2QCY26存储价格涨幅约60%，但2HCY26涨价节奏预计放缓

概览

本报告是Bernstein月度Global Memory Tracker，基于TrendForce/DRAMeXchange发布的5月DRAM与NAND现货及合约价格数据，跟踪2QCY26存储价格涨幅与供需变化。报告核心结论是，DRAM和NAND在2QCY26仍有大幅涨价，幅度约60%左右且略强于模型，但消费需求放缓和后续新增产能将使2HCY26涨价节奏逐步放缓，并预计价格在2HCY27至CY28开始见顶回落。

核心观点

DRAM方面，5月合约价小幅环比上升，传统DRAM加权合约价较1QCY26上涨64%；其中PC DRAM约上涨46%，Server DRAM约上涨53%，Mobile DRAM接近80%，Specialty DRAM约83%-90%。NAND方面，晶圆合约价5月仅环比上涨1%-2%，但Mobile NAND与SSD价格预计上涨约70%-80%，支撑2QCY26综合NAND合约价约上涨60%。报告认为服务器和AI需求仍强，消费需求破坏暂时有限，但3QCY26以后DRAM和NAND价格涨幅都将明显收窄。

分析框架

报告将TrendForce/DRAMeXchange的现货与合约报价映射到不同应用场景，按产品需求权重计算行业平均ASP变化，并与Bernstein模型和投资者预期比较。DRAM样本覆盖PC、Server、Mobile和Specialty DRAM，并单独考虑HBM影响；NAND样本覆盖eMMC/UFS和NAND wafer，并额外考虑SSD价格影响。

方法论与常识提炼

• 价格跟踪TrendForce/DRAMeXchange 合约价与现货价跟踪

  用月度合约价和现货价判断存储行业价格周期位置

  报告把5月发布的DRAM和NAND价格数据与Bernstein模型、投资者预期和上月报价比较，现货价作为合约价的领先指标之一。

• 加权平均行业ASP加权模型

  按终端应用权重估算DRAM与NAND综合ASP变化

  DRAM权重包括Mobile、Server、PC和Specialty DRAM，约为34%、34%、9%和15%；NAND采用eMMC/UFS约40%、NAND wafer约60%的权重，并额外讨论HBM和SSD的影响。

• 供需周期存储价格周期判断

  结合AI服务器需求、消费端需求破坏、LTA谈判和新增产能判断价格拐点

  报告认为短期缺货支撑涨价，但消费端需求放缓和后续产能上线将使价格从2HCY27至CY28逐步正常化。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。

• SanDisk Corp (SNDK.US)

