摘要速读
覆盖华尔街顶级投行最新研报

瑞银认为亚太科技主线仍在AI与存储上行周期

机构
UBS
日期
2026-04-14
作者
Nicolas Gaudois、Luke Yoo、Randy Abrams、Kenji Yasui、Jerry Su、Sunny Lin、Jimmy Yu、Zoe Xu、Sara Wang、Aditya Chandrasekar、Edward Liu、Joseph Koh、Jimmy Yoon、Ryan Sun
公司
-
代码
-
行业
全球科技、半导体、存储、AI硬件
评级
-
看多/乐观信心弱报告认为AI相关资本开支、加速器出货和HBM需求在2026-2027年继续增长,并推动存储上行周期延长;但PC和智能手机需求下修,且存储周期可持续性仍是关键风险。
作者Nicolas Gaudois、Luke Yoo、Randy Abrams、Kenji Yasui、Jerry Su、Sunny Lin、Jimmy Yu、Zoe Xu、Sara Wang、Aditya Chandrasekar、Edward Liu、Joseph Koh、Jimmy Yoon、Ryan Sun
覆盖区域亚太
资产类别权益/股票
业务部门AI半导体供应链、存储器、HBM、DRAM、NAND、晶圆厂设备、半导体测试设备、MLCC、OSAT、PC、智能手机、显示面板
研究机构部门/子公司UBS(其他)

AI 摘要卡

瑞银认为亚太科技主线仍在AI与存储上行周期

报告判断AI需求不会熄火,存储上行周期有望延续至2027年,同时建议偏好Memory、WFE、MLCC和OSAT,谨慎看待PC、智能手机和显示。

行业策略观点偏正面:看好AI、存储、WFE、MLCC、OSAT;对PC、智能手机、显示维持谨慎。
人工智能亚太科技策略存储周期HBMDRAMNAND晶圆厂设备PC需求下修智能手机需求下修
  • 瑞银认为不应“下车”AI主线:2026年头部11家 hyperscaler 资本开支预计同比增长64%,2027年仍有强劲增长。
  • AI半导体供应链初步测算显示,2027年AI加速器出货量预计同比增长47%,HBM bit预计同比增长73%。
  • 存储上行周期预计延长:DRAM上行周期至4Q27,NAND至3Q27,AI/服务器/存储需求足以抵消手机、PC等传统需求破坏。
  • 报告下修终端需求:2026年智能手机行业出货预计同比下降10%,PC出货预计同比下降4%。
  • 个股覆盖中,Samsung Electronics、SK Hynix、DI Corporation、Eugene Tech、Hansol Chemical、ISU Petasys、Nanya Tech、SemiFive、Simmtech、YC Corporation等为Buy;Hanmi Semiconductor为Sell。

研报解读

概览

这份瑞银亚太科技策略报告围绕2026年4月的关键行业争论展开,核心问题包括AI行情是否应退出、存储半导体上行周期是否延续,以及智能手机和PC需求下行幅度。报告总体认为,AI基础设施投资和AI半导体供应链需求仍将推动增长,特别是HBM、服务器DRAM、服务器/存储SSD和相关设备材料链条;但传统终端需求承压,PC、智能手机和显示面板相关资产需要更谨慎。

核心观点

核心观点是:第一,AI主线仍具持续性,头部 hyperscaler 资本开支、AI加速器和HBM需求仍在上行;第二,存储周期将延续至2027年,DRAM供给在一段时间内难以追上需求,NAND也受益于AI存储需求;第三,AI/数据中心存储需求能够抵消智能手机、PC等传统应用的存储需求破坏;第四,报告偏好Memory、WFE、MLCC和OSAT,回避或谨慎看待PC、智能手机和显示。

分析框架

报告采用行业策略加个股覆盖结合的方法:先从宏观不确定性下的AI资本开支、hyperscaler投资、AI加速器出货、HBM bit需求和存储价格周期判断行业方向,再将观点映射到存储厂商、设备商、材料商、封测与显示等子行业,并对Samsung Electronics、SK Hynix、DI Corporation、Eugene Tech、Hanmi Semiconductor等核心覆盖公司给出评级和目标价。

