存储器2Q26环比涨价约60%，下半年涨幅料放缓
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存储器2Q26环比涨价约60%，下半年涨幅料放缓
DRAM与NAND合约价2Q26环比大涨超预期，Server与Mobile领涨，但研报认为下半年需求疲软将导致涨价减速，价格拐点或在2027下半年出现。
- 2Q26 DRAM合约价环比涨64%，NAND混合合约价环比涨约60%，均超预期
- Server DRAM需求旺盛吸收所有增量供给，DDR5市场份额已超90%
- Mobile DRAM与NAND涨价约80%，但手机OEM开始削减产量
- 现货价5月企稳回升，前期抛售被消化
- 预计下半年涨价显著放缓，价格或于2027下半年开始回落
- 美国CSP已签LTA，中国CSP仍在谈判中
研报解读
概览
这篇研报是伯恩斯坦5月份的全球存储器价格追踪月报，核心结论是2026年二季度DRAM与NAND合约价环比涨幅高达约60%，超出了机构此前的模型预期，主要受Server端AI需求旺盛和Mobile端短缺驱动。但研报警示，随着消费端需求减弱，下半年涨价幅度将显著放缓，价格有望在2027年下半年逐步见顶并回落。
核心观点
2Q26涨价超预期，Server与Mobile领涨：5月合约价环比微增，使得2Q26整体DRAM合约价较1Q26上涨64%（PC涨46%、Server涨53%、Mobile涨约80%、消费类涨约85%），NAND混合合约价涨幅也达约60%（主要靠Mobile与SSD涨70-80%拉动，Wafer仅涨约25%）。现货价在5月企稳回升，PC DDR4/5现货价环比涨5-7.4%，Server现货价涨1.6-3.1%，NAND Wafer现货价环比微涨0.2%，显示前期抛售已被消化。 Server需求强劲，Mobile面临需求破坏：Server DRAM需求持续旺盛，吸收了从HBM4延后释放的产能以及其他段转移的供给，DDR5市场份额已超90%，美国云服务商享有优先供应权并已基本完成LTA谈判。相比之下，Mobile端经历前期价格飙升后，智能手机OEM正在削减产量和内存配置，预计今年手机出货量下降16%，下半年Mobile DRAM涨价将放缓至每季度0-10%。消费类需求虽具韧性但终将疲软，部分OEM已在降配以控制成本。 下半年涨价放缓，价格拐点料在2H27：研报维持短缺持续至2027年的判断，但认为涨价步伐将在3Q26显著减速，并在2027下半年至2028年随着新产能上线而逐步正常化回落。LTAs的谈判范围正扩大，或能缓冲价格回调的冲击。结构上对NAND更为谨慎，主要担忧中国竞争加剧。
分析框架
机构沿'现货价-合约价传导'与'分终端供需拆解'两条主线展开分析。首先，观察现货价企稳回升作为合约价继续上涨的前置指标；其次，将存储器需求拆分为PC、Server、Mobile及消费类，分别跟踪各段的合约价涨幅、OEM行为及产能分配。通过对比TrendForce发布的5月合约/现货数据与机构自身模型，确认2Q26涨价超预期的事实，并结合LTAs谈判进度与产能规划，推导出下半年涨价放缓及长期价格正常化的拐点预判。
方法论与常识提炼
供需框架
研报通过拆解各终端的增量供给来源与需求吸收能力，判断短缺持续性与涨价动能。
量价拆分
对DRAM和NAND按不同应用拆分价格涨幅，以加权平均计算行业ASP变化，避免单一产品波动掩盖整体趋势。
现货价-合约价传导
现货价被视为合约价的先行指标，研报通过观察现货价企稳回升来判断前期抛售结束及合约价继续上涨的动能。
景气拐点分析
研报通过追踪OEM减产、降配及LTA谈判进度，识别从'供不应求大涨'到'需求疲软涨价放缓'的景气拐点，预判价格将在2H27见顶回落。
标的映射与对比
研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要（优势、劣势、对比与风险）。
- Samsung Electronics存储器龙头，受益Server DRAM供给领先与Mobile DRAM涨价
- 优势
- 2Q26价格谈判领先，产能调配灵活
- 风险
- 有利定价环境提早结束，中国在NAND的进展
- SK hynixHBM与Server DRAM核心受益者
- 优势
- HBM技术领先，Server DDR5供给主力
- 劣势
- Mobile DRAM初始涨价要求较温和(55-60%)
- 风险
- 有利定价环境提早结束，中国在NAND的进展
- Micron (MU)Server与Mobile DRAM涨价受益
- 风险
- 有利定价环境提早结束，中国在NAND的进展
- KIOXIANAND Wafer为主，涨幅较弱且面临中国竞争
- 劣势
- NAND结构上更弱势，面临YMTC竞争
- 对比
- 与其他NAND厂商相比涨幅弱（Wafer仅涨~25%）
- 风险
- NAND需求不及预期，日本政策支持不及预期
- SanDisk (SNDK)受益NAND SSD极强涨价
- 优势
- SSD涨价约70%锁定极强ASP
- 劣势
- 近期数据高面临周期性下行，投资者沟通混乱
- 风险
- NAND弱势可能超出当前周期成为结构性问题
关键数据
- 2Q26 DRAM合约价环比涨幅64%较1Q26整体涨幅，PC涨46%, Server涨53%, Mobile涨~80%, Consumer涨~85%
- 2Q26 NAND混合合约价环比涨幅~60%Mobile NAND & SSD涨70-80%, Wafer涨~25%
- 5月PC DRAM现货价环比涨幅5-7.4% (DDR4/5)前期抛售被消化，价格企稳回升
- 5月Server DRAM现货价环比涨幅1.6-3.1%现货价仍远高于合约价，显示严重短缺
- DDR5在Server市场份额(2Q26)>90%DDR5成为Server主流，DDR4面临EOL供给短缺但占比小
- 预计全年智能手机出货量变化下降16%OEM削减产量与内存配置，下半年Mobile涨价将放缓至0-10%/季
影响与含义
对存储器厂商而言，2Q26的超预期涨价将锁定极高的ASP，带来短期业绩强劲释放。但下半年涨价放缓意味着业绩环比动能减弱，LTAs可能平滑这一过渡。结构上，DRAM受AI驱动更乐观，而NAND面临中国竞争的长期压制。价格周期见顶预期可能提前压制估值倍数。
风险
- 有利定价环境提早结束（需求减弱或供给增加）
- 投资者情绪及估值奖励风险
- 中国在存储器特别是NAND领域的进展构成下行风险
- 消费端需求破坏可能比预期更严重
- NAND弱势可能超出当前周期，成为结构性问题（针对SanDisk）
后续跟踪
- 3Q26合约价涨幅是否如期显著放缓（DRAM预计10-20% QoQ）
- LTAs（长期协议）与中国CSP的谈判结果及覆盖范围
- 消费端OEM降配与减产的实际执行情况
- HBM4产能延后释放对Server DRAM供给的实际影响
- 新产能上线时间表对2027下半年价格拐点的验证