摘要速读
覆盖华尔街顶级投行最新研报

AI扩展的下一道约束正在从GPU转向存储墙

机构
Morgan Stanley
日期
2026-07-21
作者
Daniel Yen, CFA、Charlie Chan、Shawn Kim、Joseph Moore、Kazuo Yoshikawa, CFA、Lee Simpson、Daisy Dai, CFA
公司
-
代码
-
行业
全球科技 / 半导体 / 存储
评级
Industry View: Attractive
看多/乐观信心强报告认为AI投资周期正从算力驱动转向系统效率驱动,存储容量、带宽和成本成为AI继续扩展的关键瓶颈,下一代存储创新有望带来重估和超额收益机会。
作者Daniel Yen, CFA、Charlie Chan、Shawn Kim、Joseph Moore、Kazuo Yoshikawa, CFA、Lee Simpson、Daisy Dai, CFA
目标价Montage Technology 6809.HK: HK$432.00;Montage Technology 688008.SS: RMB377.00;Micron: $1,200;SanDisk: $1,750
覆盖区域中国、亚太、欧洲
资产类别权益/股票
业务部门DRAM、NAND、HBM、企业级SSD、存储接口与互连、先进封装、系统级协同设计、新材料与新架构
研究机构部门/子公司Morgan Stanley(其他)、Morgan Stanley Taiwan Limited(其他)、Morgan Stanley & Co. International PLC(其他)、Morgan Stanley & Co. LLC(其他)、Morgan Stanley MUFG Securities Co., Ltd.(其他)、Morgan Stanley Asia Limited(其他)

AI 摘要卡

AI扩展的下一道约束正在从GPU转向存储墙

Morgan Stanley认为,AI系统扩展的瓶颈正从单纯算力转向数据存储、访问和移动效率,下一代存储创新将重塑存储芯片及其生态的投资机会。

行业观点:Attractive;Samsung和Kioxia为Overweight/Top Pick,Micron和SanDisk维持Overweight;Montage Technology目标价上调。
AI基础设施下一代存储存储墙HBMDRAMNANDCXL先进封装半导体设备与材料系统级创新
  • AI模型规模、上下文窗口和token量快速增长,使存储容量、带宽和成本成为系统级瓶颈。
  • 报告提出六条存储创新路径:设计、制程、封装、外围、集成和材料,机会不只在传统DRAM/NAND供应商。
  • 不含HBM的新兴存储技术TAM基准情景预计从2025年的约US$1.2bn扩张至2030年的US$23.0bn;若纳入HBM,2030年基准情景TAM为US$276bn。
  • 核心受益者包括Samsung、Kioxia、Micron、SanDisk;差异化机会还包括Montage、GigaDevice、Winbond、AP Memory、Renesas、Marvell等接口、连接、封装和系统设计生态公司。

研报解读

概览

本报告讨论AI进入新阶段后,存储如何从边缘议题变成AI基础设施的核心约束。报告认为,GPU决定AI运行速度,而存储决定AI可扩展的边界。随着生成式AI和agentic AI推动HBM、DRAM、企业级SSD等需求上升,行业需要通过更广泛的系统级创新来突破“存储墙”。

核心观点

核心观点是:AI系统的瓶颈不再只是算力,而是数据能否以足够低成本、足够高带宽、足够大容量被存储、访问和移动。传统节点迁移仍重要,但不足以单独解决问题;未来投资机会将从传统存储厂扩展到接口、互连、先进封装、系统设计、材料和设备等更广泛生态。报告认为这些生态中的早期、低拥挤度环节可能产生更强的alpha。

分析框架

报告从系统约束出发,先定义AI扩展中的“存储墙”,再用3D NAND历史案例说明颠覆式存储创新如何突破物理限制并重塑供应链,随后提出六条创新路径,并结合TAM估算、公司敞口、估值和催化剂识别潜在投资机会。