方法论与常识提炼

  • 行业周期分析存储上行周期框架

    通过DRAM、NAND、HBM需求、供给约束、价格和WFE资本开支判断存储周期位置。

    瑞银将AI服务器、HBM、服务器DDR和SSD需求与传统手机/PC需求放在同一供需框架中比较,结论是AI侧增量超过传统需求破坏,DRAM供不应求可能持续至4Q27。

  • 资本开支链条分析hyperscaler capex传导框架

    从云厂商资本开支推导AI加速器、HBM、服务器存储和半导体设备需求。

    报告关注头部11家 hyperscaler 资本开支、Anthropic与Amazon、Microsoft、NVIDIA、Google等合作和投资,以及AI加速器平台迭代对HBM容量和带宽的拉动。

  • 相对配置策略子行业偏好排序

    在同一科技硬件框架下比较AI受益链和传统终端链的风险收益。

    报告明确偏好Memory、WFE、MLCC、OSAT,原因是其受益于AI和存储周期;同时对PC、智能手机、显示保持谨慎,因为需求预测被下修且利润压力更明显。

标的映射与对比

研报将主题/逻辑映射到具体标的时的结构化摘要(优势、劣势、对比与风险)。

  • Samsung Electronics
    存储上行周期与HBM执行改善受益者
    优势
    DDR/NAND市场地位强,HBM4样品和客户资格认证有改善迹象,Foundry/LSI亏损预计收窄,股东回报政策清晰。
    劣势
    HBM执行仍需追赶领先对手,智能手机业务不免受利润率压力影响。
    对比
    相较SK Hynix,Samsung在传统DDR/NAND规模更强,但HBM领先性弱于SK Hynix。
    风险
    HBM认证不及预期、传统终端需求进一步下滑、WFE扩张导致供给过快恢复。
  • SK Hynix
    HBM龙头和AI存储核心受益者
    优势
    预计2026E/2027E HBM bit份额达51%/44%,长期ROE较高,AI和传统服务器内存需求共同支撑。
    劣势
    中国制造足迹调整可能带来成本和执行压力。
    对比
    在HBM份额和执行上强于多数同业,但客户三供应商策略可能带来份额压力。
    风险
    HBM需求波动、中国产能调整成本、竞争对手追赶、客户去风险化采购。
  • DI Corporation
    HBM4测试设备受益者
    优势
    有望在SK Hynix HBM4 KGSD burn-in测试中获得较高份额,HBM测试工具ASP和利润率高于传统DDR测试。
    劣势
    客户集中度较高,业绩对HBM4导入节奏敏感。
    对比
    相对全球后道测试设备同业,估值折价但EPS增速较高。
    风险
    SK Hynix供应商策略变化、HBM4量产节奏延后、测试设备竞争加剧。
  • Eugene Tech
    DRAM WFE扩张和工艺升级受益者
    优势
    受益于DRAM WFE TAM增长、刻蚀工具附着率提升、PEALD和plasma等产品份额提升。
    劣势
    需要关键客户认证和份额提升兑现。
    对比
    报告认为其相对同业存在明显折价,积极因素尚未完全反映。
    风险
    Samsung和SK Hynix WFE恢复不及预期、客户认证延迟、设备投资节奏波动。
  • Hanmi Semiconductor
    HBM TCB设备链但观点负面
    优势
    2026年HBM4新增产能仍可支撑一定TCB工具需求。
    劣势
    订单更多来自升级而非新增,Samsung订单概率低,客户去风险化可能导致份额下降。
    对比
    相较ASMPT、Hanwha Vision等竞争者,报告认为Hanmi中长期份额可能被稀释。
    风险
    若Samsung订单或TCB需求超预期,负面观点可能面临上行风险;反之市场份额下滑将压制估值。
  • PC和智能手机供应链
    传统终端需求承压资产
    优势
    2027年出货可能恢复小幅增长,AI PC或高端机型可能带来局部结构性机会。
    劣势
    2026年PC和智能手机出货均被下修,低端和Android需求压力更大。
    对比
    相较AI服务器和存储链,传统终端链缺乏同等强度的需求驱动。
    风险
    宏观需求进一步恶化、OEM库存调整、价格竞争和利润率压力。

