM需求动能仍强，即使Rubin进展较慢，2Q26数据仍支持存储器板块的正面叙事。Samsung因HBM4爬坡和客户认可度提升，可能在2H26继续获得份额动能；SK hynix表现稳健但短期超预期程度较低；Micron也受益于DRAM和HBM周期；KIOXIA则因NAND竞争、估值和中国厂商威胁被视为相对不利。传统存储器价格继续上涨，以及2027年HBM合约价格谈判，可能触发盈利上修并支撑近端股价。

风险

• 韩国出口数据是代理指标，若HBM封装转移到韩国以外，将无法被该方法捕捉。
• 若HBM在韩国本土被封装进其他产品，出口数据也无法完整反映实际出货。
• 单位重量出口价值只能方向性参考，不能精确估计HBM价格或ASP。
• 有利的存储器价格环境可能因需求走弱或供给增加而提前结束。
• 中国存储器厂商进步，尤其在NAND领域，可能构成结构性下行风险。
• KIOXIA面临估值偏高和NAND竞争压力。
• 投资者情绪和市场给予的估值倍数变化也会影响目标价兑现。

后续跟踪

• Samsung在2H26的HBM4爬坡速度和份额提升是否兑现。
• 3Q26 Samsung出口是否继续呈现类似2Q26的月度后置季节性。
• 2027年HBM合约价格谈判是否带来盈利上修。
• 传统DRAM和NAND价格上涨能否延续。
• 马来西亚相关HBM出口是否持续增长，以及是否与EMIB需求形成真实量产链路。
• 中国台湾和马来西亚是否继续保持HBM出口主要目的地地位。
• CXMT和YMTC的出现、IPO进展及其对DRAM和NAND结构竞争的影响。
• Amkor在韩国CoWoS-like产能提升是否削弱韩国出口数据作为HBM代理指标的完整性。