方法论与常识提炼

  • 技术创新框架六条存储创新路径

    设计、制程、封装、外围、集成、材料

    该框架用于把下一代存储创新拆解为六类可评估路径,帮助投资者判断哪些技术具备可扩展性、商业相关性和投资价值。

  • 系统瓶颈分析存储墙

    算力增长与存储容量、带宽、成本之间的错配

    AI模型和token需求快速上升,但存储系统无法以同等速度提供数据,导致整体系统性能和部署经济性受限。

  • 历史类比3D NAND案例研究

    颠覆式存储架构创新

    3D NAND通过垂直堆叠突破2D planar NAND物理扩展限制,提升密度并改变供应链,报告以此类比当前下一代存储创新的潜在影响。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • Samsung Electronics
    核心存储供应商,受益于AI compute和agentic AI带动的DRAM/HBM需求
    优势
    报告维持OW和Top Pick,预计3Q26 DRAM价格上涨超过20%-30%,盈利修正支持估值稳定。
    劣势
    4Q26同比价格动能可能平台化,短期周期催化可能不足。
    对比
    与其他主流存储龙头同属最直接受益者。
    风险
    供需能见度、价格周期和长期供应纪律变化。
  • Kioxia
    NAND和SSD组合受益于AI带宽、延迟、IOPS和容量需求
    优势
    报告维持Overweight/Top Pick,CM、GP、LC系列分别覆盖KV cache、GPU直连低延迟和大容量AI基础设施需求。
    劣势
    NAND需求向AI场景迁移的节奏仍需验证。
    对比
    相对传统NAND周期,AI基础设施可能打开更高价值场景。
    风险
    商业化节奏、客户采用和NAND价格周期。
  • Micron
    DRAM和HBM上行周期受益者
    优势
    报告维持Overweight,目标价$1,200;HBM执行被认为未被充分定价,战略客户协议提升收入可见度。
    劣势
    估值对AI数据中心需求持续性和HBM份额保持较敏感。
    对比
    与Samsung、SK hynix同处HBM/DRAM核心竞争格局。
    风险
    HBM份额、毛利率兑现、资本开支和供需紧张程度。
  • SanDisk
    NAND在AI推理、KV cache和长上下文存储中的受益者
    优势
    报告维持Overweight,目标价$1,750;AI可能使NAND上移存储层级,并提升云端客户的重要性。
    劣势
    表内可比公司数据出现当前价格高于目标价的情形,短期上行空间口径需结合原表核验。
    对比
    相较PC/mobile等价格敏感市场,hyperscaler需求可能支撑更高利润率。
    风险
    NAND需求结构转变、NBM协议兑现和新增产能纪律。
  • Montage Technology
    存储接口、CXL、MRDIMM、DDR6和AI服务器内容量扩张受益者
    优势
    报告将其视作高信心观点,认为其杠杆暴露于下一代存储系统的“管道”环节,并上调目标价。
    劣势
    业务受标准采用、服务器平台节奏和客户验证周期影响。
    对比
    相较传统存储厂,Montage更偏向连接和接口生态的差异化alpha。
    风险
    CXL/MRDIMM/DDR6商业化慢于预期、竞争加剧和估值波动。
  • GigaDevice、Winbond、AP Memory
    先进封装、晶圆堆叠和边缘AI专用存储潜在受益者
    优势
    受益于wafer-on-wafer stacking、专用存储和更高带宽/能效/形态优化需求。
    劣势
    许多技术仍处早期采用阶段,规模化确定性低于主流DRAM/HBM。
    对比
    相对主流存储供应商,这些公司更偏“enabler ecosystem”。
    风险
    技术成熟度、客户导入、成本曲线和应用场景扩散速度。

关键数据

  • 云端存储支出预测US$418bn by 2030报告基于当前预测认为,2026年起年复合增速约8%。
  • agentic AI对DRAM增量需求贡献26%-77% by 2030报告认为agentic AI可能成为DRAM增量需求的重要来源。
  • 存储占云资本开支比例40% in 2027e报告称该比例高于2023年AI驱动云资本开支爆发前的12%。
  • 存储带宽改善与token增长对比DDR5每通道带宽2024-2026年约+14%;GCP月token量约增长320x以上报告用该对比说明带宽改善滞后于AI数据需求增长。
  • 新兴存储技术TAM,不含HBMUS$23.0bn base case by 2030;bull/bear为US$41.4bn/US$16.9bn报告称主要由封装和外围方向驱动。
  • 新兴存储技术TAM,含HBMUS$276bn base case by 2030;bull/bear为US$342bn/US$160bnHBM显著放大整体市场规模。
  • Micron目标价$1,200报告维持Overweight,采用30x穿越周期盈利能力$40的估值。
  • SanDisk目标价$1,750报告维持Overweight,采用28x穿越周期EPS $62.50的估值。
  • Montage Technology目标价调整6809.HK: HK$310.00至HK$432.00;688008.SS: RMB274.00至RMB377.00报告将其视为下一代存储接口、CXL、MRDIMM和DDR6扩展的重要受益者。

影响与含义

对投资者而言,AI投资主线可能从“谁拥有最快GPU”扩展为“谁能最有效地移动、存储和访问数据”。这意味着传统存储龙头仍是直接受益者,但更大的差异化机会可能在存储接口、互连、先进封装、系统级协同设计、材料和设备等环节。若市场开始定价存储墙的系统级影响,相关生态公司可能获得估值重估。

风险

  • 软件层优化可能降低对新增硬件强度的需求。
  • 若AI商业化或变现低于预期,AI基础设施和存储需求可能放缓。
  • 许多下一代存储技术复杂且尚未完全规模化验证,存在执行和商业化风险。
  • 存储价格同比动能可能阶段性平台化,影响短期周期催化。
  • 供给纪律、资本开支和客户长期协议兑现情况可能改变盈利上行路径。

后续跟踪

  • 下一代存储标准的采用进度。
  • CXL等新连接方案的推出和客户验证。
  • 先进架构如3D DRAM、zHBM、MRDIMM、DDR6 peripherals、PIM/CIM的商业化证据。
  • 系统级部署的早期案例,尤其是AI服务器、云数据中心和边缘AI场景。
  • DRAM、NAND、HBM价格走势,以及云资本开支中存储占比变化。
  • Samsung、Kioxia、Micron、SanDisk、Montage等核心标的的盈利修正和目标价变化。
备案号:浙ICP备2022035445号-5
免责声明:本网站提供的市场数据、图表、指标、研究观点及其他信息,仅用于信息展示、研究交流与学习参考,不应被视为任何形式的个性化投资建议、证券推荐、交易指令、要约邀请或收益承诺。尽管我们尽力提升数据与内容的可靠性,相关信息仍可能因来源差异、统计口径、系统处理或市场波动而存在延迟、误差、不完整或更新不及时的情况。用户在使用本网站任何内容时,应结合自身情况进行独立判断,并自行承担由此产生的风险与责任。

设置

登录后可查看最近记录