关键数据

  • 头部 hyperscaler 资本开支2026E同比+64%,2027E继续强劲增长用于支持AI基础设施需求仍未见明显放缓。
  • AI加速器出货2027E同比+47%;2026E同比+30%报告对2027年AI半导体供应链的初步测算。
  • HBM bit需求2026E同比+80%至31bn Gb;2027E同比+73%至54bn GbHBM是AI存储需求的核心驱动。
  • DRAM+NAND行业收入2026E US$803bn;2027E US$1.21tn显著高于2018年US$153bn的上一轮高点。
  • DRAM周期判断预计供不应求延续至4Q27HBM挤占DDR产能、传统服务器更新周期和有限晶圆产能扩张共同驱动。
  • NAND周期判断预计上行周期延续至3Q27受AI相关服务器/存储SSD需求带动。
  • 智能手机出货2026E同比-10%,2027E同比+2%下行压力更集中在低端和Android市场。
  • PC出货2026E同比-4%,2027E同比+2%部分OEM对供应商提示2026年出货可能有十几个百分点的下降。
  • DDR合约价预测1Q26环比+95%,2Q26环比+37%近端存储价格弹性显著。
  • NAND合约价预测1Q26环比+80%,2Q26环比+40%价格上行支撑存储厂商业绩。
  • Samsung ElectronicsBuy,PT Won266,000受益于DDR/NAND供给约束、HBM执行改善和Foundry/LSI亏损收窄。
  • SK HynixBuy,PT Won1,700,000预计2026E/2027E HBM bit份额为51%/44%,维持领先地位。
  • DI CorporationBuy,PT Won45,000受益于HBM4测试工具需求和SK Hynix供应链份额提升。
  • Hanmi SemiconductorSell,PT Won100,000报告担心HBM TCB订单、Samsung机会和市场份额长期被竞争对手稀释。

影响与含义

对投资组合的含义是,AI资本开支和存储供需紧张仍是亚太科技最重要的正向驱动,存储厂、HBM设备、测试设备、材料和部分封装链条更具配置价值;相反,依赖PC、智能手机和显示面板终端需求的公司面临需求下修和利润压力。若长期采购协议扩大,存储价格峰值可能较低,但利润和现金流可见度可能更高。

风险

  • hyperscaler资本开支若放缓,将削弱AI加速器、HBM和服务器存储需求假设。
  • 存储行业收入和价格预测隐含强周期弹性,若供给释放快于预期,价格和利润可能低于预测。
  • PC和智能手机需求下滑可能比报告假设更严重,并向零部件、显示和传统存储需求传导。
  • HBM供应商竞争格局可能变化,客户三供应商策略可能压低龙头份额或价格。
  • 长期采购协议可能降低存储价格峰值,虽然提升现金流可见度,但会限制周期上行弹性。
  • 中国制造足迹、EUV设备可得性和地缘限制可能影响SK Hynix等厂商的产能规划。
  • 个股目标价高度依赖2026E-2027E盈利、P/BV或P/E假设,若ROE、CoE或EPS CAGR变化,估值结论会改变。

后续跟踪

  • agentic/reasoning AI和AI coding部署能否带来真实应用需求。
  • 头部 hyperscaler 2026-2027年资本开支是否持续上修。
  • HBM bit需求、HBM ASP和HBM4/HBM4E量产认证进度。
  • DRAM供不应求是否真的持续到4Q27,NAND上行周期是否持续到3Q27。
  • Samsung HBM4认证、OpenAI、Google、AWS、Meta等客户二供进展。
  • SK Hynix在HBM的2026E/2027E份额是否维持51%/44%附近。
  • PC和智能手机出货是否继续低于预测,尤其是低端和Android需求。
  • WFE交期、工程安装资源和设备供应链瓶颈是否限制供给恢复。
  • 存储长期采购协议的价格带、锁量比例和对周期波动的影响。
备案号:浙ICP备2022035445号-5
免责声明:本网站提供的市场数据、图表、指标、研究观点及其他信息,仅用于信息展示、研究交流与学习参考,不应被视为任何形式的个性化投资建议、证券推荐、交易指令、要约邀请或收益承诺。尽管我们尽力提升数据与内容的可靠性,相关信息仍可能因来源差异、统计口径、系统处理或市场波动而存在延迟、误差、不完整或更新不及时的情况。用户在使用本网站任何内容时,应结合自身情况进行独立判断,并自行承担由此产生的风险与责任。

设置

登录后可查看最近记录