  核心覆盖标的，受NAND价格和SSD需求影响最大

  优势

  2QCY26 NAND综合ASP强于预期，SSD与Mobile NAND涨幅显著，报告重申Outperform和$1,700目标价。

  劣势

  公司披露和投资者沟通被报告认为较混乱，可能影响高质量投资者参与。

  对比

  相较DRAM供应商，SanDisk更集中暴露于NAND周期，弹性更高但结构性风险也更高。

  风险

  NAND周期提前走弱、NAND疲软超出本轮周期、中国竞争加剧以及资产价值低于重置成本。

• Micron Technology Inc

  DRAM和NAND价格上涨的主要受益者之一

  优势

  报告给予Outperform和US$510目标价，受益于DRAM合约价大幅上涨和服务器需求强劲。

  劣势

  实际公司ASP可能受HBM、产品组合和合约结构影响，不一定完全等同于样本合约价涨幅。

  对比

  与SanDisk相比，Micron对DRAM周期暴露更高；与Samsung和SK hynix相比，HBM和服务器DRAM供应结构可能导致ASP表现不同。

  风险

  价格环境提前结束、需求走弱、供给增加和投资者情绪变化。

• Samsung Electronics Co Ltd

  全球DRAM与NAND供应商，受存储价格周期影响

  优势

  报告给予Outperform和KRW 225,000目标价；Samsung在2QCY26继续推动更高服务器DRAM价格。

  劣势

  部分服务器价格谈判节奏不同，HBM4 ramp延迟释放的晶圆产能可能改变供给结构。

  对比

  相较SK hynix和Micron，Samsung在部分2QCY26服务器DRAM价格上可能更领先。

  风险

  有利价格环境提前结束、需求疲弱、供给增加以及中国存储进展。

• SK hynix Inc

  DRAM和HBM相关受益标的

  优势

  报告给予Outperform和KRW 1,150,000目标价，AI和服务器需求继续支撑价格。

  劣势

  Mobile DRAM初始报价相对Samsung和Micron更温和，可能影响部分价格实现。

  对比

  与Samsung和Micron同为DRAM涨价受益者，但产品组合和LTA条款会影响公司实际ASP。

  风险

  价格环境提前反转、需求放缓、供给增加和投资者情绪波动。

• KIOXIA Holdings Corp

  NAND周期相关标的

  优势

  NAND价格在2QCY26仍受SSD和Mobile NAND支撑。

  劣势

  报告给予Underperform和JPY 17,000目标价，反映对NAND结构和估值的谨慎。

  对比

  与SanDisk同样暴露于NAND，但报告对KIOXIA立场更谨慎。

  风险

  NAND需求走弱、LTA能见度不足、竞争加剧和价格正常化。

关键数据

• 传统DRAM 2QCY26合约价涨幅较1QCY26上涨64%5月合约价进一步环比上行，略强于Bernstein当前模型。
• PC DRAM 2QCY26合约价涨幅较1QCY26上涨46%PC需求强于预期，5月PC DRAM合约价小幅环比上行。
• Server DRAM 2QCY26合约价涨幅较1QCY26上涨53%服务器客户继续吸收增量供给，DDR5仍是重点。
• Mobile DRAM 2QCY26预期涨幅接近80% QoQSamsung和Micron报价要求超过80%，但2HCY26涨幅预计降至每季度0%-10%。
• Specialty DRAM 5月价格较1QCY26高83%-90%Legacy产品供给不足，价格仍明显上涨。
• NAND综合2QCY26合约价涨幅约60% QoQ样本平均为40%，但考虑SSD和Mobile NAND后，综合涨幅估计更接近60%。
• NAND wafer 5月合约价环比上涨1%-2%模块厂对高价采购更谨慎，晶圆涨价节奏继续收窄。
• Mobile NAND 2QCY26合约价约上涨75%-80% QoQeSSD需求占用供应推动短缺，但需求破坏风险开始上升。
• SanDisk评级与目标价Outperform，$1,700.00估值基于FY26-FY29周期EPS的11倍，对应约8.5倍FY27 EPS。

影响与含义

对存储股而言，2QCY26价格和ASP上修继续支撑盈利预期，尤其有利于SanDisk、Micron、SK hynix和Samsung Electronics等存储供应商。短期看，服务器和AI需求、US CSPs的优先供给以及LTA协议有助于延长强价格环境；中期看，消费端需求破坏、NAND结构性竞争和产能上线将使涨价节奏放缓，并限制估值继续扩张。

风险

• 有利定价环境可能比预期更早结束，原因可能是需求走弱或供给增加。
• 消费端需求破坏可能在3QCY26后更加明显，压低DRAM和NAND涨价幅度。
• NAND市场可能面临更结构性的竞争压力，尤其来自中国和YMTC相关竞争。
• 公司报告ASP可能因产品组合、HBM价格和SSD样本缺失而不同于行业加权价格指标。
• SanDisk披露和投资者沟通质量可能影响估值和投资者参与度。

后续跟踪

• 3QCY26 DRAM和NAND合约价涨幅是否按预期显著放缓。
• US CSPs、中国CSPs和消费客户的LTA签署范围、价格条款和供给保障。
• 服务器DRAM和AI需求能否继续吸收从PC、Mobile和HBM4延迟释放的增量产能。
• 智能手机OEM下调产量和降低内存规格是否扩大为更明显的消费需求破坏。
• SSD和eSSD需求是否继续支撑NAND综合ASP，抵消NAND wafer涨价放缓。
• 2HCY27至CY28新增产能上线后，存储价格是否开始见顶并正常化。