三星电子存储景气与HBM4信心延续，高盛重申买入
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三星电子存储景气与HBM4信心延续，高盛重申买入
高盛认为三星电子的DRAM供需、HBM4推进和LTA定价结构仍支撑盈利上行，并维持普通股W320,000、优先股W245,000的12个月目标价。
- 公司重申存储供需和价格的积极展望，预计今年存储短缺延续、明年可能加剧，2H26 DRAM价格有望上行。
- LTA合约底价预计显著高于过往合同，客户对更长期协议兴趣提升，可能增强中长期利润率的可持续性。
- 公司重申HBM4在3Q26实现交叉点、约一半HBM销售来自HBM4，并对高端HBM4主供应商地位保持信心。
- P4洁净室较大比例投向1c-based HBM4和HBM4E，可能限制常规存储新增晶圆产能，从而强化常规存储短缺。
- 高盛预计2026年三星电子存储资本开支同比增长28%至W52tn，Foundry资本开支同比增长129%至W16tn。
研报解读
概览
这是一篇高盛在Asia Communacopia + Technology会议后发布的三星电子公司研究。报告围绕投资者虚拟会议的核心反馈展开，重点讨论存储供需、DRAM价格、LTA合约、HBM4、P4产能安排以及资本开支。高盛维持对三星电子的建设性看法，并重申买入评级。
核心观点
报告的核心观点是：三星电子仍处于由存储业务驱动的盈利上行周期。公司预计行业DRAM供应增速低于DRAM位需求增速，存储短缺今年延续且明年可能加剧；LTA合同结构更有利于稳定中长期利润率；HBM4进展提升高端产品定价能力；P4产能向HBM4和HBM4E倾斜可能进一步压缩常规存储供给。
分析框架
高盛将公司管理层会议要点与自身行业供需和价格预测结合，评估存储价格、HBM产品结构、资本开支和目标估值。估值采用12个月2026E EV/EBITDA为基础的SOTP方法，并分别给出普通股和优先股目标价。
方法论与常识提炼
12个月2026E EV/EBITDA-based SOTP目标价
普通股目标价为W320,000；优先股目标价为W245,000，优先股目标价基于相对普通股23%的目标折价。
增长、财务回报、估值倍数和综合因子
高盛通过成长性、财务回报、估值倍数及综合得分将个股与市场和行业同业比较，用于提供投资背景。
M&A Rank 3
M&A Rank 3代表成为收购目标的概率较低，通常不纳入目标价组件。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- 三星电子普通股 005930.KS核心覆盖标的
- 优势
- 全球领先科技公司，在存储芯片、OLED面板、智能手机和电视等多个产品拥有领先份额；存储价格上行、HBM4进展和更有约束力的LTA有望支撑盈利。
- 劣势
- 资本开支上升较快，业务仍受存储周期、智能手机利润率和显示面板竞争影响。
- 对比
- 评级相对于覆盖组合内Hansol Chemical、LG Display、LG Electronics、LG Innotek、SK Hynix、SKC、Samsung Electro-Mechanics等公司。
- 风险
- 存储供需显著恶化、智能手机利润率急剧收缩、移动OLED份额流失。
- 三星电子优先股 005935.KS同一公司优先股投资工具
- 优势
- 目标价W245,000，披露上行空间30.5%，目标价基于相对普通股23%的折价。
- 劣势
- 相对普通股存在折价假设，回报依赖折价收敛、公司基本面和股东回报预期。
- 对比
- 与普通股同为买入评级，但估值采用优先股对普通股折价框架。
- 风险
- 普通股基本面风险、优先股折价扩大、市场流动性和风险偏好变化。
关键数据
- 普通股目标价W320,00012个月2026E EV/EBITDA-based SOTP目标价。
- 优先股目标价W245,000基于较普通股23%的目标折价。
- 普通股隐含上行6.8%披露页显示的上行空间。
- 优先股隐含上行30.5%披露页显示的上行空间。
- 2026年行业DRAM位需求增长预期25%高盛预计今年行业DRAM位需求增长25%。
- 3Q26常规DRAM价格预期低双位数%环比增长高盛对3Q26常规DRAM价格的预测。
- 4Q26常规DRAM价格预期中高个位数%环比增长高盛对4Q26常规DRAM价格的预测。
- 2026年存储资本开支预期W52tn，同比增长28%主要用于DRAM/HBM以及P4洁净室、P5动工等基础设施。
- 2026年Foundry资本开支预期W16tn，同比增长129%主要用于Taylor fab，管理层曾表示Taylor fab 2nm量产将在2027年开始。
- HBM价格展望明年同比中双位数%增长高盛预计HBM价格明年同比增长中双位数，并存在显著上行可能。
影响与含义
如果存储短缺、HBM4推进和LTA定价如预期兑现，三星电子的盈利能力和估值支撑可能增强；同时，P4产能向HBM倾斜可能使常规DRAM供给更紧，从而进一步推升价格周期。报告对韩国科技与全球存储产业链均偏正面，尤其利好存储价格、HBM供应链和具备先进制程与封装能力的厂商。
风险
- 存储供需出现重大恶化。
- 智能手机利润率急剧收缩。
- 移动OLED市场份额流失。
- 高资本开支若未转化为收入和利润增长，可能压低自由现金流和投资回报。
- HBM4供应商地位、产品良率或定价溢价低于预期。
后续跟踪
- 2H26常规DRAM价格是否按预期上行。
- LTA签约数量、期限、底价和客户绑定程度。
- 3Q26 HBM4交叉点能否兑现，以及HBM4在HBM销售中的占比。
- P4洁净室产能分配对HBM与常规DRAM供给的实际影响。
- 2026年W52tn存储资本开支和W16tn Foundry资本开支的执行节奏。
- Taylor fab 2nm在2027年的量产进展。
- 三星电子股东回报政策是否出现更明确的提升。